ht 648
Abstract: D15XB40 D30VC60 D30vc60 78 436B D180SC7M D20VT60 D360SC3M D15XB20H D15XB40H
Text: - A m % D15XB20H D15XB40H D15XB6Q D15XB60H D20LC20U D20LC40 D20VT60 D20XB20 D20XB60 D25SC6HR D25XB20 D25XB60 D30SC4M D30VC60 D30VT60 D120LC40 D120SC3M D120SC4M D120SC6M D120SC7M D180SC3M D180SC4M D180SC6M D180SC7M D240LC40 D240SC3M D240SC3MH D240SC4M D240SC4MH
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ht 648
D15XB40
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D20VT60
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ci 648
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D15XB60
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D240SC7M
Abstract: D15XB60 D240SC3MH D25XB60 D15XB20H D15XB40H D15XB60H D20LC40 D20VT60 D20XB20
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D15XB60
Abstract: SB JY D360SC3M D15XB20H D15XB40H D15XB60H D20LC40 D20VT60 D20XB20 D25SC6MR
Text: - A m % D15XB20H D15XB40H D15XB6Q D15XB60H D20LC20U D20LC40 D20VT60 D20XB20 D20XB60 D25SC6HR D25XB20 D25XB60 D30SC4M D30VC60 D30VT60 D120LC40 D120SC3M D120SC4M D120SC6M D120SC7M D180SC3M D180SC4M D180SC6M D180SC7M D240LC40 D240SC3M D240SC3MH D240SC4M D240SC4MH
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SB JY
D360SC3M
D15XB20H
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IR P 648 H
Abstract: D20VT60 D15XB40H D20LC20U D360SC3M D15XB20H D15XB60 D15XB60H D20LC40 D20XB20
Text: - A m % D15 XB20H D15 XB40H D15XB6Q D1 5XB60H D 20 LC 20 U a % Pr s m Vr s m kir (V) m nñ m nñ m n ïc V H (V) m is isj # Æ Vr Vi Io (V) (V) ( A) I fsm <°C) (A) 200 4 00 6 00 600 200 15 15 15 15 20 107 c 107 c 10 0c 10 7c 123 c 240 2 40 2 00 240 140
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IR P 648 H
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D15XB40H
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D360SC3M
D15XB20H
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si5sc4m
Abstract: S30S4A SIOVB20 D5FB20 S60S4 D20VT60 s30s3a S30S04M SIOV-B20 S60S3
Text: SfiiÜTt: SHINDENGEN SEMICONDUCTOR ARISTO-CRAFT bb D E J 0^53515 DOPPI? 1 [SI 14 ’I»-«* &• i5 SI0VBI0 SI0VB2Q SIOVB40 SI0VB60 SI5VBI0 SI5VB20 SI5VB40 ,SI5VB60 . S25VBI0 S25VB20 S25VB40 S25VB60 D5FBI0 D5FB20 ,D5FB40 D5FB60 lo A 10 15 25 5 ;.ÌR (max)t
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S60S4
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s30s3a
S30S04M
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S60S3
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S30SC3M
Abstract: D5FB20 si5sc4m s30sc4m S60S4 D20VT60 SI5S03M S30S4A SIOV-B20 SIOVB20
Text: HE-F .-7 'fìLTsZy'j' • s • i5 SI0VBI0 SIOVB20 SIOVB40 SI0VB60 SI5VBI0 SI5VB20 SI5VB40 ,SI5VB60 . S25VBI0 S25VB20 S25VB40 S25VB60 D5FBI.0 D5FB20 ,D5FB40 D5FB60 lo A 10 15 25 5 SEMICONDUCTOR VRM ;• • I f s m " V F (m $ ). v.lR(max,)i - ( V ) .:1¿ i m
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