ELM34400AA Search Results

Contextual Info: Single N-channel MOSFET ELM34400AA-N •General description ■Features ELM34400AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=30V Id=10A Rds(on) < 12.5mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 20mΩ (Vgs=4.5V)

ELM34400AA-N

Abstract: B 9 1AT S5080
Contextual Info: N MOSFET ELM34400AA-N u m m ELM 34400A A -N • Vds=30V ON ^ V MOS FET • Id=10A • Rds on < 12.5mQ (Vgs=10V) • Rds(on) < 20mQ (Vgs=4.5V) fE ^ Vds Vgs IIS v u ^ 'y Ta=25°C Ta=70°C Id /v v .x • Idm Ta=25°C Ta=70°C Pd Tj, T stg • « 30 ±20 10

ELM34400AA

Contextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM34400AA-N •概要 ■特点 ELM34400AA-N 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=10A ·Rds on < 12.5mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 20mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值

Contextual Info: シングル N チャンネル MOSFET ELM34400AA-N •概要 ■特長 ELM34400AA-N は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=10A ・ Rds on < 12.5mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 20mΩ (Vgs=4.5V)

Contextual Info: Single N-channel MOSFET ELM34400AA-N •General description ■Features ELM34400AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=30V Id=10A Rds(on) < 12.5mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 20mΩ (Vgs=4.5V)