KT812A
Abstract: KT812B kt812 Scans-048 DSAGER00035
Text: CAwiaHÖ B C CCP , TpaH3HCTopw thbob KT8Î2A, KT8Ì2B, KT8Î2B 'i 3jiC K T p w H O p rT 6 X HHK3 3 a K a 3 -H a p a a _ _ _ 1, Gómme csefteHM í KpeMHHCBbie Me3a-n«aHapHue TpaHSHCTopu KT8I2A, KT812B, KT8Í2B co erpysTy* P oh n-p-n. 2. ycAOBKK SKcn^yarauHB
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KT812B,
Harpy30K:
B03A5
KT812A
KT812B
kt812
Scans-048
DSAGER00035
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KT840A
Abstract: KT840B scans-048 DSAGER00036
Text: I. OHi$E CBEJtSDK TpaHSHCTopH KpeMHHeBMe M esa-iuiaH apH H e n - p - n , npepga.3ïïm em m e jyw paóoTH b KÆOTeBHx Hcxo^HHKax iureaHaa TeJieBH3opoB. yCOIQBHH 3KGEH7ATM5IH 2 .1 . lÿaHSHCïopH flonyoKajoT sKonnyaTamno b yojioBiMx h nocjie BOi£ ieraas m hhx «aew upK MexaHnneoKEx BaipyaoK:
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250Ce
KT840A
KT840B
scans-048
DSAGER00036
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kt940a
Abstract: KT9406 KT940B KT940A-KT940B KT940 KT940A-5 K034 kt9405 KT940B-5 KT9405-5
Text: KT940A, KT940B, KT940B, KT940A-5, KT940B-5, KT940B-5 TpaH3MCTopbi KpeMHMeBbie Me3an/iaHapHbie crpyKTypbi n -p -n ycM/iMTe/ibHbie. flpeA H a3HaMeHbi w * npMMeHeHMfl b BbixoAHbix KacKaflax BMAeoycM/iMTe/ien TesteBM3HOHHbix npweMHHKOB uBeTHoro h sepHO-öeflOTO H3o 6 pa>KeHMfl. TpaH3HCTopbi KT940A —KT940B bwnycKaioTCfl b njiacmaccoBOM K opnyce c wecrKHMH BbiBOßaMM. ÏH n
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KT940A,
KT940B,
KT940A-5,
KT940B-5,
KT940B-5
KT940Aâ
KT940B
KT940Bâ
kt940a
KT9406
KT940A-KT940B
KT940
KT940A-5
K034
kt9405
KT940B-5
KT9405-5
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TRANSISTOR 132-gd
Abstract: TRANSISTORS 132 GD equivalent io transistor 131-G bbc ds diodes DS 1,8 transistor vergleichsliste aeg diode Si 61 L AF124 Transistor Vergleichsliste DDR OC1044 bbc ds diodes
Text: Vergleichsliste Halbleiter Bauelemente In h a lt: Einleitung Typenbezeichnung und Form elzeichen G e g e n ü b e r s t e ll u n g n a c h A l p h a b e t : T ransistoren G leichrichterdioden Leistungs-Zenerdioden V e rg le ic h nach T y p e n g ru p p e n
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06o3H
TRANSISTOR 132-gd
TRANSISTORS 132 GD
equivalent io transistor 131-G
bbc ds diodes DS 1,8
transistor vergleichsliste
aeg diode Si 61 L
AF124
Transistor Vergleichsliste DDR
OC1044
bbc ds diodes
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs temperatur von 25 °C angegeben.
