IT00636 Search Results

SBS004M

Abstract: marking SA
Contextual Info: Ordering number : ENN6907 SBS004M Schottky Barrier Diode SBS004M 15V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1305 0.15 1 2.1 3 1.6 • 0.3 Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.35V)

Contextual Info: Ordering number : ENN6907 SBS004M Schottky Barrier Diode SBS004M 15V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1305 0.15 1 2.1 3 1.6 • 0.3 Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.35V)

1305A

Abstract: SS05015M
Contextual Info: SS05015M Ordering number : ENN8066 SS05015M Schottky Barrier Diode 15V, 500mA Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.4V) (IF=0.5A, VF max=0.45V).

7382

Abstract: CPH5820 D2503 MCH3308 SBS006M
Contextual Info: Ordering number : ENN7382 CPH5820 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5820 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3308 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2171

CPH5815

Abstract: MCH3317 SBS007M
Contextual Info: Ordering number : ENN7381 CPH5815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5815 DC / DC Converter Applications 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5815] 2.9 0.05 1 2 0.95 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.9 0.7 0.2 • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET

CPH5804

Abstract: MCH3312 SBS006M IT03222
Contextual Info: 注文コード No. N 6 9 8 0 CPH5804 No. N 6 9 8 0 62001 新 CPH5804 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ

CPH5815

Abstract: MCH3317 SBS007M N2603
Contextual Info: 注文コード No. N 7 3 8 1 CPH5815 三洋半導体データシート N CPH5815 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3317）とショットキバリアダイオード（SBS007M）を

SBS007M

Abstract: 69082
Contextual Info: 注文コード No. N 6 9 0 8 SBS007M No. N6908 21001 新 SBS007M ショットキバリアダイオード 15V, 0.5A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・順電圧が小さい

TA-3808

Abstract: CPH5820 D2503 MCH3308 SBS006M
Contextual Info: 注文コード No. N 7 3 8 2 CPH5820 三洋半導体データシート N CPH5820 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ

MCH3405

Abstract: MCH5801 SBS007M TA3100
Contextual Info: Ordering number : ENN6941 MCH5801 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5801 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3405 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195

marking SA

Contextual Info: Ordering number : ENN7029 SBS806M Schottky Barrier Diode SBS806M 30V, 0.5A Rectifier Applications Package Dimensions unit : mm 1310 • 2.1 3 2 1 0.65 5 2.0 4 1 : Anode Diode 1 2 : No Contact 3 : Anode (Diode 2) 4 : Cathode (Diode 2) 5 : Cathode (Diode 1)

Contextual Info: Ordering number : ENN7029 SBS806M Schottky Barrier Diode SBS806M 30V, 0.5A Rectifier Applications Package Dimensions unit : mm 1310 • 2.1 3 2 1 0.65 5 2.0 4 1 : Anode Diode 1 2 : No Contact 3 : Anode (Diode 2) 4 : Cathode (Diode 2) 5 : Cathode (Diode 1)

VEC2801

Abstract: marking BL
Contextual Info: VEC2801 Ordering number : EN9078 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2801 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features The best suited for DC / DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package

SS05015M

Abstract: 21505SB IT00636
Contextual Info: SS05015M 注文コード No. N 8 0 6 6 三洋半導体データシート N SS05015M ショットキバリアダイオード 15V, 500mA 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。

SBS006

Abstract: SBS806M
Contextual Info: 注文コード No. N 7 0 2 9 SBS806M No. N 7 0 2 9 83001 新 SBS806M ショットキバリアダイオード 30V, 0.5A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・順電圧が小さい IF=0.3A, VF max=0.4V (IF=0.5A, VF max=0.47V)。

CPH5803

Abstract: TA-3101 6935-2 MCH3405 SBS004M
Contextual Info: CPH5803 注文コード No. N 6 9 3 5 B 三洋半導体データシート 半導体データシート No.N6935A をさしかえてください。 CPH5803 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード

SBS006M

Contextual Info: Ordering number : ENN7669 SBS006M Schottky Barrier Diode SBS006M 30V, 0.5A Rectifier Applications Package Dimensions unit : mm 1305A Features 2 1 0.65 0.07 Low forward voltage IF=0.3A, VF max=0.4V (IF=0.5A, VF max=0.47V). Ultrasmall package permitting applied sets to be

Contextual Info: Ordering number : ENN6980 CPH5804 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5804 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2171

TA-3176

Abstract: marking QB MCH3308 MCH5802 SBS006M
Contextual Info: Ordering number : ENN6961 MCH5802 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5802 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3308 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2195

SBS006

Contextual Info: 注文コード No. N 6 9 2 9 A SBS006 No. N 6 9 2 9 A 62901 新 半導体ニューズ No.6929 とさしかえてください。 SBS006 ショットキバリアダイオード 30V, 0.5A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ・コンバータ・チョッパ等の高周波回路整流用。

W503

Abstract: D2502 mosfet FW503 D2502 MCH3306 SBS004 TA 73121
Contextual Info: 注文コード No. N 7 3 1 2 FW503 三洋半導体データシート N MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード FW503 特長 DC / DC コンバータ用 ・低オン抵抗超高速スイッチング、低電圧駆動の P チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間が

TA-3102

Abstract: N6907 SBS004M
Contextual Info: 注文コード No. N 6 9 0 7 SBS004M No. N6907 21001 新 SBS004M ショットキバリアダイオード 15V, 1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・順電圧が小さい

SBS007M

Contextual Info: Ordering number : ENN6908 SBS007M Schottky Barrier Diode SBS007M 15V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1305 [SBS007M] 0.15 1 2.1 3 1.6 • 0.3 Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.4V)

CPH5803

Abstract: MCH3405 SBS004M EN693
Contextual Info: CPH5803 Ordering number : EN6935B SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5803 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET MCH3405 and a Schottky Barrier Diode (SBS004M)