SHP32P11250 Search Results

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Catalog Datasheet	MFG & Type	Document Tags	PDF
LGA 1156 PIN OUT diagram Abstract: QSJ-44403 LGA 1150 Socket PIN diagram LGA 1155 Socket PIN diagram IC107-26035-20-G LGA 1151 PIN diagram REFLOW lga socket 1155 IC107-3204-G TB 2929 H alternative LGA 1155 pin diagram Text: DIP8-P-300-2.54 5 Package material Lead frame material Pin treatment Package weight g Rev. No./Last Revised Epoxy resin 42 alloy Solder plating (≥5µm) 0.46 TYP. 2/Dec. 11, 1996 DIP14-P-300-2.54 5 Package material Lead frame material Pin treatment Package weight (g)	Original	DIP8-P-300-2 DIP14-P-300-2 DIP16-P-300-2 DIP18-P-300-2 MIL-M-38510 MIL-STD-883 LGA 1156 PIN OUT diagram QSJ-44403 LGA 1150 Socket PIN diagram LGA 1155 Socket PIN diagram IC107-26035-20-G LGA 1151 PIN diagram REFLOW lga socket 1155 IC107-3204-G TB 2929 H alternative LGA 1155 pin diagram	PDF
425M Abstract: DIP18 DIP20 DIP28 DIP32 DIP40 SOJ28-P-400-1 PGA wire bonding IPGA400-C-S33U-1 PGA240 Text: 2. 外形寸法図 2. 外形寸法図 2 2-1. パッケージ外形寸法 - 2 2-1-1. パッケージ寸法表示記号 - 2 2-1-2. リード位置許容値について - 3	Original	P-LFBGA144-1313-0 P-BGA256-2727-1 P-BGA352-3535-1 P-BGA420-3535-1 P-BGA560-3535-1 P-TFLGA32-0806-0 425M DIP18 DIP20 DIP28 DIP32 DIP40 SOJ28-P-400-1 PGA wire bonding IPGA400-C-S33U-1 PGA240	PDF
53MC CONTROLLER Abstract: RDRAM SOP OKI D51 MD5764802-53MC MD5764802-60MC MSM5718C50-53GS-K MSM5718C50-60GS-K SHP32-P-1125-0 78D SOP Text: E2G1059-28-Y1 This version: Nov. 1998 MSM5718C50/MD5764802 Previous version: Jul. 1998 ¡ Semiconductor MSM5718C50/MD5764802 ¡ Semiconductor 18Mb 2M ¥ 9 & 64Mb (8M ¥ 8) Concurrent RDRAM DESCRIPTION The 18/64-Megabit Concurrent Rambus DRAMs (RDRAM ) are extremely high-speed	Original	E2G1059-28-Y1 MSM5718C50/MD5764802 18/64-Megabit SHP32-P-1125-0 53MC CONTROLLER RDRAM SOP OKI D51 MD5764802-53MC MD5764802-60MC MSM5718C50-53GS-K MSM5718C50-60GS-K 78D SOP	PDF
SHP32-P-1125-0 Abstract: No abstract text available Text: SHP32-P-1125-0.65-K Unit in millimeters typ., unless otherwise specified. Semiconductor Please consult OKI for soldering, assembly and storage recommendations. Specification are subject to change without notice. The drawings do not substitute or replace a product’s datasheet or the Package Information Databook.	Original	SHP32-P-1125-0	PDF
MSM5718B60 Abstract: MSM5718B70 bnsb Text: お客様各位資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコンダクタ株式会社に承継されました。従いまして、本資料中には「沖電気工業株	Original	J2G1034-17-65 MSM5718B60 MSM5718B60 18RDRAM2M 18Rambus` DRAM25612ns 500MHz 500MB/secRDRAM Rambus500MB/sec SHP32-P-1125-0 MSM5718B70 bnsb	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: SHP32-P-1125-0.65-K Mirror finish 5 パッケージ材質リードフレーム材質端子処理方法・材質パッケージ質量 g 版数/改版日エポキシ樹脂 42 アロイ半田メッキ (≥5µm) 0.87 TYP. 3 版/98.11.13	Original	SHP32-P-1125-0	PDF