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DOR102
Halbleiterbauelemente DDR
GAZ17
diode sy-250
"halbleiterwerk frankfurt"
sal41
diode sy-170
SF 127
diode say17
Halbleiter-Bauelemente DDR
SY 170
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2T931A
Abstract: KT853 2T926A KT838A 2T803A 2T809A 2T904A 2T808A 2T603 2T921A
Text: g V ì^ fg : W SflÉptÉ! W ^ i$ î0 i0 û * W I I m ^7ù£-à.S& m p ,-À-& s i: r& mSÊmÈÈ •ï ' ^ f§ W % a s Ü lg S I W M 7 \ w Jkw s i 4; h# » ik « W 'ï illl ¡ P * te ili -X\ S I Iw 11 4-S U E S T am Ir ¿ « 1 1 1 » , ü i a Î3 & & C nPA BO H H M K
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MOKP51KOB,
KTC631
TI2023
II2033
TT213
TI216
fI217
II302
XI306
n306A
2T931A
KT853
2T926A
KT838A
2T803A
2T809A
2T904A
2T808A
2T603
2T921A
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1HT251
Abstract: 2T203 kt117 1T308 2T355A 2T312 IT308B K1HT251 kt117b 2T313
Text: WmmËÊÊm W h A iW f W * i r*ïS >*••> ro s ît. ;<W«a 7 mm m$m 15ÎÏ3 Sktófefc?¿feS 11181 immm SI f ' ■ ' ' ' : m S ËÊB B S M M CnPABOHHMK nonynpoBQQHHKOBbiE nPHBOPbl TPAH3MCTOPbl MAflOI/ì MOLUHOCTM n O f l PEA A K L4H EPÌ A . B rO flO M E A O B A
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FojO33
KT357
KT358
KT361
KT363
KT364-2
KT366
KT368
KT369
KT369-1
1HT251
2T203
kt117
1T308
2T355A
2T312
IT308B
K1HT251
kt117b
2T313
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K174YH7
Abstract: k2651 K159HT1 TBA120 k157 tba810 K159 K174YP1 K798 K140y
Text: HHTETPAJlbHblE MMKPOCXEMbI T om III 5 CCCP MOCKBA K a T a j i o r „ M H T e r p a jib H b ie M H K p o c x e M b i“ conep>KHT TexHM HeCKHe X a p ü K T e p H C T H K M H H T e r p a jlb H b lX M M K p o e x e M , KOT o p b ie 3 K c n o p T n p y e T C o b c t c k h h
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C0103.
K119YC
K174YH7
k2651
K159HT1
TBA120
k157
tba810
K159
K174YP1
K798
K140y
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WK16412
Abstract: wk16414 KT201 IRS 8342 WK16413 LQ470 LQ410 1PP75 KC639 KT728
Text: TESLA ELEKTRONICKE SOUCASTKiT KO N CERN R O ZN O V nO/iynpOBOÆHMKOBbie npn6opbi A H o n o ro B b ie M H T e rp a n b H b ie MMKpOCXeMbl 1 U n c fjp o B b ie M H T e rp a / ib M b ie M U K p O C X e M bl 2 rn ö p k i/ iH b ie M H T e rp a / ib H b ie MMKpOCXeMbl
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2T908A
Abstract: 2T602 2T907A KT604 1HT251 1T813 2t903 KT920A PO6 115.05 KT117
Text: nojiyriPOBOflHHKOBblE nPHBOPbl: TpaH3HCTOpbI CnpaBOHHHK rioa oGmea peaaKUHen H. H. TOPIOHOBA EB MOCKBA 3HEPrOATOMH3AAT 1983 BEK 32.852 n 53 y ^ K . 621.282.3 035 P e n e H 3 e H T b i : E. 14. KpbiJioB, B. B. I1aB;ioB AB T o p b i : B. Jl. ApoHOB, A. B. E bkikob, A. A. 3aiineB,
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T-0574D.
