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2SB1721 Abstract: 2SB1721-Z 2sb1721z Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社	Original	2SB1721 2SB1721 O-251MP-3 2SB1721-Z O-252MP-3Z O-251) 100VCE O-252 O-251 2SB1721-Z 2sb1721z	PDF
2SB1721 Abstract: 2SB1721-Z 2sb1721z 2SB172 100VCE Text: データ・シートシリコン・パワー・トランジスタ Silicon Power Transistors 2SB1721 PNP エピタキシアル形シリコン・トランジスタ高速度スイッチング用 2SB1721 は，IC の出力から直接ドライブできるシリコン・パワー・	Original	2SB1721 2SB1721 O-251MP-3 2SB1721-Z O-252MP-3Z O-251) 100VCE O-252) D16287JJ2V0DS00 2SB1721-Z 2sb1721z 2SB172 100VCE	PDF
mc10087f1 Abstract: mc-10041 mc-10043 MC-10087F1-XXX MC-10044 MC-10051BF1 2SC5664 2SC5292 UPC1701C mc-10059 Text: 1／89 Lead-free Semiconductor Product Conditions Renesas Electronics Lead-free Semiconductor Product Conditions August 17, 2010 1.Please inquire of Renesas Electronics sales person about lead-free product status while is not listed in the following table.	Original	IR260/WS260/HS350 IR260/HS350 mc10087f1 mc-10041 mc-10043 MC-10087F1-XXX MC-10044 MC-10051BF1 2SC5664 2SC5292 UPC1701C mc-10059	PDF
2SC5664 Abstract: 2sc5292 NPN transistor SST 117 D1859 2sK4075 TRANSISTOR 2sc945 2SK4075 PC78L05J 2SK3918 2sk3326 Text: Process Trend On-Resistance Reduction with UMOS Technology 1.0 1.0 RDS on (UMOS1 = 1.0) Upper value : Nch 30 V class Lower value : Nch 60 V class 0.8 0.8 1st Generation 0.58 0.64 (Trench) 2nd Generation UMOS 1 Lower On-Resistance 0.46 0.53 3rd Generation	Original	D18597EJ1V0SG 2SC5664 2sc5292 NPN transistor SST 117 D1859 2sK4075 TRANSISTOR 2sc945 2SK4075 PC78L05J 2SK3918 2sk3326	PDF