751-1201-ND
Abstract: BPW21R 751-1001-ND 751-1213-ND 751-1013-ND 751-1002-ND BPW41N BPW77NA 751-1015-ND 751-1043-1-ND
Text: NEW! Fig. Package Peak Wavelength nm Bandwidth (nm) Collector Light Current Ica (mA) Typ. View Angle (°) On/Off Time (µs) Digi-Key Part No. 850 930 850 925 825 825 920 920 850 850 850 850 950 950 950 830 620 ~ 980 900 ~ 980 620 ~ 980 875 ~ 1000 620 ~ 960
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Original
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751-1003-ND
751-1004-ND
751-1023-ND
751-1041-ND
751-10TSAL7600
TSFF5210
TSFF5410
TSHF5210
TSHF5410
TSHG6200
751-1201-ND
BPW21R
751-1001-ND
751-1213-ND
751-1013-ND
751-1002-ND
BPW41N
BPW77NA
751-1015-ND
751-1043-1-ND
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Emitter
Abstract: APG2C1-850
Text: APG2C1-850 High Power Single Chip LED APG2C1-850 is a GaAlAs based, high power 850 nm single chip LED in standard emitter package for general application. Specifications • • • • • Structure: GaAlAs Peak Wavelength: 850 nm Optical Output Power: typ. 85 mW
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Original
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APG2C1-850
APG2C1-850
Emitter
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marking "SR"
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4250 Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung • Emissionswellenlänge typ. 850 nm
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Original
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Q65110A6462
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4254 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Homogene Abstrahlung • Typische Peakwellenlänge 850 nm
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Original
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J-STD-020C
Q65110A6462
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232A Wesentliche Merkmale • IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad • Niedriger Wärmewiderstand (Max. 11 K/W) • Schwerpunktwellenlänge 850 nm
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Original
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JS-001-2011
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2012-12-13 High Power Infrared Emitter 850 nm IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4232A Features: Besondere Merkmale: • • • • IR lightsource with high efficiency Low thermal resistance (Max. 11 K/W) Centroid wavelength 850 nm
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Original
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JS-001-2011
D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4235 Wesentliche Merkmale • IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad • niedriger Wärmewiderstand (Max. 9 K/W) • Schwerpunkts-Wellenlänge 850 nm
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Original
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JESD22-A114-E
AEC-Q101-REV-C,
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OHF03847
Abstract: SFH 4232
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232 Wesentliche Merkmale • IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad • niedriger Wärmewiderstand (Max. 9 K/W) • Schwerpunkts-Wellenlänge 850 nm
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Original
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JESD22-A114-E
AEC-Q101-REV-C,
OHF03847
SFH 4232
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2012-01-19 High Power Infrared Emitter 850 nm IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4257R Features: • • • • Besondere Merkmale: Infrared LED with high power output Peak wavelength typ. 850 nm Black coloured TOPLED-package
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Original
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4257R
D-93055
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OHF04132
Abstract: AEC-Q101-REV-C SFH 4232
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232 Wesentliche Merkmale • IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad • Niedriger Wärmewiderstand (Max. 9 K/W) • Schwerpunktwellenlänge 850 nm
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Original
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JESD22-A114-E
AEC-Q101-REV-C,
OHF04132
AEC-Q101-REV-C
SFH 4232
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2013-10-24 High Power Infrared Emitter 850 nm IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4232 Features: Besondere Merkmale: • • • • IR lightsource with high efficiency Low thermal resistance (Max. 9 K/W) Centroid wavelength 850 nm
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Original
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JS-001-2011
AEC-Q101-REV-C,
D-93055
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OHF04132
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236 Wesentliche Merkmale • IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad • niedriger Wärmewiderstand (Max. 9 K/W) • Schwerpunkts-Wellenlänge 850 nm
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Original
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JESD22-A114-E
AEC-Q101-REV-C,
OHF04132
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OHF04132
Abstract: SFH4232 SFH 4232
Text: 2013-01-15 High Power Infrared Emitter 850 nm IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4232 Features: Besondere Merkmale: • • • • IR lightsource with high efficiency Low thermal resistance (Max. 9 K/W) Centroid wavelength 850 nm
