UND GATTER Search Results

SCL4013BE

Abstract: VEB mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft v 4013 d mikroelektronik Heft 12 MHF 4013 V4001D ic HEF 4013 Schieberegister
Contextual Info: o = ü = D D [ ] = « [ r q s e l e l - « t e n o n i l - f Integrierte Schaltkreise Funktion und Einsatzmöglichkeiten CMOS-Logikschaltkreise V 4013 D, V 4015 D und V 4027 D C M O S - Logikbaureihe V 40 00 D Heft 3 Funktion und Einsatzm öglichkeiten der

VEB mikroelektronik

Abstract: 4011 BP TOSHIBA V40511D Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 mikroelektronik Heft SCL4001BE information applikation mikroelektronik SCL4030BE SCL4011BE
Contextual Info: ö=ü ] k :n ^ G le l- c t 3 n o n il- c Integrierte Schaltkreise Funktion und Einsatzmöglichkeiten CMOS-Logikschaltkreise V 4001 D, V 4011 D, V 4012 D, V 4023 D und V 4030 D CM OS - Logikbaureihe V 4 0 0 0 D Heft 2 Funktion und Einsatzm öglichkeiten der

quarz

Abstract: Quarzoszillator C-Mos/TTL-kompatibel nf schaltungen telefunken transistoren SN74xx TELEFUNKEN Quarzoszillator EB155A oszillator SN74S124
Contextual Info: EB155A Quarzoszillatoren EB155A Quarzoszillatoren mit TTL- und CMOSSchaltungen Verfasser: Axel Streicher Datum: November 1984 Rev.: A Überarbeitet: Eilhard Haseloff Datum: April 1996 1 Applikationslabor EB155A Quarzoszillatoren Die in diesem Applikationsbericht enthaltenen Angaben und

SN7400

Abstract: SN74H SN74LVT244 SN74S40 SN74BCT25240 and gatter SN7440 SN74ALS00 SN74ALS240 SN74LS240
Contextual Info: EB 214 Ein- und Ausgangskennlinien Verfasser: Peter Forstner Datum: 02.08.94 Rev.: 1.0 Der vorliegende Bericht enthält eine Sammlung der Ein- und Ausgangskennlinien der typischen integrierten Schaltungen aus den verschiedenen Logikfamilien. Über die in den Datenblättern genannten Werte hinaus geben diese Kurven

VEB mikroelektronik

Abstract: E355D D410D mikroelektronik DDR E351D DDR Schaltkreise Transistoren DDR E412D elektronik DDR E345D
Contextual Info: ^ o n ij- c B ip o la r e reise Bipolare digitale Schaltkreise Dekoder, Treiber, Timer Inhaltsverzeichnis Seite Typenübersicht 5 Kurzzeichenübersicht 6 Technische Erläuterungen 7 - Zuverlässigkeit 8 - Definitionen 9 - G renz- und Betriebswerte 12 - Einbau- und Lötvorschriften

DRAM "deep trench" capacitor

Abstract: edram
Contextual Info: S ie m e ns Embedded DRAMs und Ihre Anwendung Dr.-Ing. Jörg Schönfeld, Siemens AG, München q q q q Technologie- und Marktanforderungen angepaßte Systemarchitektur mit eDRAMs Modulares Core-Konzept Anwendungen S ie m e ns Dr.-Ing. J. Schönfeld HL DC PE MC 5

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
Contextual Info: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen­ arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der

mikroelektronik Heft 12

Abstract: SY 185 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 B260D information applikation keramische Werke Hermsdorf mikroelektronik Heft 10 VEB mikroelektronik information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR
Contextual Info: li ii iff li i l •> ■! l l ■! *i n lil i KBD Information Applikation ANSTEUER­ SCHALTKREIS FÜR SCHALTNETZTEILE UND GLEICH­ SPANNUNGSWANDLER — R«ge verstarkm B 260 Informations- und Applikationshefte „M IK R O E LE K TR O N IK " Bisher erschienen:

Contextual Info: SGNTEC TOMS vm m . wmm Lieferprogramm Seite 1 von 4 DSP Group DSPs für digitale Sprachkompression TRUESPEECH und 723 und andere) fü r A n w e n d u n g in d ig ita le n Anrufbeantwortern, Computer-Telefonie, Internet usw. Ìli E S S T ech n o lo gy in i

D410D

Abstract: Scans-048 D10A169 DSAGER00019
Contextual Info: D 410 D I n t e g r i e r t e r k u r z s c h lu ß f e s te r T r e ib e r s c h a lt k r e l s 3 UND-Gatter Der S c h a l t k r e is z e ic h n e t s ic h du rch hohe S t ö r s i c h e r h e i t und Z e r s t ö r f e s t i g k e i t a u s . E r b e s te h t aus 3 UND-Gattern m it 2 , 3

SF HD60

Abstract: ic temperaturregler CMRD4865 miniatur linear potentiometer and gatter CXE DIODE D2425 H12WD4890 hd4850 LR1200480D25R
Contextual Info: DER WELTMARKTEXPERTE FÜR HALBLEITERRELAISTECHNIK Platinenmontage Schaltschrankmontage DIN-Schienenmontage Zusatzmodule E/A-Module Halbleiterrelais • Zusatzmodule • E/A Module C rydom hat einen ausgezeichneten Ruf als Lieferant fortschrittlicher und hochwertiger

nf schaltungen

Abstract: digitale schaltungen EB215 schaltungen and gatter quarz smd N induktiv eilhard haseloff
Contextual Info: EB215 Elektromagnetische Verträglichkeit EB215 EMV-gerechte Gestaltung von Leiterplatten Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: Mai 1993 Rev.: * 1 Applikationslabor EB215 Elektromagnetische Verträglichkeit Die elektromagnetische Verträglichkeit von elektronischen Schaltungen und