QSJ-50074 Abstract: QSJ-44403 QFJ28-P-S450-1 QSJ-44574 SSOP60-P-700-0 SSOP30-P-56-0 SOP8-P-250-1 QSJ52627 sop44-p-600-1.27-k QFJ20 Text: 7.包装 7. 包装 7-1. 包装形態 - 2 7-1-1. 通常包装 - 2 7-1-2. 防湿包装 - 3 7-2. 個装仕様 - 4	Original	300mil QSJ44400 DIP8P3002 DIP14P3002 DIP16P3002 DIP18P3002 DIP20P3002 DIP22P3002 DIP8G3002 QSJ-50074 QSJ-44403 QFJ28-P-S450-1 QSJ-44574 SSOP60-P-700-0 SSOP30-P-56-0 SOP8-P-250-1 QSJ52627 sop44-p-600-1.27-k QFJ20	PDF
RDRAM 72 Abstract: RDRAM Clock 1010004 MSM5718B7 Text: J2G1033-17-64 ¡ 電子デバイス作成：1998年 1月 MSM5718B70 l 前回作成：1997年 7月 MSM5718B70 18メガビットRDRAM（2Mx9） n 概要 18メガビットRambus‘ DRAM（RDRAM‘）は2Mワード×9ビット構成の超高速CMOS DRAMで最	Original	J2G10331764 MSM5718B70 18RDRAM2M MSM5718B70 18Rambus` 25612nsRambus 500MHz 500MB/secRDRAM Rambus500MB/sec SHP32P11250 RDRAM 72 RDRAM Clock 1010004 MSM5718B7	PDF
MSM5718B70 Abstract: MSM5718B7 Text: お客様各位資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコンダクタ株式会社に承継されました。従いまして、本資料中には「沖電気工業株	Original	J2G1033-17-64 MSM5718B70 MSM5718B70 18RDRAM2M 18Rambus` 25612nsRambus 500MHz 500MB/secRDRAM Rambus500MB/sec SHP32-P-1125-0 MSM5718B7	PDF
RDRAM SOP Abstract: OKI D51 concurrent rdram MD5764802-53MC MD5764802-60MC MSM5718C50-53GS-K MSM5718C50-60GS-K SHP32-P-1125-0 ACTV m3 OKI D51 a24 Text: E2G1059-39-21 This version: Feb. 1999 MSM5718C50/MD5764802 Previous version: Nov. 1998 ¡ Semiconductor MSM5718C50/MD5764802 ¡ Semiconductor 18Mb 2M ¥ 9 & 64Mb (8M ¥ 8) Concurrent RDRAM DESCRIPTION The 18/64-Megabit Concurrent Rambus DRAMs (RDRAM ) are extremely high-speed	Original	E2G1059-39-21 MSM5718C50/MD5764802 18/64-Megabit RDRAM SOP OKI D51 concurrent rdram MD5764802-53MC MD5764802-60MC MSM5718C50-53GS-K MSM5718C50-60GS-K SHP32-P-1125-0 ACTV m3 OKI D51 a24	PDF
SHP32-P-1125-0 Abstract: MSM5718B70 MSM5718B70-50GS-K MSM5718B70-53GS-K MSM5718B70-60GS-K sin ttl RDRAM CONCURRENT MSM5718B7 Text: ¡ Semiconductor MSM5718B70 ¡ Semiconductor MSM5718B70 E2G1033-17-54 18-Megabit RDRAM 2M ¥ 9 DESCRIPTION The 18-Megabit Rambus DRAM (RDRAM™) is an extremely high-speed CMOS DRAM organized as 2M words by 9 bits. It is capable of bursting up to 256 bytes of data at less than 2 nanoseconds per	Original	MSM5718B70 E2G1033-17-54 18-Megabit SHP-32 SHP32-P-1125-0 MSM5718B70 MSM5718B70-50GS-K MSM5718B70-53GS-K MSM5718B70-60GS-K sin ttl RDRAM CONCURRENT MSM5718B7	PDF
IC 50061 Abstract: LFBGA 50-P-400 QFP128-P-1420-0 qfp304 QFP304 tray size QSJ-44440 P-LFBGA84-0909-0 P-LFBGA224-1515-0 SOJ32-P-400-1 Text: This version: Apr. 2001 Previous version: Jun. 1997 PACKAGE INFORMATION 7. PACKING This document is Chapter 7 of the package information document consisting of 8 chapters in total. PACKAGE INFORMATION 7. PACKING 7. PACKING 7.1 Packing Type 7.1.1 Ordinary Packing	Original		PDF
