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8126-1 Abstract: D2004PE ECH8621 Contextual Info: ECH8621 注文コード No. N 8 1 2 6 三洋半導体データシート N ECH8621 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・低オン抵抗。・LIB 用途に最適。・2.5V 駆動。	Original	ECH8621 900mm2 IT08384 900mm2 IT08322 IT08323 8126-1 D2004PE ECH8621	PDF
ss1001 Abstract: MCH3445 MCH5812 SS10015M Contextual Info: MCH5812 Ordering number : ENN7998 MCH5812 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET MCH3445 and a schottky barrier diode (SS10015M)	Original	MCH5812 ENN7998 MCH3445) SS10015M) ss1001 MCH3445 MCH5812 SS10015M	PDF
ECH8621 Contextual Info: ECH8621 Ordering number : ENN8126 N-Channel Silicon MOSFET ECH8621 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • Low ON-resistance. Best suited for lithium battery applications. 2.5V drive. Composite type, facilitating high-density mounting.	Original	ECH8621 ENN8126 900mm20 ECH8621	PDF
MCH3339 Abstract: MCH5823 SS10015M Contextual Info: MCH5823 注文コード No. N 7 7 5 7 三洋半導体データシート N MCH5823 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3339 とショットキバリアダイオード(SS10015M)を 1 パッケージに	Original	MCH5823 MCH3339) SS10015M) 900mm2 D2004PE TB-00001070 IT07151 MCH3339 MCH5823 SS10015M	PDF
MCH3445 Abstract: MCH5812 SS10015M Contextual Info: MCH5812 注文コード No. N 7 9 9 8 三洋半導体データシート N MCH5812 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3445 とショットキバリアダイオード	Original	MCH5812 MCH3445) SS10015M 900mm2 D2004PE TB-00001089 IT07150 IT07152 MCH3445 MCH5812	PDF
MCH3339 Abstract: MCH5823 SS10015M Contextual Info: MCH5823 Ordering number : ENN7757 MCH5823 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with a P-Channel Silicon MOSFET MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)	Original	MCH5823 ENN7757 MCH3339) SS10015M) MCH3339 MCH5823 SS10015M	PDF
ECH8621 Contextual Info: ECH8621 Ordering number : ENN8126 N-Channel Silicon MOSFET ECH8621 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • Low ON-resistance. Best suited for lithium battery applications. 2.5V drive. Composite type, facilitating high-density mounting.	Original	ECH8621 ENN8126 900mm2 ECH8621	PDF