new bright R288
Abstract: D2578 NFM60R30T222T1 RS8A1002J pm5350 new bright R266 CON10AP DM9161 PM5384-NI Fuse N75
Text: Freescale Semiconductor, Inc. User’s Manual PQ2FADS-ZU-UM Revision 0.0 April 8, 2003 Freescale Semiconductor, Inc. PQ2FADS-ZU User’s Manual PQ2FADS-ZU User’s Manual Motorola, Inc., 2003 For More Information On This Product, Go to: www.freescale.com
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Original
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M216TCN50
M218TCN-19
44MHz
M216TCN-48
00MHz
new bright R288
D2578
NFM60R30T222T1
RS8A1002J
pm5350
new bright R266
CON10AP
DM9161
PM5384-NI
Fuse N75
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FR4 substrat
Abstract: CSSP1 fr4+substrate+1.6mm
Text: Direct Link 1096 Products & Technologies Gehäusetechnologien für SAW-Produkte Januar 2008 Harte Schalen Da SAW-Bauelemente bei der Verarbeitung zu Modulen Drücke von bis zu 100 bar aushalten müssen, sind neue Gehäusetechnologien erforderlich. Damit sich die Oberflächenwellen in SAW-Bauelementen störungsfrei
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d8693
Abstract: RYT Circulators amf-3d-008019.1 miteq amf-3f x-band waveguide isolators ps223 TS0303W3 JSD00114 H-BEND
Text: AST Lagerliste 2010 solange r u n f u a Verk icht! Vorrat re Hohlleiter- und Koaxialbauteile, vom Diplexer bis zu Leistungsverstärker, passive Bauteile wie z.B. Leistungswiderständen oder Dämpfungsglieder, und Kabel bis zu 65 GHz werden mit weit über 50% Preisnachlass angeboten.
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Original
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AM-1598-11166
AM-1607-10231
AM-1013-0
D-86932
d8693
RYT Circulators
amf-3d-008019.1
miteq
amf-3f
x-band waveguide isolators
ps223
TS0303W3
JSD00114
H-BEND
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EN10
Abstract: G003 G008 4 bis 20 mA stromquelle
Text: iC-MFP 8-FOLD FAIL-SAFE P-FET DRIVER Ausgabe A2, Seite 1/14 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ 8-fach Level-Shifter auf bis zu 40 V Ausgangsspannung ♦ Eingänge kompatibel zu TTL- und CMOS-Pegeln, spannungsfest bis 40 V ♦ Spannungshub der Ausgänge einstellbar auf 5 V, 10 V oder
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QFN24
QFN24
EN10
G003
G008
4 bis 20 mA stromquelle
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QFN24
Abstract: 8 fach N-Kanal FET transistor TE 901 EN10 G003 G008 transistor pfad
Text: iC-MFN 8-FOLD FAIL-SAFE N-FET DRIVER Ausgabe A2, Seite 1/13 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ 8-fach Level-Shifter auf bis zu 40 V Ausgangsspannung ♦ Eingänge kompatibel zu TTL- und CMOS-Pegeln, spannungsfest bis 40 V ♦ Spannungshub der Ausgänge einstellbar auf 5 V, 10 V oder
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QFN24
QFN24
8 fach N-Kanal FET
transistor TE 901
EN10
G003
G008
transistor pfad
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AMPMODU II
Abstract: DIN 16901
Text: DIESES ZEICHNUNG5D0KUMENT WIRD DURCH AMP INCORPORATED KONTROLLIERT. AENDERUNGEN, DIE DEN TECHNISCHEN FORTSCHRITT DIENEN, SIND VORBEHALTEN. DEN JEWEILS LETZTGUELTIGEN AENDERUNGSSTAND ERFAHREN SIE AUF ANFRAGE. rar “ roTEormr PASSEND ZU. P73T RÉVISIONS AENDERUNGEN
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SKS 1630N B6U 1090 V16 ZU Electrical Characteristics Symbol Conditions min Electrical Data TAMBIENT = 35°C ; No overload ID Maximum DC current VAC Maximum AC voltage +/-10% VBUS DC Bus voltage PTOTAL Maximum stack power Stack power loss (TAMBIENT = 35°C)
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1630N
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mikroschalter
Abstract: milliohm reedschalter
Text: Reed vs. Mechanische Mikroschalter MEDER electronic Reedschalter im Vergleich zu mechanischen Mikroschaltern Spezifikationen Reedschalter Schaltdistanz bis 40 mm Abstand Berührung Null Entfernung Leistungsaufnahme keine keine Schaltkraft externer Magnetfeld > 5 Gauss Min.
