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Katalog CEMI Abstract: OA81 diode byp 660-50r Philips BC147 p 181 transoptor Mullard oa81 Hitachi 12V MS 5A-181 OA81 BA102 diode telefunken hr 780 rds Text: WSTIJP W ydaw nictw a Przem yslu M aszynowego WEMA przekazujq uzytkow nikom branzow y katalog pt. E l e m e n t y pólp rz e w o d n i k o w e , zaw ierajqcy dokladne inform acje techniczne dotycz^ce elem entów pólprzew odnikow ych produkow anych w Polsce n a skal^ przem yslow ^. W szystkie w yroby	OCR Scan		PDF
VEB mikroelektronik Abstract: Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft Text: m B Ik i^ ts je le l-c te n o r iil-c information Applikation m l^ o e le l-c fe n a riil-c Information Applikation H EFT 17 LEISTUNGSELEKTRONIK 4 Die sicheren A rbeitsbereiche Leistungsschalttransistoren VEB MIKROELEKTRONIK „VARLIIE8KNECHT“57AHNSDORP	OCR Scan	57AHNSDORP VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft	PDF
BC147 Abstract: BC148 BC149 npn bc147 BC157 tranzystor BC148 BC158 BC-148 tranzystor BC147 BC159 Text: T R A N Z Y S T O R Y n-p-n * BC147, BC148 i BC149 2 -74/2 SWW 1156-211 T ranzystory krzem ow e ep ip lan arn e m aiej mocy m alej cz^stotliwosci. T ranzystory BC147 i BC148 przeznaczone do stosow ania w zakresie czQstotliwoäci akustycznej w ukladzie przedw zm acniacza oraz w stopniach nap^dzaj^cych driver .	OCR Scan	BC147, BC148 BC149 BC147 BC149 BC157, npn bc147 BC157 tranzystor BC148 BC158 BC-148 tranzystor BC147 BC159	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: Sinsim In-line Package .\ Brida»Dfodar • ■;>. O U T L IN E DIM EN SIO N S D5SBG 600V 6A ■ Ë fê ï? RA TIN G S A b s o lu te Maxim um R a tin g s i ST? . Symbol Conditions Item ‘— % - —— ” Ty pe No. - LZZ	OCR Scan	5SB60 5SB20 fl21e	PDF
N2219 Abstract: 2N2219 F133 2N2218 2N2218A Q62702-F109 Q62702-F133 Q62702-F59 Q62702-S29 siemens 2218 Text: 2SC D • öBBSbQS GQGMßflQ 2 H S I E G - 7 ^ -3 5 '-/^ NPN Silicon Planar Transistors 2 N 2218 2 N 2219 - SIEMENS AKTIENGESELLSCHAF- 2 N 2218 A 2 IM2219 A 2 N 2218,2 N 2219,2 N 2218 A, and 2 N 2219 Aare epitaxial NPN silicon Planartransistors	OCR Scan	AKTIENGESELLSCHAF-2N2218A Q62702-F109 Q62702-F133 Q62702-S29 Q62702-F59 2N2218 2N2219 fl235J /cc-30 102mA N2219 F133 2N2218A Q62702-F59 siemens 2218	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: 25C D • öBBSbQS GQGMßflQ 2 H S I E G - 7 ^ -3 5 '-/^ NPN Silicon Planar Transistors 2 N 2218 2 N 2219 -SIEMENS AKTIENGESELLSCHAF- 2 N 2218 A 2 IM2219 A 2 N 2 2 1 8 ,2 N 2 2 1 9 ,2 N 2 2 1 8 A, and 2 N 2 2 1 9 A a re epitaxial NPN silicon Planartransistors	OCR Scan	IM2219 fl23SbOS 102mA	PDF