TRANSISTOR U503 Search Results

TRANSISTOR U503 Result Highlights (5)

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TTC5886A	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	NPN Bipolar Transistor / hFE=400~1000 / VCE(sat)=0.22V / tf=120ns
TTA2097	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	PNP Bipolar Transistor / hFE=200~500 / VCE(sat)=-0.27V / tf=60ns
XPQR8308QB	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	N-ch MOSFET, 80 V, 350 A, 0.00083 Ω@10V, L-TOGL
XPQ1R00AQB	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	N-ch MOSFET, 100 V, 300 A, 0.00103 Ω@10V, L-TOGL
TK190U65Z	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	MOSFET, N-ch, 650 V, 15 A, 0.19 Ohm@10V, TOLL

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Catalog Datasheet	MFG & Type	PDF	Document Tags
2sa564 transistor Abstract: 2SA564 transistor 2sa564 datasheet 2sa564 hfe1 2SA564 Q 2SA564 R Text: PNP 三极管/PNP TRANSISTOR 2SA564 特点：HFE 高符合 RoHS 规范 FEATURES: •HIGH HFE ■ROHS COMPLIANT 应用：通用一般放大 APPLICATION: ■GENERAL AMPLIFIER APPLICATION 最大额定值 / ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（TA=25℃）参数/ PARAMETER	Original	PDF	2SA564 -10uA, -100mA, -10mA, -100A, -50mA 2sa564 transistor 2SA564 transistor 2sa564 datasheet 2sa564 hfe1 2SA564 Q 2SA564 R
H547 Abstract: BC547 45V 100mA NPN Transistor BC547 4,5V 100mA NPN Transistor BC547 Text: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON 对应国外型号 BC547 H547 █ 主要用途 TRANSISTOR █ 外形图及引脚排列开关和射频放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃	Original	PDF	BC547 500mW 100mA 100mA, 100MHz H547 BC547 45V 100mA NPN Transistor BC547 4,5V 100mA NPN Transistor BC547
A94 TRANSISTOR Abstract: KSP94 transistor A94 A94 TRANSISTOR PNP Text: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON 对应国外型号 KSP94 H A94 █ 主要用途 TRANSISTOR █ 外形图及引脚排列高压控制应用 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃	Original	PDF	KSP94 625mW -400V -300mA -100AIE -100AVBE -10AIC -300V, A94 TRANSISTOR KSP94 transistor A94 A94 TRANSISTOR PNP
transistor BD140 Abstract: BD140 HSBD140 Text: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON HSBD140 █ 主要用途 TRANSISTOR 对应国外型号 BD140 █ 外形图及引脚排列中功率线性开关 █ 极限值（Ta=25℃） T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃	Original	PDF	HSBD140 BD140 -150mA -500mA, -50mA -30mA transistor BD140 BD140 HSBD140
H2907A Abstract: h2907 KTN2907A SAT-2 Text: PNP SILICON 汕头华汕电子器件有限公司 TRANSISTOR 对应国外型号 KTN2907A H2907A █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列放大开关应用。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃	Original	PDF	KTN2907A H2907A 625mW -600mA -00mA -10AIE -10mAIB -10AIC -150mA -500mA H2907A h2907 KTN2907A SAT-2
HIT5610 Abstract: H5610 H5610 transistor Text: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 HIT5610 H5610 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列作音频放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃	Original	PDF	HIT5610 H5610 750mW -10AIEC -10AIE -10AIC -500mA -80mA HIT5610 H5610 H5610 transistor
VCEO160V Abstract: HS669A 14014B 2SD669A transistor 160v 1.5a npn Text: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 2SD669A HS669A █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列作低频功率放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-126 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃	Original	PDF	2SD669A HS669A O-126 10mAREB= 150mA 500mA 500mA, VCEO160V HS669A 14014B 2SD669A transistor 160v 1.5a npn