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DIP12
Abstract: No abstract text available
Text: DIP Serie MEDER electronic Umpresste Standard DIP-Reedrelais BESCHREIBUNG Diese Relais zeichnen sich durch die kompakte Bauform aus. Mit den verschiedenen Rasterbelegungen sind kompatible Relais zu allen anderen Herstellern verfügbar. MERKMALE Applikationen
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Original
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EK1200
Abstract: CX1020-N010 Ek1110 EL6731 CX1020-N041 CX1020-0112 CX1020-0110 CX1020-0111 CX1500-M510 CX1030-0121
Text: Dokumentation zu der Hardware des CX1020 / CX1030-Systems CX1020-0xxx CX1020-Nxxx CX1030-0xxx CX1030-Nxxx Version:1.9 Datum: 06.11.2007 Inhaltsverzeichnis Inhaltsverzeichnis 1. Vorwort Hinweise zur Dokumentation 4 Sicherheitshinweise 5 Ausgabestände der Dokumentation
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CX1020
CX1030-Systems
CX1020-0xxx
CX1020-Nxxx
CX1030-0xxx
CX1030-Nxxx
CX1020
CX1030
EK1200
CX1020-N010
Ek1110
EL6731
CX1020-N041
CX1020-0112
CX1020-0110
CX1020-0111
CX1500-M510
CX1030-0121
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DIP12
Abstract: 1a72
Text: DIP Serie MEDER electronic Umpresste Standard DIP-Reedrelais BESCHREIBUNG Diese Relais zeichnen sich durch die kompakte Bauform aus. Mit den verschiedenen Rasterbelegungen sind kompatible Relais zu allen anderen Herstellern verfügbar. MERKMALE Applikationen
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D-78056
Abstract: M-022 Utech Electronics
Text: SnapN RF-coaxial connectors / HF-Koaxialsteckverbinder + Backwards compatible with N connectors + Description Beschreibung SnapN RF-coaxial connectors – SnapN HF-Koaxialsteckverbinder – backwards compatible with N connectors rückwärtskompatibel zu N Steckverbindern
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I-41049
N-1205
D-78056
M-022
Utech Electronics
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LOCTITE 428
Abstract: 543873 ma 1050 LOCTITE 454 Gem cleaner WU-M-392 Loctite 770
Text: A New Lighting Experience • hohe Lebensdauer durch optimales Thermomanagement • sehr hoher Lumenausstoß • hocheffizient bis zu 132 lm/W • einfache Kontaktierung mittels vorkonfektionierter Kabel • Linsenoptik mit verschiedenen Abstrahlwinkeln aufsetzbar
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WU-M-392,
WU-M-392/393/394
LOCTITE 428
543873
ma 1050
LOCTITE 454
Gem cleaner
WU-M-392
Loctite 770
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relais
Abstract: reedrelais meder
Text: REEDRELAIS vs. ANDERE RELAIS MEDER electronic Reedrelais im Vergleich zu Solid-State und mechanischen Relais Spezifikationen Reedrelais Mechanische Relais Schaltzeit 100 µs - 1 ms > 5 ms < 100 µs Lebenserwartung: Low Level 1010 Schaltspiele 106 Schaltspiele
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166500-2
Abstract: No abstract text available
Text: AMP T S 100 Kabelstecker AMP TS 100 Cable Connector In modernen Geraten erfordern die steigende Integration und Verkniipfungsdichte geeignete Steckverbinder fur den Signaltransfer von und zu der Leiterplatte Oder Ruckwandverdrahtung. The ever-increasing integration
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AMP-TS-100-System
166500-2
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filters
Abstract: epcos 565-2 b82722 epcos 565-2 b82725 epcos 565-2 B82721 epcos 565-2 B84299-C B84263-A23-E13 b81121 EPCOS epcos 565-2 b82724 SIEMENS 565-2
Text: Designing the Future Weil viele unterschiedliche elektronische und elektrische Geräte und Anlagen gleichzeitig betrieben werden, sind hohe Anforderungen an ihre Elektromagnetische Verträglichkeit EMV zu stellen. Seit 1.1.1996 gelten mit der EGRichtlinie verbindliche EMV-Schutzziele.
