DSAFRAZ0010688.pdf by Infineon Technologies

Partial File Text GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale · Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren · Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden · Hohe Zuverlässigkeit
Datasheet Type Original
RoHS Unknown
Pb Free Unknown
Lifecycle Unknown
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