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DSAISS00017663.pdf
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GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale ⢠Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren ⢠Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden ⢠Hohe Zuverlä
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