OHF00373 Search Results

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Untitled Abstract: No abstract text available Text: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode Mini Sidelooker GaAs-Infrared Emitter (Mini Sidelooker) SFH 4110 Vorläufige Daten / Preliminary Data R 0.9 R 0.7 2.2 2.0 3.1 2.9 1.42 1.22 0.6 0.4 16.5 16.0 3.0 2.8 4.1 3.9 60˚ 1.3 1.1 1.04 0.84 0.9 0.7 0.5	Original	PDF	GEO06976 feo06976 3100F OHFD00367 OHF00371 OHF00373
fototransistor Abstract: GEOY6976 OHLY0598 OHF00369 k 4110 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode Mini Sidelooker GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • Wellenlänge der Strahlung 950 nm Enger Abstrahlwinkel Hohe Strahlstärke	Original	PDF
05X45 Abstract: barcode reader k 4110 Q62702-P5072 fototransistor led transistor k 4110 GEO06976 OHFD00367 3100F Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode Mini Sidelooker GaAs-Infrared Emitter (Mini Sidelooker) SFH 4110 Vorläufige Daten / Preliminary Data R 0.9 R 0.7 2.2 2.0 3.1 2.9 1.42 1.22 0.6 0.4 16.5 16.0 3.0 2.8 4.1 3.9 60˚ 1.3 1.1 1.04 0.84 0.9 0.7 0.5 0.3 0.84 0.64 1.04 17.77 0.84	Original	PDF	GEO06976 feo06976 3100F OHFD00367 OHF00371 OHF00373 05X45 barcode reader k 4110 Q62702-P5072 fototransistor led transistor k 4110 GEO06976 OHFD00367 3100F
GMOY6177 Abstract: "Infrared LED" 880 nm Pulsed Forward Current Text: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, 250 µm Kantenlänge GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, 10 mil) F 0235F Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • • • • Features Chipgröße 250 x 250 µm Emissionswellenlänge: 950 nm	Original	PDF	0235F GMOY6177 "Infrared LED" 880 nm Pulsed Forward Current
GEOY6976 Abstract: OHLY0598 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode Mini Sidelooker GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • Wellenlänge der Strahlung 950 nm Enger Abstrahlwinkel Hohe Strahlstärke	Original	PDF
GEO06976 Abstract: Q62702-P5072 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode Mini Sidelooker GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) SFH 4110 Wesentliche Merkmale • Wellenlänge der Strahlung 950 nm • Enger Abstrahlwinkel • Hohe Strahlstärke • Geringe Außenabmessungen • Gehäusegleich mit Fototransistor SFH 3100 F	Original	PDF	OHF00373 GEO06976 GEO06976 Q62702-P5072
Untitled Abstract: No abstract text available Text: 2007-04-03 GaAs Infrared Emitter Mini Sidelooker GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) Version 1.0 SFH 4110 Features: Besondere Merkmale: • • • • • • Peak wavelength of 950 nm Narrow half angle High radiant intensity Small outline dimensions	Original	PDF	D-93055
GMOY6076 Abstract: GaAs wafer dicing Chip free osram topled Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode 950 nm GaAs Infrared Emitter (950 nm) F 0235D Wesentliche Merkmale • • • • • • • • Features Chipgröße 250 x 250 µm Wellenlänge der Strahlung 950 nm GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen	Original	PDF	0235D GMOY6076 GaAs wafer dicing Chip free osram topled
k 4110 Abstract: Q62702-P5072 GEOY6976 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode Mini Sidelooker GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) SFH 4110 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • Wellenlänge der Strahlung 950 nm Enger Abstrahlwinkel Hohe Strahlstärke Geringe Außenabmessungen Gehäusegleich mit Fototransistor SFH 3100 F	Original	PDF
OPTOKOPPLER Abstract: No abstract text available Text: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, 250 µm Kantenlänge GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, 10 mil) F 0235D Vorläufige Daten / Preliminary data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 13 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 250 x 250 µm2	Original	PDF	0235D OPTOKOPPLER
Untitled Abstract: No abstract text available Text: Opto Sem iconductors I GaAs-IR-Lumineszenzdiode Mini Sidelooker GaAs-lnfrared Emitter (Mini Sidelooker) SFH 4110 Vorläufige Daten / Preliminary Data Emitter/ geo06976 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherwise specified.	OCR Scan	PDF	geo06976 3100F OHF00373