QSJ52627 Abstract: B375A QSJ-50345 040E-6 QSJ-44403 QFJ68-P-S950 1890A QSJ-52628 Text: 作成：前回作成： 2001 年 4 月 1998 年 7 月パッケージインフォメーション第 7 章包装本文書は全 8 章にて構成されるパッケージインフォメーションドキュメントの第 7 章部分となります。	Original	300mil QSJ-44400 DIP8-P-300-2 DIP14-P-300-2 DIP16-P-300-2 DIP18-P-300-2 DIP20-P-300-2 54-W1 54-S1 QSJ52627 B375A QSJ-50345 040E-6 QSJ-44403 QFJ68-P-S950 1890A QSJ-52628	PDF
DIP24-P-600-2 Abstract: oki qfp tray SEPT24 Text: Package Overview I Type Typical Sample Semiconductor Pin Counts Pitches [mm] OKI Suffix DIP Dual-in-line Package 8, 14, 16, 18, 20, 22, 24, 28, 32, 36, 40, 42, 48 2.54 RA SDIP (Shrink Dual-in-line Package) 30, 42, 64 1.778 ZIP (Zig-Zag In-line Package) 20, 24, 28, 40	Original	100mil 70mil 50mil 40PQFP DIP24-P-600-2 oki qfp tray SEPT24	PDF

3360D Abstract: 800A 711 TQFP64-P-1010-0 QSJ-44440 44568 DIP18 DIP20 DIP28 DIP32 SDIP30 Text: 7.包装 7. 包装 7-1. 包装形態 - 2 7-1-1. 通常包装 - 2 7-1-2. 防湿包装 - 3 7-2. 個装仕様 - 4	Original	300mil 400mil 350mil 3360D 800A 711 TQFP64-P-1010-0 QSJ-44440 44568 DIP18 DIP20 DIP28 DIP32 SDIP30	PDF
TSOP 173 g Abstract: TSOP 056 P150 P151 SSOP20 SSOP30 SSOP32 TSOPI32-P-814-0 JU-11T QFP304 Text: 4. 表面実装型パッケージ（SMD）の実装における参考情報 4. 表面実装型パッケージ（SMD）の実装における参考情報 4-1. フットパターン - 4 4-1-1. フットパターンの設計方法 - 4	Original	10sec QFP56-P-910-K SnPb9557030 JU-11T 30sec TSOP 173 g TSOP 056 P150 P151 SSOP20 SSOP30 SSOP32 TSOPI32-P-814-0 JU-11T QFP304	PDF
sac 326 Abstract: tsop 138 6-tsop PGA133-C-S14D-2 PGA240 PBGA352 35 G43-87 G38-96 DIP18-P-300-2 TSOP 48 thermal resistance Text: 5. パッケージの熱抵抗 5. パッケージの熱抵抗 5-1. 熱抵抗概要 - 2 5-2. 熱抵抗一覧 - 5 5 1 5. パッケージの熱抵抗 5-1. 熱抵抗概要	Original	PC114 G4296 513ja 144pin 44pin 100pin G3896 21x24 29x29 P-BGA144-1313-0 sac 326 tsop 138 6-tsop PGA133-C-S14D-2 PGA240 PBGA352 35 G43-87 G38-96 DIP18-P-300-2 TSOP 48 thermal resistance	PDF
SHP32-P-1125-0 Abstract: No abstract text available Text: SHP32-P-1125-0.65-K Mirror finish 5 Package material Lead frame material Pin treatment Package weight g Rev. No./Last Revised Epoxy resin 42 alloy Solder plating (≥5µm) 0.87 TYP. 3/Nov. 13, 1998	Original	SHP32-P-1125-0	PDF
OKI D51 a24 Abstract: OKI D51 MD5764802 MSM5718C50 MD5764802-53MC 141oC concurrent rdram concurrent RDRAM 72 9 13c64 concurrent rdram oki Text: お客様各位資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコンダクタ株式会社に承継されました。