U783 Search Results
U783 Price and Stock
ROHM Semiconductor BU7831KN-E2IC FULLY INTEG PROC 20VQFN |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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BU7831KN-E2 | Cut Tape | 1 | 1 |
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Infineon Technologies AG IRLU7833MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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IRLU7833 | Tube |
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ROHM Semiconductor BU7839GVW-E2IC AMP CLASS D STEREO 24BGA |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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BU7839GVW-E2 | Reel | 2,500 |
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TE Connectivity CU7833-000Multi-Conductor Cables 55PC0121-22-2/9 |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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CU7833-000 |
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CU7833-000 |
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CU7833-000 |
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CU7833-000 | 1 |
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TURCK Inc GSDM 32-7M (U-78329)GSDM 32-7M, U-78329 |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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GSDM 32-7M (U-78329) | Bulk | 14 Weeks | 1 |
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U783 Datasheets Context Search
Catalog Datasheet | Type | Document Tags | |
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Contextual Info: MT4S300T 東芝トランジスタシリコンゲルマニウムNPNエピタキシャルプレーナ型 MT4S300T 単位: mm ○ UHF~SHF 帯 低雑音増幅用 1.2±0.05 0.9±0.05 • 高利得です。:|S21e|2=18dB 標準 (@f=2GHz) • 高静電破壊耐量:2kV 以上(HBM 法) |
Original |
MT4S300T | |
Contextual Info: 第7章 シンチレーション計数法 各種放射線は医学応用、工学的応用、材料分析などの分野での非 破壊検査、診断用として広く用いられており、放射線検出器の果たす 役割も重要です。放射線の検出方法 1 2)3)4)は、気体または固体の電離作 |
Original |
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Contextual Info: カ タ ロ グ HICSチルドタワー 新時代の冷却システム 10~30℃の冷水を省エネ(省電力)で供給 ●生産装置・研究装置の冷却 ●食品関連装置の冷却 ●空調用顕熱冷却 密閉式冷却塔とチラー(オゾン破壊係数ゼロの冷媒を採用)を一体化し |
Original |
HL-K229-E | |
Contextual Info: 仕 様 C9750-05FCN 型名 C9750-05FCN-C 検出方式 推奨使用範囲 C9750-10FCN C9750-10FCN-C X線非破壊検査 シンチレータ方式 1 検出素子ピッチ 約 25 kV ~ 160 kV 2 0.4 mm 検出幅 256 mm : 640 pixels 検出分解能 512 mm : 1280 pixels |
Original |
C9750-05FCN C9750-05FCN-C C9750-10FCN C9750-10FCN-C RS-422 SFAS0017J12 APR/2015 | |
C9750-10FC
Abstract: L9181-02 C9750 L8121-02 L9421-02 L9931 C9732DK L9191 L10321 csi fop
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Original |
RS-232C RS232C L9421-02 L10101 kV100 L10321 L9631 kV110 L9181-02 C9750-10FC L9181-02 C9750 L8121-02 L9421-02 L9931 C9732DK L9191 L10321 csi fop | |
Contextual Info: 注意 C16JC2 00.6.30 3:10 PM ページ 1 注意 •定格上の注意 1. 使用電圧 圧波形の装置を使用してください。電圧波形の歪みや規定 定格電圧以内でご使用ください。なお、直流定格品を交流電 電圧以上の波高値がコンデンサに印加されると絶縁破壊の原 |
Original |
C16JC2) 50Hz60Hz | |
RCR2350BContextual Info: 8.不具合事例 ・フィルムコンデンサの故障要因と故障モード 故障要因 はく電極タブ構造 故障モード F2D,P2S,H2D ショート ・過電圧,高パルス電圧印加による 誘電体フィルムの絶縁破壊 |
Original |
RCR-2350B RCR2350B | |
Contextual Info: 正特性サーミスタ“ポジアール ”POSITIVE THERMISTORS“Posi-R” 正特性サーミスタ“ポジアール®”ご使用上の注意事項 厳守事項 1.油中水中など液体中での使用は、ポジアール®が破壊することがありますので、ご使用にならないでください。 |
Original |
ZPC4MCE100Dã 1000C | |
Contextual Info: メタライズトポリプロピレン フィルムキャパシタ EPC SERIES 電気機器用フィルムコンデンサ 特 長 ●小型 ●保安機構付き蒸着フィルム採用 (異常な過電圧・発熱等 で絶縁破壊に至った場合 |
Original |
003max. 545Vac 50/60Hz 60sec. 100Vdc) 620Vac 500Vdc) | |
HMC1052 MSOP 10
Abstract: HMC1052
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Original |
