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    GMOY6076

    Abstract: GaAs wafer dicing Chip free osram topled
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode 950 nm GaAs Infrared Emitter (950 nm) F 0235D Wesentliche Merkmale • • • • • • • • Features Chipgröße 250 x 250 µm Wellenlänge der Strahlung 950 nm GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen


    Original     		0235D GMOY6076 GaAs wafer dicing Chip free osram topled PDF

    OPTOKOPPLER

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, 250 µm Kantenlänge GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, 10 mil) F 0235D Vorläufige Daten / Preliminary data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 13 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 250 x 250 µm2


    Original     		0235D OPTOKOPPLER PDF