transistor ac 127
Abstract: AC127 AC 127 npntransistor Transistor AC
Text: AC 127 npn-Transistor legierter npn-GermaniumTransistor Der Transistor AC 127 ist für die Verwendung als NF-Verstärker geeignet. Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert
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PA66-GF30 RELAY
Abstract: PA66-GF30 RELAis PA66-GF30 RELAY schema PA66-GF30 Miniature glass fuses color coding subminiature fuses color coding JASO d 611 PA66-GF30 start relais PIV RATING 36 V DIODE with peak repetitive current 60A STK 4252
Text: Automotive Circuit Protection Products Contents Fuseology 1 Fuseology Relays 8 Relays ISO MINI Relays MICRO Relays STARTER Relays Surface Mount Varistors Multilayer Transient Voltage Surge Surpressor Resettable PTCs 1206L Series Surface Mount PTCs 1812L Series Surface Mount PTCs
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1206L
1812L
FHAC0001
FHAC0002
0FHA000x
0FHA0200
0FHM000x
0FHM0200
0MAH0001
PA66-GF30 RELAY
PA66-GF30 RELAis
PA66-GF30 RELAY schema
PA66-GF30
Miniature glass fuses color coding
subminiature fuses color coding
JASO d 611
PA66-GF30 start relais
PIV RATING 36 V DIODE with peak repetitive current 60A
STK 4252
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SAE AS33671
Abstract: stk 5340 MS3367-4-9 MS90387-1 AS23190 MS3367-4-4 B-1108 RAMH-S10-D Cinch 2 fach QPL-AS23190-2
Text: E LEKTROINSTALLATIONS L ÖSUNGEN A KABELBINDER PANDUIT bietet die umfangreichste Auswahl an Kabelbinderformen, -größen, -materialien und -farben für die verschiedensten Anforderungen unserer Kunden. Mit Kabelbindern von PANDUIT werden unzählige Anwendungen im Innen- und Außenbereich sowie unter schwierigen
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D2671
SAE AS33671
stk 5340
MS3367-4-9
MS90387-1
AS23190
MS3367-4-4
B-1108
RAMH-S10-D
Cinch 2 fach
QPL-AS23190-2
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60800-123
Abstract: DIJM0033 DIN 41612 type h 15 DIJM0024 DIJM0025 DIJM0026 DIJM0071 DIJM0072 DIJM0088 DIJM0089
Text: Aufbau / Assembly / Montage DIJM0025 Maßbilder / Dimensions / Dimensions TE = HP = F Pos. Benennung Item Description Repère Désignation Netzgerät, Teileinsatz 3 HE nach DIN 41494, Teil 5 1 Power Supply, Plug-in unit 3 U to DIN 41494, part 5 Alimentation, Module enfichable 3 U, selon DIN 41494 partie 5
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DIJM0025
D-75334
60800-123
DIJM0033
DIN 41612 type h 15
DIJM0024
DIJM0025
DIJM0026
DIJM0071
DIJM0072
DIJM0088
DIJM0089
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60800-123
Abstract: D-75334 DIN 41612 connector 32 pin schroff power supply bridge faston 250 anti tamper AND destroy circuit diagram of automatic mains failure DIJM0024 DIJM0025 DIJM0026
Text: Buch für druck 060411.book Seite 8 Dienstag, 11. April 2006 5:36 17 Power supplies– 19" compatible – AC/DC switched-mode power supply Triple, 100 W maxpower 19" compatible – AC/DC switched-mode power supply Wide range mains/line input voltage from 90 – 254 VAC and
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D-75334
60800-123
DIN 41612 connector 32 pin
schroff power supply
bridge faston 250
anti tamper AND destroy
circuit diagram of automatic mains failure
DIJM0024
DIJM0025
DIJM0026
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acy transistor
Abstract: Q62901-B1 transistor ACY PNP ACY33 uz00 legiert
Text: PN P-Transistor für NF-Treiber- und Endstufen A C Y 33 ACY 33 ist ein legierter PNP-Germanium-Transistor im Gehäuse 1 A 3 DIN 41871 TO-1 ähnl. , Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Kollektoranschluß wird mit einem roten Punkt am Gehäuserand gekennzeichnet.
