DSA0094688.pdf by OSRAM

Partial File Text GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) GaAs Infrared Emitter (950 nm) F 0118G Wesentliche Merkmale Features Chipgröße 300 x 300 µm GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit
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