B084D

Abstract: DL074D 74LS74N transistor vergleichsliste TRANSISTOR 132D VEB mikroelektronik schlenzig B4761D B761D B176D
Contextual Info: Neue Halbleiterbauelemente KLAUS SCHLENZIG/ DIETER JUNG Operations­ verstärker LowPower- SchottkyReihe KLAUS SCHLENZIG/DIETER JUNG Neue Halbleiter­ bauelemente Operationsverstärker und Low-Power-Schottky-Reihe Militärverlag der D eutschen Demokratischen

Relais ITT

Abstract: DIODE 5TE elektronik DDR bauelemente DDR VEB M ik ro e le k tro n ik VEB Kombinat Transistoren DDR TRANSISTOR KATALOG translog Kombinat VEB A 281
Contextual Info: KOMBINAT VEB ELEKTRO- APPARATE - WERKE BERLIN-TREPTOW O ursalog G Digitale Bausteine M odul 20 In h a ltsverzeich n is Seite Allgemeine Übersicht Konstruktiver und funktioneller Aufbau Systemparameter Zusammenschaltregeln Betriebsdaten ursamat Gefäßsystem

29833

Abstract: F657 SN74ABT657
Contextual Info: EB 207 Parity Bus Transceivers Verfasser: Peter Forstner Datum: 20.08.92 Rev.: 1.0 Dieser Applikationsreport behandelt den Einsatz von bidirektionalen Bustreibern mit eingebauter Paritätsgenerierung und Paritätsprüfung. Neben dem Aufbau derartiger Schaltkreise wird ihre Anwendung gezeigt.

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
Contextual Info: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.

schaltungen

Abstract: digitale schaltungen Und Gatter SN74ALS00 SN74ALS245A SN74HC SN74HC245 SN74HCT245 cmoslogikfamilie SN74ALS03
Contextual Info: EB163A HCT-Schaltungen EB163A Einsatzmöglichkeiten und Grenzen der SN54/74HCT CMOS-Logikfamilie Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 18.04.1985 Überarbeitet: Januar 1996 Rev.: A 1 Applikationslabor EB163A HCT-Schaltungen Dieser Bericht beschreibt die Einsatzmöglichkeiten der High-Speed-CMOS-Familie

VOGT p8

Abstract: tic 2160 triac kaschke fi 270 uaa145 EQUIVALENT UAA145 "direct replacement" TDA1086T telefunken transistor Kaschke Components CQY40 UAA146
Contextual Info: Allgemeines General Seite Page • H I Schaltungen fur Rundfunkempfanger Circuits for radio receivers Seite Page Schaltungen fur die Signalverarbeitung in Fernsehempfangern Circuits for the signal processing in television receivers Seite ■ Page ■ Schaltungen fur Bedienungssysteme in Rundfunk- und

Scans-048

Abstract: DSAGER000249 schaltungen
Contextual Info: ALLGEMEINE HINWEISE ZU DEN TTL-SERIEN 49/54/74 T TL-IC 's sind integrierte Schaltkreise der Digital­ technik. Die Schaltfunktionen werden durch direkte K opp­ lung in Transistor-Transistor-Logik erreicht. Die Gruppenbezeichnung 54 . . . und 74 . . . kenn­

E412D

Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik applikation heft Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft 12 aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik DDR
Contextual Info: innjolkiij ii l _!Il j I h Information Applikation L . i m in i l- c Die vorliegende technische Information dient dea Informati. bedürfnis des Schaltungsentwicklers sowie interessierten Technikers im In- und Ausland eu speziellen aasgewählten Erzeugnissen der Halbleiterbauelemente-Industrie der

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
Contextual Info: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.

AD074452

Abstract: iC-MB3 IC-PROG and gatter MikroC interbus
Contextual Info: FACHBEITRAG SENSOREN 53 Sensorik mit Biss Offene, digitale Schnittstelle für Mess- und Antriebssysteme Im Sensor-Markt findet sich eine Vielzahl etablierter StandardSchnittstellen, die entweder Punkt zu Punkt oder im Busverband die Sensor-Kommunikation mit der Steuerung oder einem Messgerät übernehmen.

DRAM "deep trench" capacitor

Contextual Info: Embedded DRAMs und ihre Anwendung Dr.-Ing. Jörg Schönfeld, Siemens AG, HL DC PE MC, Postfach 80 17 09, D-81617 München email: joerg.schoenfeld@hl.siemens.de 1. Abstract 3. Stand der Technik Dieser Beitrag diskutiert zuerst allgemeine Aspekte von embedded DRAMs [eDRAMs]

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: diode BZW 70-20 VEB mikroelektronik Datenblattsammlung mikroelektronik DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung mikroelektronik applikation information applikation mikroelektronik "halbleiterwerk frankfurt"
Contextual Info: 9 ¡M i n M W V S I I V I S N l l ¥ a Die vorliegenden Datenblätter dienen als Informationsmaterial für Geräteentwickler und Konstrukteure, Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in "den Listen elektronischer Baulemente eingestuften Sortiments.