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ACY33
Q62901-B1
Q60103-Y33-G
Q60103â
Y33-G
Q60103-Y33-H
10ZK8
acy transistor
transistor ACY PNP
uz00
legiert
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103MA
Abstract: Q62901-B1 transistor ACY PNP Q60103-Y32-F ACY 23 V legiert
Text: ACY 23 ACY 32 PIVIF’-Transistoren fü r NF-Vorstufen ACY 23 und ACY 32 sind legierte PNP-Germanium-Transistoren im Gehäuse 1 A 3 DIN 41 871 TO-1 ähnl. . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Kollektoranschluß wird mit einem roten Punkt am Gehäuserand gekennzeichnet. Die Transistoren sind besonders
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Q60I03-Y23-E
Q60I03-Y23-F
Q60130-Y32-E
Q60103-Y32-F
Q62901-B1
/ACY32
101mA
103MA
Q62901-B1
transistor ACY PNP
Q60103-Y32-F
ACY 23 V
legiert
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AUY 10
Abstract: AUY19 legiert Q62901-B11-A pnptransistor W130 AUY20V PNP-Germanium
Text: PNP-Transistoren für Schalteranw endungen bis 3 A A U Y 19 A U Y 20 A U Y 19, A U Y 20 sind legierte PNP-Germanium-Transistoren im Gehäuse 3 A 2 DIN 41872 T O -3 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden. Die Transistoren sind besonders für den Einsatz als NF-Leistungsschalter geeignet.
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Q62901-B11-A
Q62901-B13-B
Q60120-Y19-C
Q62901-B13-B
Q60120-Y19-D
Q62901-B11-A
AUY19
Q60120-Y19-E
Q60120-Y20-C
Q60120-Y20-D
AUY 10
legiert
pnptransistor
W130
AUY20V
PNP-Germanium
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emitter
Abstract: zo 103 ma Q62901-B17-B AUY18 transistor 7g legiert
Text: PN P-Transistor für Schalteranw endungen bis 8 A A U Y 18 A U Y 18 ist ein legierter PNP-Germanium-Transistor mit Gehäuse 8 A 3 DIN 41878 T O -8 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden. Für die Befestigung auf einem Chassis sind die Isolierteile bzw. Befestigungsteile Q 62910B 13-B , Q 62901-B 17-A und Q 62901-B 17-B vorgesehen. Diese sind zusätzlich zu bestellen.
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Q62910-B13-B,
Q62901-B17-A
Q62901-B17-B
Q60120-Y18-D
Q60120-Y18-E
Q62901-B17-B
Q62901-B17-A
Q62901-B13-B
300mV
emitter
zo 103 ma
AUY18
transistor 7g
legiert
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Asy transistor
Abstract: ASY 15 asy70 Asy 00 ASY48-V germanium transistor asy Q62901-B1 semix igbt GAL ASY50 ASY48
Text: ASY48 A SY 70 PNP-Transistoren für Schalteranwendungen A S Y 48 und A S Y 70 sind legierte PNP-Germanium-Transistoren im Gehäuse 1 A 3 DIN 41871 TO-1 ähnl. . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Kollektoranschluß wird mit einem roten Punkt am Gehäuserand gekennzeichnet. Die Transistoren sind besonders
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Q60118-Y48-
Q60118-Y48-
Q60118-Y70-
Q62901-B1
Asy transistor
ASY 15
asy70
Asy 00
ASY48-V
germanium transistor asy
Q62901-B1
semix igbt GAL
ASY50
ASY48
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P3078
Abstract: transistor* tf 78/30 TF78-60 legiert
Text: Nicht für N e u e n tw ick lu n g PISIP-Transistoren fü r N F -E n d stu fe n und Sc h a lte ra n w e n d u n ge n TF 78/30 TF 78/60 TF 7 8 /3 0 und TF 7 8 /6 0 sind legierte P N P -G e rm a n iu m -T ra n sisto re n m it dem Gehäuse 8 A 3 D IN 41 8 7 8 T O -8 ä h n lic h . Die A n schlüsse sin d vo m Gehäuse ele ktrisch iso liert. Für die
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Q62901-B2-A
Q62901-B2-B
P3078
transistor* tf 78/30
TF78-60
legiert
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BFT65
Abstract: D1279 Siemens 1414 D1275 germanium Germanium drift transistor diode a811 Siemens Halbleiter germanium transistor legiert
Text: Table of Contents Selection Guide Ordering Codes Inhaltsverzeichnis Typeniibersicht Bestellnummern Scope of Applications Technical Information Quality Specifications Einsatzhinweise Technische Angaben Qualitatsangaben Package Outlines Mounting Instructions
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Technologie der KTY-Familie Technology of the KTY-Famlly SIEM ENS 3 3 Technologie des Temperatur sensors KTY Technology of the KTY Temperature Sensor Zur Herstellung des KTY-Temperatursensors wird eine Fotolithographie eingesetzt, die Abbildungstoleranzen im Submikronbereich
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gc 301
Abstract: selen-gleichrichter GAZ17 GY125 GD244 VEB M ik ro e le k tro n ik 04A657 ITT transistoren ga106 selen
Text: Erläuterung der Kurzzeichen von Halbleiterbauelem enten Transistoren B b C 1 15 C 22 b C 1h 2 i ä f h2 1o fT f F 1121 o | Il I2Tj| I E> Im o 11 • i>; o le n s IrKV Io Ic I K Bo In I d l^tot B ung Basisschaltung, Basis E in g an g sk ap azität MOS -FE T )
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