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Einführung MODELL PG-F320W Einstellung BEDIENUNGSANLEITUNG Kurzanleitung DATENPROJEKTOR Verbindungen Grundlegende Bedienung Nützliche Funktionen Anhang WICHTIG • Um bei Verlust oder Diebstahl dieses Projektors eine Meldung zu vereinfachen, sollten Sie die auf der Unterseite des
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PG-F320W
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sil12
Abstract: No abstract text available
Text: SIL Serie MEDER electronic Standard SIL-Reedrelais BESCHREIBUNG Die SIL Relais reduzieren den Platzbedarf verglichen mit DIP Relais um 50 %. Sie haben eine international übliche Pinbelegung und sind damit kompatibel zu fast allen anderen Herstellern. APPLIKATIONEN
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SIL12
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Anwender-Bericht: Eigenschaften und Einsatzmöglichkeiten: Welche Vorteile bringen lagerlose Drehgeber? Lagerlose Drehgeber punkten mit einer ganzen Reihe von Eigenschaften, die sie für zahlreiche Einsätze in der Fabrikautomation interessant machen. Zu den wichtigsten
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Q65110A2437
Abstract: A671 transistor Q62902B0156F222 Q65110A1890 transistor a673 led verde 5mm Q62901B0062 A673 transistor LS M67K-J2L1-1 Q62902B0152F222
Text: LUMINESZENZDIODEN LIGHT EMITTING DIODES LUMINESZENZDIODEN LIGHT EMITTING DIODES Sicherheitshinweise Safety Instructions OSRAM LEDs erreichen aufgrund von neuen Chip-Technologien immer höhere optische Leistungen. Wir empfehlen daher, schon bei der Entwicklung von Geräten, die zu
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B1274 transistor
Abstract: b1274 B1273 transistor B1273 transistor b1274 a1273 B82732-R2142-A30 a1273 transistor B81121 a1273 y transistor
Text: Designing the Future Weil viele unterschiedliche elektronische und elektrische Geräte und Anlagen gleichzeitig betrieben werden, sind hohe Anforderungen an ihre Elektromagnetische Verträglichkeit EMV zu stellen. Seit 1.1.1996 gelten mit der EGRichtlinie verbindliche EMV-Schutzziele.
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nielinger
Abstract: Fleischmann chebyshev mtt siemens heft MAR 735 mosfet pp Siemens MTT philips 1968 MOSFET dynamic
Text: Philips Semiconductors RF transmitting transistor and power amplifier fundamentals 6 6.1 References 4. Hilberg, W., ‘Einige grundsätzliche Betrachtungen zu Breitband-Übertragern’, NTZ, 1966, Heft 9, pp. 527-538. REFERENCES References in the main text
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B82508-B-B6
Abstract: matsushita aluminium capacitors B81133 X2 mkt b81130 x2 siemens ferrit core CHOKE B78108-S1273-K SIEMENS 565-2 B82442 Siemens B81130 B82723 Siemens
Text: Designing the Future Weil viele unterschiedliche elektronische und elektrische Geräte und Anlagen gleichzeitig betrieben werden, sind hohe Anforderungen an ihre Elektromagnetische Verträglichkeit EMV zu stellen. Seit 1.1.1996 gelten mit der EGRichtlinie verbindliche EMV-Schutzziele.
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Abstract: No abstract text available
Text: Einführung MODELL XG-F315X Einstellung BEDIENUNGSANLEITUNG Kurzanleitung DATENPROJEKTOR Verbindungen Grundlegende Bedienung Nützliche Funktionen Anhang WICHTIG • Um bei Verlust oder Diebstahl dieses Projektors eine Meldung zu vereinfachen, sollten Sie die auf der Unterseite des
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XG-F315X
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