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    SBS007M Search Results

    SBS007M Datasheets (2)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Curated Datasheet Type PDF
    SBS007M
    		Sanyo Semiconductor Original PDF
    SBS007M-E
    		Sanyo Semiconductor DIODE SCHOTTKY 15V 0.5A 3MCPH3 Original PDF

    SBS007M Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet Type Document Tags PDF

    SBS007M

    Contextual Info: SBS007M SPICE PARAMETER DIODE model : DIODE Parameter Value IS 1.04E-05 BV 20.0 ISR 5.80E-06 VJ 0.54 TT 1.00E-09 TRS 3.60E-03 Temp = 27 deg Date : 2003/10/7 Parameter N IBV NR M EG Value 1.04 1.00E-03 1.20 0.52 0.54 Parameter RS CJO FC XTI Value 0.156 8.70E-11


    Original     		SBS007M 04E-05 80E-06 00E-09 60E-03 00E-03 70E-11 SBS007M PDF

    ic 74243

    Abstract: MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841
    Contextual Info: Ordering number : ENN7424 MCH5815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5815 DC / DC Converter Applications 0.25 • [MCH5815] 0.25 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195


    Original     		ENN7424 MCH5815 MCH5815] MCH3317) SBS007M) ic 74243 MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841 PDF

    SBS007M

    Abstract: 69082
    Contextual Info: 注文コード No. N 6 9 0 8 SBS007M No. N6908 21001 新 SBS007M ショットキバリアダイオード 15V, 0.5A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・順電圧が小さい


    Original     		SBS007M N6908 100mA, 600mm2 Duty10% IT02954 IT02953 IT02955 IT02956 SBS007M 69082 PDF

    MCH3405

    Abstract: MCH5801 SBS007M TA3100
    Contextual Info: Ordering number : ENN6941 MCH5801 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5801 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3405 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195


    Original     		ENN6941 MCH5801 MCH3405) SBS007M) MCH5801] MCH3405 MCH5801 SBS007M TA3100 PDF

    7447

    Abstract: CPH5818 MCH3339 SBS007M
    Contextual Info: Ordering number : ENN7447 CPH5818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5818 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2171


    Original     		ENN7447 CPH5818 MCH3339) SBS007M) CPH5818] 7447 CPH5818 MCH3339 SBS007M PDF

    MCH5818

    Abstract: MCH3339 SBS007M
    Contextual Info: MCH5818 注文コード No. N 7 7 5 4 三洋半導体データシート N MCH5818 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3339 とショットキバリアダイオード(SBS007M)を 1 パッケージに


    Original     		MCH5818 MCH3339) SBS007M) 900mm2 TA-3839 --10V IT05619 900mm2 MCH5818 MCH3339 SBS007M PDF

    SBS007M

    Contextual Info: Ordering number : ENN6908 SBS007M Schottky Barrier Diode SBS007M 15V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1305 [SBS007M] 0.15 1 2.1 3 1.6 • 0.3 Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.4V)


    Original     		ENN6908 SBS007M SBS007M] SBS007M PDF

    SBS007M

    Abstract: marking DIODE 2U 04 marking SB
    Contextual Info: Ordering number : ENN6908 Schottky Barrier Diode SBS007M ISAttYOl 15V, 1A Rectifier Package Dimensions unit : mm 130 5 Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . [S B S 007M ] Features • Low forward voltage (If =0.3A , V f m ax=0.4V)


    OCR Scan     		ENN6908 SBS007M sbs007m] SBS007M marking DIODE 2U 04 marking SB PDF

    MCH3339

    Abstract: MCH5818 SBS007M
    Contextual Info: MCH5818 Ordering number : ENN7754 MCH5818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) contained in one package facilitating high-density mounting.


