3LP04MH
Abstract: No abstract text available
Text: 3LP04MH Ordering number : ENA0551 P-Channel Silicon MOSFET 3LP04MH General-Purpose Switching Device Applications Features • 1.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS
|
Original
|
3LP04MH
ENA0551
900mm2
A0551-4/4
3LP04MH
|
PDF
|
3LN04MH
Abstract: sy 360 diode
Text: 3LN04MH Ordering number : ENA0550 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET 3LN04MH General-Purpose Switching Device Applications Features • 1.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings
|
Original
|
3LN04MH
ENA0550
900mm2
A0550-4/4
3LN04MH
sy 360 diode
|
PDF
|
MCH3435
Abstract: MCH5834 SS0503SH IT1180
Text: MCH5834 注文コード No. N A 0 5 5 8 三洋半導体データシート N MCH5834 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタ MCH3435 とショットキバリアダイオード(SS0503SH)を 1 パッケージに
|
Original
|
MCH5834
MCH3435)
SS0503SH)
900mm2
N0806PE
TC-0000259
A0558-1/6
IT11802
MCH3435
MCH5834
SS0503SH
IT1180
|
PDF
|
VEC2812
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2812 注文コード No. N A 0 3 9 2 三洋半導体データシート N VEC2812 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
|
Original
|
VEC2812
900mm2
N0806PE
TC-00000280
A0392-1/5
IT08214
IT08216
IT07948
VEC2812
|
PDF
|
VEC2812
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2812 Ordering number : ENA0392 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2812 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
|
Original
|
VEC2812
ENA0392
A0392-6/6
VEC2812
|
PDF
|
MCH3435
Abstract: MCH5834 SS0503SH
Text: MCH5834 Ordering number : ENA0558 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5834 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-channel silicon MOSFET MCH3435 and a schottky barrier diode (SS0503SH)
|
Original
|
MCH5834
ENA0558
MCH3435)
SS0503SH)
A0558-6/6
MCH3435
MCH5834
SS0503SH
|
PDF
|