DSA00314797.pdf by Infineon Technologies

Partial File Text GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale · Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren · Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden · Hohe Zuverlässigkeit · Gute
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