    Original     		MCH5818 ENN7754 MCH3339) SBS007M) MCH3339 MCH5818 SBS007M PDF

    7447

    Abstract: CPH5818 MCH3339 SBS007M
    Contextual Info: Ordering number : ENN7447 CPH5818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5818 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2171


    Original     		ENN7447 CPH5818 MCH3339) SBS007M) CPH5818] 7447 CPH5818 MCH3339 SBS007M PDF

    MCH3408

    Abstract: MCH5804 SBS007M IT03104 IT03105
    Contextual Info: Ordering number : ENN6942 MCH5804 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5804 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3408 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195


    Original     		ENN6942 MCH5804 MCH3408) SBS007M) MCH5804] MCH3408 MCH5804 SBS007M IT03104 IT03105 PDF

    CPH5815

    Abstract: MCH3317 SBS007M
    Contextual Info: Ordering number : ENN7381 CPH5815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5815 DC / DC Converter Applications 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5815] 2.9 0.05 1 2 0.95 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.9 0.7 0.2 • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET


    Original     		ENN7381 CPH5815 CPH5815] MCH3317) SBS007M) CPH5815 MCH3317 SBS007M PDF

    CPH5815

    Abstract: MCH3317 SBS007M N2603
    Contextual Info: 注文コード No. N 7 3 8 1 CPH5815 三洋半導体データシート N CPH5815 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3317）とショットキバリアダイオード（SBS007M）を


    Original     		CPH5815 MCH3317 SBS007M 600mm2 IT02912 IT02914 IT02915 IT00636 CPH5815 MCH3317 SBS007M N2603 PDF

    74243

    Abstract: 74241 MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841 74242
    Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 2 4 MCH5815 三洋半導体データシート N MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード MCH5815 特長 DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3317）とショットキバリアダイオード（SBS007M）を


    Original     		MCH5815 MCH3317 SBS007M 900mm2 IT02912 IT02914 IT02915 ID00338 74243 74241 MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841 74242 PDF

    2SC3953-SPICE

    Abstract: 2sa1538 spice 2sc3953 spice 2SC5610 MJE-360 2SC4548 2sk4096 2SB631K 2SC5706 equivalent 2SC2911-SPICE
    Contextual Info: 12A02CH-SPICE -* SANYO 12A02CH SPICE PARAMETER * .LIB 12A02CH * DATE : 2006/12/26 * Temp = 27 deg .MODEL 12A02CH PNP +NF = 1.0 IS VAF = 110.0f


    Original     		12A02CH-SPICE 12A02CH 12A02CH 2SB1205 2SB1205 2SC3953-SPICE 2sa1538 spice 2sc3953 spice 2SC5610 MJE-360 2SC4548 2sk4096 2SB631K 2SC5706 equivalent 2SC2911-SPICE PDF

    TA-3843

    Abstract: SBS007M CPH5818 MCH3339 N7447
    Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 4 7 A CPH5818 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7447 とさしかえてください。 CPH5818 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード


    Original     		CPH5818 N7447 MCH3339 SBS007M 600mm2 IT02953 IT05891 IT02955 IT02956 TA-3843 SBS007M CPH5818 MCH3339 N7447 PDF

    TA-3843

    Abstract: MOSFET MCH33 N7447 CPH5818 MCH3339 SBS007M TA384
    Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 4 7 A CPH5818 No. N 7 4 4 7 A 91003 半導体ニューズ No. N7447 とさしかえてください。 CPH5818 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード


    Original     		CPH5818 N7447 MCH3339 SBS007M 600mm2 IT02953 IT05891 IT02955 IT02956 TA-3843 MOSFET MCH33 N7447 CPH5818 MCH3339 SBS007M TA384 PDF

    TA3100

    Abstract: MCH3405 MCH5801 SBS007M N6941
    Contextual Info: 注文コード No. N 6 9 4 1 MCH5801 No. N6941 62501 新 MCH5801 特長 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3405）とショットキバリアダイオード


    Original     		MCH5801 N6941 MCH3405 SBS007M 900mm2 IT02912 IT02914 IT02915 TA3100 MCH3405 MCH5801 SBS007M N6941 PDF

    MCH3408

    Abstract: MCH5804 SBS007M IT03104
    Contextual Info: 注文コード No. N 6 9 4 2 MCH5804 No. N 6 9 4 2 52101 新 MCH5804 特長 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3408）とショットキバリアダイオード


    Original     		MCH5804 MCH3408 SBS007M 600mm2 IT02953 IT03107 IT02955 IT02956 MCH3408 MCH5804 SBS007M IT03104 PDF