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Original
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JS-001-2011
AEC-Q101-REV-C,
D-93055
OHF04132
SFH4232
SFH 4232
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4235 Wesentliche Merkmale • IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad • Niedriger Wärmewiderstand (Max. 9 K/W) • Schwerpunktwellenlänge 850 nm
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Original
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JS-001-2011;
AEC-Q101-REV-C,
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SFH 4232
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-08 High Power Infrared Emitter 850 nm IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.2 SFH 4232 Features: Besondere Merkmale: • • • • IR lightsource with high efficiency Low thermal resistance (Max. 9 K/W) Centroid wavelength 850 nm
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Original
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JS-001-2011
AEC-Q101-REV-C,
D-93055
SFH 4232
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4236
Abstract: SFH4236
Text: 2012-03-27 High Power Infrared Emitter 850 nm IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4236 Features: Besondere Merkmale: • • • • IR lightsource with high efficiency Low thermal resistance (Max. 9 K/W) Centroid wavelength 850 nm
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Original
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JS-001-2011
AEC-Q101-REV-C,
D-93055
4236
SFH4236
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AEC-Q101-REV-C
Abstract: OHF04132
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4235 Wesentliche Merkmale • IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad • Niedriger Wärmewiderstand (Max. 9 K/W) • Schwerpunktwellenlänge 850 nm
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Original
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JESD22-A114-E
AEC-Q101-REV-C,
AEC-Q101-REV-C
OHF04132
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OHF04132
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236 Wesentliche Merkmale • IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad • Niedriger Wärmewiderstand (Max. 9 K/W) • Schwerpunktwellenlänge 850 nm
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Original
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JESD22-A114-E
AEC-Q101-REV-C,
OHF04132
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PDF
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SFH 4232
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232 Wesentliche Merkmale • IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad • Niedriger Wärmewiderstand (Max. 9 K/W) • Schwerpunktwellenlänge 850 nm
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Original
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JS-001-2011;
AEC-Q101-REV-C,
SFH 4232
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fototransistor
Abstract: No abstract text available
Text: 2013-08-14 Infrared-Emitter 850 nm and Si-Phototransistor IR-Emitter (850 nm) und Si-Fototransistor Version 1.0 SFH 7250 Features: Besondere Merkmale: • Available on tape and reel • SMT package with IR emitter (850 nm) and Si-phototransistor • Suitable for SMT assembly
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Original
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D-93055
fototransistor
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ADS8371
Abstract: ADS8371I ADS8371IB ADS8371IBPFBR ADS8371IBPFBT ADS8371IPFBR ADS8371IPFBT VA49
Text: ADS8371 SLAS390 – JUNE 2003 16-BIT, 850-kHz, UNIPOLAR INPUT, MICRO POWER SAMPLING ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER WITH PARALLEL INTERFACE D 850-kHz Sample Rate D 16-Bit NMC Ensured Over Temperature D Zero Latency D Low Power: 110 mW at 850 kHz APPLICATIONS D Medical Instruments
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Original
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ADS8371
SLAS390
16-BIT,
850-kHz,
850-kHz
16-Bit
ADS8371
ADS8371I
ADS8371IB
ADS8371IBPFBR
ADS8371IBPFBT
ADS8371IPFBR
ADS8371IPFBT
VA49
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2013-11-06 Infrared Emitter 850 nm and green GaP-LED (570 nm) Infrarot Sender (850 nm) und grüne GaP-LED (570 nm) Version 1.0 SFH 7251 Features: Besondere Merkmale: • SMT package with IR emitter (850 nm) and green emitter (570 nm) • Suitable for SMT assembly
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Original
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D-93055
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SMB1W-850
Abstract: No abstract text available
Text: SMB1W-850 TECHNICAL DATA High Power LED, SMD AlGaAs SMB1W-850 are AlGaAs High Power LEDs mounted on a cooper heat sink with a 5x5 mm SMD package and molded with epoxy resin. On forward bias, it emits a radiation of typical 430 mW at a peak wavelength of 850 nm.
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Original
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SMB1W-850
SMB1W-850
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Selection Guide - Vertical Cavity Surface Emitting Laser VCSEL Package Style X Part Number (nm) Beam Angle Total (Deg.) Power Output @ |F Typ Units (mA) Page No. SV2637-001 850 4 1.25 mW 10 64 SV5637-001 850 2 1.25 mW 10 68 SMV2637-001 850 6 1.25 mW 10 72
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OCR Scan
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SV2637-001
SV5637-001
SMV2637-001
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