30Eiaa
Coi03nojiH
2T908A
2T602
2T907A
KT604
1HT251
1T813
2t903
KT920A
PO6 115.05
KT117
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BGA256
Abstract: NM6403 TMS320C40 c83m NM1281
Text: T E M A H ô f l p O C O T H n m 6 4 0 3 : H e w p o M O J i O T M m H O M i P A a agf @ c o m p u l e r r a . r u m ^ M “ ' 'M g e tc o m o p h te a e m o p b i c m a m e ü tf K O M n b to m e p u o û n p e c c e , p a c c K a 3 b i« a H o t te ù ix jH u n e p u p M b t
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nm6403:
06pa30B
33-mmk3
paCn03HaB3HMe
b30BaflMeii
NM6403
BGA256
TMS320C40
c83m
NM1281
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VQB71
Abstract: vqb 71 Halbleiterbauelemente DDR "halbleiterwerk frankfurt" U105D diode sy-250 U107D u311d hfo frankfurt sy 170
Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente D ie v o r lie g e n d e Ü b e rs ic h t e n t h ä l t i n g e d rä n g te r Form d ie w ic h tig s te n G renz- und K enndaten d e r i n d e r DDR g e f e r t i g t e n H a lb le ite r b a u e le m e n te . D ie K ennw erte werden im a llg e m e in e n f ü r e in e U m gebungstem peratur von
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K140MA1
Abstract: K190KT2 K174YH7 K554CA2 k159ht1 hj3h 190KT2 transistor k513 K190KT1 K159
Text: HHfErPAIIbHbli NHKPOCXENbl INTEGRATED MICROCIRCUITS MHTETPAJlbHblE MklKPOCXEMbl IN TEG R A TED M ICRO CIRCU ITS M acTb Partii II AH AJIOrOBblE M HTETPAJlbHblE MklKPOCXEM bl IN TEGRATED ANALOG M ICRO CIRCUITS 3 ne«TpoHHan npoHbim neMHocTb C C C P - oamh mi xpynHeHuiHX b MMpe npoMJBOAHTeneü BbicoKoxanecTBeHHbix M3 AenMM jneKTpoHHoM tcxhm km , KoTopbie b HaCToMLijee sperm
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766b/6o
16pins
55max
2263M
K140MA1
K190KT2
K174YH7
K554CA2
k159ht1
hj3h
190KT2
transistor k513
K190KT1
K159
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KC156A
Abstract: ky202e K174XA2 KT809A KT805A KT610B KP350A KT808a KT920A KC213
Text: BJOJIABPHHEHKO CnPABOMHMK n o n o jiy nPOBOAHMKOBBIM nPMBOPAM H 3A aH ne 1 0 -e, nepepaöoT aH H oe KHEB «TEXHIKA* h flo n o jiH e H H o e 32.852 h2 J113 JlaBpnMenKO B. 10. J113 CnpaBOMHHK no noJiynpoBOAHHKOBbiM npnöopaM. 10-e m a., nepepaô. h A on.— K.: TexHiKa, 1984.— 424 c., hji.— BHÓjniorp.:
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XapfaKOB-57,
KC156A
ky202e
K174XA2
KT809A
KT805A
KT610B
KP350A
KT808a
KT920A
KC213
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BT35
Abstract: TPS334 TPS434 TPS334L5.5 TPS333 T05B T018 TPS434G9 KPEmh
Text: MHTEPTEKC ww w.i-t.su ¡nfo@ i-t.su electronics Ten: 495 739-09-95, 644-41-29 T e p M o a n e K T p M n e c K M e fle T e K T o p b i T e M n e p a T y p b i TepMoaneKTpMHecKMe fle ie K T o p b i TeM nepaTypbi npeflCTaBrm roT co6om aneMeHTbi, HyBCTBMTe^bHHe k T ennoB O M y (M H ^p a K p a c H O M y ) M3nyHeHMro. A k tm b h h m
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6e30nacH0CTinElmer
TPS333
TPS334
TPS334L5
TPS434
TPS434G9
o63opa
nMH30M
TPS434G9
BT35
TPS334
TPS434
TPS334L5.5
TPS333
T05B
T018
KPEmh
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