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    ELM16604EA Search Results

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    Text: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM16604EA-S •概要 ■特長 ELM16604EA-S は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=20V Vds=-20V 性を備えた大電流 MOSFET です。


    Original     		PDF ELM16604EA-S

    复合

    Abstract: ELM16604EA
    Text: 复合沟道 MOSFET ELM16604EA-S •概要 ■特点 N 沟道 ELM16604EA-S 是低输入电容低工 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=20V P 沟道 ·Vds=-20V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=3.4A Vgs=4.5V


    Original     		PDF ELM16604EA-S 复合 ELM16604EA

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    Text: Complementary MOSFET ELM16604EA-S •General Description ■Features ELM16604EA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. N-channel • • • • • P-channel Vds=20V Vds=-20V Id=3.4A(Vgs=4.5V) Id=-2.5A(Vgs=-4.5V)


    Original     		PDF ELM16604EA-S ELM16604EA-S

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    Abstract: No abstract text available
    Text: Complementary MOSFET ELM16604EA-S •General Description ■Features ELM16604EA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. N-channel • • • • • Vds=20V Vds=-20V Id=3.4A(Vgs=4.5V) Id=-2.5A(Vgs=-4.5V) Rds(on) < 60mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 110mΩ(Vgs=-4.5V)


    Original     		PDF ELM16604EA-S ELM16604EA-S