HMC1052 HMC10XX HMCI052 HMCI052. HMC1052 MSOP 10 HMC1052 | |
Contextual Info: 最大定格について •最大定格の定義 製品の動作を制限する要因として電圧、電流、温度、消費電力がありますが、当社製品を使用して頂く時には、これらを考慮して頂か ないと製品の劣化・破壊につながる場合があります。その為、当社では最大定格を規定しており、その規定している値を一瞬たりとも越え |
Original |
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Contextual Info: 連 載 セキュリティー機器やロボットを作ろう 〈第 6 回〉ガラス破り検出器の製作 秦 明宏 Akihiro Hata 最近の空き巣犯罪の手口でもっとも多いのは,ガラ 役目を果たしてくれません. ス破りだそうです.これは窓ガラスなどの一部を破壊 |
Original |
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ZUG2203-12A
Abstract: ZUG2206-12A
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Original |
ZUG-12A ZUG2203-12A ZUG2206-12A UL1283 E62388 EN60939 P08208996 LR76849C ZUG2203-12A ZUG2206-12A | |
D74HC04C
Abstract: AVRL101A6R8GT smd diode 1410 AVRL101A1R1N AVR-M1005C6R8N AVRM0603C080M-101N 0215C zener 7.5 B 47 AVRM1005C6R8N avr generator
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Original |
2002/95/EC AVR-M1608C120MT6AB D74HC04C -630A 200pF-0 AVRL101A3R3FT AVRL101A6R8GT D74HC04C smd diode 1410 AVRL101A1R1N AVR-M1005C6R8N AVRM0603C080M-101N 0215C zener 7.5 B 47 AVRM1005C6R8N avr generator | |
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Contextual Info: フラットパネルセンサ C7942CA-22 大受光面 120 x 120 mm C7942CA-22は小型で軽量なデジタルX線イメージセンサです。非破壊検査・バイオケミカル・X線顕微鏡などのキーデバイス として開発されました。高分解能・高品位のデジタルX線画像をリアルタイムでとらえることができます。 |
Original |
C7942CA-22 C7942CA-22ã KACCC0406JA A8406ã KACC1160J07 | |
MLCC AVX
Abstract: ESR 48 AEC-Q200 mlcc AVX MLCC AECQ200
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Original |
AEC-Q200 MLCC AVX ESR 48 AEC-Q200 mlcc AVX MLCC AECQ200 | |
20SE471
Abstract: TND14SE471KT 10n 471k 431k TND20V-221K TND14SE511KT TNR 241K TNR10SE471K-T TNR10SE621K-T TND10SE621KT
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Original |
UL1449 FileE323623 UL1414 FIleE6542612SE FileLR-97864 File118623 1006D 20RH20 DC5060HzAC 8/20s152 20SE471 TND14SE471KT 10n 471k 431k TND20V-221K TND14SE511KT TNR 241K TNR10SE471K-T TNR10SE621K-T TND10SE621KT | |
SiC IGBTContextual Info: 08cj-B-01 参考出展 SiCパワーデバイス SiC Power Devices ◆ SiCの特長 - Siの10倍の破壊電界強度を持つ炭化珪素(SiC)を用いたパワーデバイス - 耐圧600V~1200V系Si-PiNダイオードIGBTを高速なユニポーラ素子に |
Original |
08cj-B-01 600V1200VSi-PiN 00A/cm2 IGBT70% SiC IGBT | |
Contextual Info: Classification REFERENCE SPECIFICATION Part Name Issue № Part № EVQ P0D 07K LIGHT TOUCH SWITCH 11-1 1. 通知事項 1.1 適用される法律および規制 ①本製品はモントリオール議定書で規制されているオゾン層破壊物質を使用部材の製造工程で |
Original |
2002/95/EC) | |
mf5e
Abstract: INTC00 HT66F60 MF5F HT66F60 52QFP
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Original |
HT66Fx0 HA0193T HT66F20/30/40/50 HT66F60 HT66F60) mf5e INTC00 MF5F HT66F60 52QFP | |
Contextual Info: 最大定格について •最大定格の定義 T a =2 5 ℃時 製品の動作を制限する要因として電圧、電流、温度、消費電力がありますが、当社製品を使用して頂く時には、これらを考慮して頂か ないと製品の劣化・破壊につながる場合があります。その為、当社では最大定格を規定しており、その規定している値を一瞬たりとも越え |
Original |
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Contextual Info: 2003 年 10 月 フ ジ ク ラ 技 報 第 105 号 新 製 品 紹 介 光ファイバIDテスタR 光ファイバ伝送路の敷設や保守,撤去を実施す 光レベル測定,損失測定の3種類の機能を実現. る場合,非破壊で特定の光ファイバ心線を判別す |
Original |
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Contextual Info: 16素子Siフォトダイオードアレイ S11212-421 S11212シリーズ S11212-321 S11212-121 S11212-021 X線非破壊検査用の裏面入射型 フォトダイオードアレイ 裏面入射型構造を採用したX線非破壊検査用の16素子Siフォトダイオードアレイです。当社従来品 S5668シリーズ に比 |
Original |
S11212-421 S11212ã S11212-321 S11212-121 S11212-021 S5668ã | |
Contextual Info: 赤外LED L12170 砲弾型パッケージの高出力LED L12170は砲弾型パッケージの赤外LEDです。低価格とともに高出力・高速応答を実現しています。 特長 用途 高出力 赤外照明 高速応答 産業機器 計測機器 |
Original |
L12170 L12170ã KLEDB0412JA KLEDB0377JA KLEDA0096JB KLED1063J05 |