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    Text: Dual P-channel MOSFET ELM14801AB-N •General description ■Features ELM14801AB-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • • Vds=-30V Id=-5A (Vgs=-10V) Rds(on) < 48mΩ (Vgs=-10V) Rds(on) < 57mΩ (Vgs=-4.5V)


    Original     		PDF ELM14801AB-N ELM14801AB-N tempLM14801AB-N

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    Text: デュアルパワー P チャンネル MOSFET ELM14801AB-N •概要 ■特長 ELM14801AB-N は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Id=-5A Vgs=-10V MOSFET です。


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    Text: 双 P 沟道 MOSFET ELM14801AB-N •概要 ■特点 ELM14801AB-N 是 P 沟道低输入电容低工作电压、 •Vds=-30V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=-5A Vgs=-10V ·Rds(on) < 48mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 57mΩ (Vgs=-4.5V)


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