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    mp2a5100

    Abstract: ya868c12 YA868C15 2sk4004 YG865C10 F5049 diode 3a05 Diode SMD SJ 24 Diode SMD SJ 09 Diode SMD SJ 28
    Text: 富士電機半導体 総 合 カ タ ログ FUJI SEMICONDUCTORS ● パワー MOSFET Power MOSFETs ● 整流ダイオード Rectifier diodes ● パワーデバイス Power devices ● 集積回路 Integrated circuits ● 圧力センサ Pressure sensors


    Original     		RH011h 2007-10B120FIS mp2a5100 ya868c12 YA868C15 2sk4004 YG865C10 F5049 diode 3a05 Diode SMD SJ 24 Diode SMD SJ 09 Diode SMD SJ 28 PDF

    2mbi400u4h-170

    Abstract: 2MBI400U4H ED-4701 MT5F12959 2MBI400U4H170
    Text: SPECIFICATION Device Name : Type Name : Spec. No. Apr. 15 ’05 S.Miyashita Apr. 15 ’05 T.Miyasaka K.Yamada : Y.Seki IGBT MODULE 2MBI400U4H-170 MS5F 6098 MS5F6098 1 a 13 H04-004-07b R e v i s e d Date Classification Apr.-15 -’05 Enactment Oct.-25-’05


    Original     		2MBI400U4H-170 MS5F6098 H04-004-07b P4/13) H04-004-06b H04-004-03a 2mbi400u4h-170 2MBI400U4H ED-4701 MT5F12959 2MBI400U4H170 PDF

    2MBI450U4E-120

    Abstract: 2MBI400U4H-120 2MBI300U4H-120 THYRISTOR TC122 6MBP75RU2A120 2MBI75U4A-120 7MBP75RU2A120 2mbi75u4a120 7MBR25SA120 05 2MBI200U4H-120
    Text: パワーデバイス/Power Devices IGBT • IGBTモジュールの特長 Features of the IGBT Module 第6世代IGBTモジュール Vシリーズ 6th Gen. IGBT Module V-series ■特長 Features パッケージ小型化と出力のパワー UP を実現！


    Original     		max175 2MBI600TN-060V 2MBI450UN-120V 2MBP600UN-120V 2MBI450U4E-120 2MBI400U4H-120 2MBI300U4H-120 THYRISTOR TC122 6MBP75RU2A120 2MBI75U4A-120 7MBP75RU2A120 2mbi75u4a120 7MBR25SA120 05 2MBI200U4H-120 PDF