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pd1503yvs Abstract: pd1503 Contextual Info: Dual N-channel MOSFET with schottky diode ELM341503A-N •General description ■Features ELM341503A-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. Q2 • Vds=30V • Id=9A(Vgs=10V) • Rds(on)<15.8mΩ(Vgs=10V)	Original	ELM341503A-N ELM341503A-N PD1503YVS 00E-01 00E-02 Oct-28-2009 pd1503yvs pd1503	PDF
ELM341503A Contextual Info: 内藏肖特基二极管双 N 沟道 MOSFET ELM341503A-N •概要 ■特点 ELM341503A-N 是 N 沟道低输入电容，低工作电压，低导通电阻的大电流双沟道 MOSFET。 Q2 Q1 •Vds=30V ·Id=9A Vgs=10V ·Vds=30V ·Id=8A(Vgs=10V) ·Rds(on)<15.8mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on)<21.0mΩ(Vgs=10V)	Original	ELM341503A-N PD1503YVS 00E-01 00E-02 Oct-28-2009 ELM341503A	PDF
pd1503 Contextual Info: デュアルパワー N チャンネル MOSFET ショットキーダイオード付き ELM341503A-N •概要 ■特長 ELM341503A-N は低入力容 Q2 Q1 量低電圧駆動、低オン抵抗と • Vds=30V • Vds=30V いう特性を備えた大電流デュア	Original	ELM341503A-N 00E-01 00E-02 Oct-28-2009 pd1503	PDF

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pd1503yvs

Abstract: pd1503
Contextual Info: Dual N-channel MOSFET with schottky diode ELM341503A-N •General description ■Features ELM341503A-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. Q2 • Vds=30V • Id=9A(Vgs=10V) • Rds(on)<15.8mΩ(Vgs=10V)

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ELM341503A-N ELM341503A-N PD1503YVS 00E-01 00E-02 Oct-28-2009 pd1503yvs pd1503

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ELM341503A

Contextual Info: 内藏肖特基二极管双 N 沟道 MOSFET ELM341503A-N •概要 ■特点 ELM341503A-N 是 N 沟道低输入电容，低工作电压，低导通电阻的大电流双沟道 MOSFET。 Q2 Q1 •Vds=30V ·Id=9A Vgs=10V ·Vds=30V ·Id=8A(Vgs=10V) ·Rds(on)<15.8mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on)<21.0mΩ(Vgs=10V)

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Contextual Info: デュアルパワー N チャンネル MOSFET ショットキーダイオード付き ELM341503A-N •概要 ■特長 ELM341503A-N は低入力容 Q2 Q1 量低電圧駆動、低オン抵抗と • Vds=30V • Vds=30V いう特性を備えた大電流デュア

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