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    A11612

    Abstract: A1161-4 2a11612 A1161 CPH5870 IT13497
    Text: CPH5870 注文コード No. N A 1 1 6 1 三洋半導体データシート N CPH5870 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した複合タイプ


    Original     		PDF CPH5870 600mm2 51408PE TC-00001359 A1161-1/5 ID00340 A1161-4/5 A11612 A1161-4 2a11612 A1161 CPH5870 IT13497

    2a11612

    Abstract: 2S200
    Text: CPH5870 Ordering number : ENA1161 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5870 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package


    Original     		PDF CPH5870 ENA1161 A1161-5/5 2a11612 2S200