従いまして、本資料中には「沖電気工業株	Original	J2G1059-39-21 MSM5718C50/MD5764802 MSM5718C50/MD5764802 18Mb2M 64Mb8M 18/64Rambus` 600MHz 600MB/s480MB/s RSL1332 242KB OKI D51 a24 OKI D51 MD5764802 MSM5718C50 MD5764802-53MC 141oC concurrent rdram concurrent RDRAM 72 9 13c64 concurrent rdram oki	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: E2G1059-18-74 O K I Semiconductor This version: Jul. 1998 MSM5716C50/M SM 5718C50/ M D5764802 16M/18Mb 2M x 8/9 & 64Mb (8M x 8) Concurrent RDRAM DESCRIPTION The 1 6 /1 8 /64-M egabit C oncurrent Ram bus DRAMs (RDRAM ) are extrem ely hi'ghVspeed CMOS DRAMs organized as 2M or 8 M w ords by 8 or 9 bits. They are capable of bursting- linlimi ted	OCR Scan	E2G1059-18-74 16M/18Mb MSM5716C50/M 5718C50/ D5764802 /64-M	PDF
ANB I AD Abstract: MD5764802 MD5764802-53GS-K MSM5716C50-53GS-K MSM5716C50-60GS-K MSM5718C50-53GS-K MSM5718C50-60GS-K SHP32-P-1125-0 RDRAM SOP OKI RDRAM 18 Text: E2G1059-18-74 O K I Semiconductor T his version: Jul. 1998 M S M 5 7 16 C5 0 / M S M 5 7 18 C5 0 / M D 5 7 6 4 8 0 2 _ 16M/18Mb 2M x 8/9 & 64Mb (8M x 8) Concurrent RDRAM DESCRIPTION The 16/18/64-M egabit C o n cu rre n t R a m b u s D R A M s (R D R A M ) are extrem ely high-speed	OCR Scan	E2G1059-18-74 MSM5716C50/MSM5718C50/ MD5764802 16M/18Mb 16/18/64-Megabit ANB I AD MD5764802 MD5764802-53GS-K MSM5716C50-53GS-K MSM5716C50-60GS-K MSM5718C50-53GS-K MSM5718C50-60GS-K SHP32-P-1125-0 RDRAM SOP OKI RDRAM 18	PDF
MSM5718B7 Abstract: No abstract text available Text: O K I Semiconductor MSM5718 B70 E2G1033-17-54 18-Megabit RDRAM 2M x 9 DESCRIPTION The 18-Megabit Rambus DRAM (RDRAM™) is an extremely high-speed CMOS DRAM organized as 2M words by 9 bits. It is capable of bursting up to 256 bytes of data at less than 2 nanoseconds per	OCR Scan	MSM5718 E2G1033-17-54 18-Megabit SHP-32 MSM5718B70 MSM5718B7	PDF
RDRAM SOP Abstract: rdram clock generator concurrent RDRAM 72 RDRAM concurrent Text: E2G1059-28-Y1 O K I Semiconductor M S M 5 7 1 8 C 5 / M P 5 7 Previous version: Jul. 1998 6 4 8 2 ~ 18Mb 2M x 9 & 64Mb (8M x 8) Concurrent RDRAM DESCRIPTION The 18/64-M egabit Concurrent Rambus DRAMs (RDRAM ) are extremely high-speed CMOS DRAMs organized as 2M or 8 M words by 8 or 9 bits. They are capable of bursting unlimited	OCR Scan	E2G1059-28-Y1 18/64-M SHP32-P-1125-0 RDRAM SOP rdram clock generator concurrent RDRAM 72 RDRAM concurrent	PDF
OKI part numbering guide Abstract: MSM5718B70 MSM5718B70-50GS-K MSM5718B70-53GS-K MSM5718B70-60GS-K SHP32-P-1125-0 OKI RDRAM Text: O K I Semiconductor MSM5718B70 E 2 G 1 0 3 3 - 1 7 -5 4 18-Megabit RDRAM 2M x 9 DESCRIPTION The 18-Megabit Rambus DRAM (RDRAM™) is an extremely high-speed CMOS DRAM organized as 2M w ords by 9 bits. It is capable of bursting u p to 256 bytes of data at less than 2 nanoseconds per	OCR Scan	E2G1033-17-54 MSM5718B70 18-Megabit SHP-32 OKI part numbering guide MSM5718B70 MSM5718B70-50GS-K MSM5718B70-53GS-K MSM5718B70-60GS-K SHP32-P-1125-0 OKI RDRAM	PDF

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