transistor bc558 Abstract: H558 500mW 5v transistor BC558 Text: PNP SILICON 汕头华汕电子器件有限公司 TRANSISTOR 对应国外型号 BC558 H558 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列开关视频放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃	Original	PDF	BC558 500mW -100mA -100AIE -10mAIB -100AIC -10mA -100mA transistor bc558 H558 500mW 5v transistor BC558
13005a Abstract: transistor 13005a 13005A TRANSISTOR IC2A 3dd13005a H424-31 H214 3DD13005 A1 transistor Text: NPN 广州金永利电子有限公司 SILICON 对应国外型号 3DD13005A 13005A A1 █ 主要用途 TRANSISTOR █ 外形图及引脚排列高压快速开关 █ 极限值（Ta=25℃） TO-220 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃	Original	PDF	3DD13005A 3005A O-220 H110--16 H214--21 H319--26 H424--31 H529--40 13005a transistor 13005a 13005A TRANSISTOR IC2A 3dd13005a H424-31 H214 3DD13005 A1 transistor
transistor bc557 Abstract: H557 BC557 500mW 5v transistor Text: PNP SILICON 汕头华汕电子器件有限公司 TRANSISTOR 对应国外型号 BC557 H557 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列开关视频放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃	Original	PDF	BC557 500mW -100mA -100AIE -10mAIB -100AIC -10mA -100mA transistor bc557 H557 BC557 500mW 5v transistor
H928S Abstract: H928 KSA928A DSA0045619 transistor ksA928A Text: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 KSA928A H928S █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列作音频放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃	Original	PDF	KSA928A H928S 750mW -100AIE -10mAIB -500mA -30mA H928S H928 KSA928A DSA0045619 transistor ksA928A
2545a Abstract: transistor irf830 HFP830 vdss500v transistor PDTC IRF830 Text: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司对应国外型号 IRF830 HFP830 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列高压高速电源开关。 TO-220 █ 极限值（Ta=25℃） Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃	Original	PDF	IRF830 HFP830 O-220 500VVGS 20VVDS 75VVGS 10VID 2545a transistor irf830 HFP830 vdss500v transistor PDTC IRF830
Transistor 2sb772 Abstract: 2SB772 HS772 VCEO-30V 2SB772 TRANSISTOR Text: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 2SB772 HS772 █ 主要用途 █ 外形尺寸及引脚排列音频放大开关功率放大 █ 极限值（Ta=25℃） TO-126 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃	Original	PDF	2SB772 HS772 O-126 -10VIE Transistor 2sb772 2SB772 HS772 VCEO-30V 2SB772 TRANSISTOR
DTC144E Abstract: 2SC3399 HC144E KSR1204 Text: N PN 汕头华汕电子器件有限公司 D I G I TAL TRANSISTOR 对应国外型号 DTC144E,2SC3399,KSR1204 HC144E █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列开关接口电路等。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92S T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃	Original	PDF	DTC144E 2SC3399 KSR1204 HC144E O-92S 300mW 100mA 10AIE HC144E KSR1204

HD880 Abstract: HB834 KSB834 Text: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON 对应国外型号 KSB834 HB834 █ 主要用途 TRANSISTOR █ 外形图及引脚排列低频功率放大，伴音帧输出及电源调整与 HD880 互补 TO-220 █ 极限值（Ta=25℃） T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃	Original	PDF	KSB834 HB834 HD880 O-220 -50mA, HD880 HB834 KSB834
H8050 Abstract: transistor ss8050 SS8050 ss8050 TRANSISTOR transistor TO-92 SS8050 Transistor h8050 h8050 transistor Transistor 25V 1.5A, 1W H8050 equivalent NPN Transistor TO92 25v Text: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON H8050 █ 主要用途 TRANSISTOR 对应国外型号 SS8050 █ 外形图及引脚排列作便携式收音机 B 类推挽输出 2W 放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃	Original	PDF	H8050 SS8050 100mA 800mA 800mA, 800mA 100AIE 100AIC H8050 transistor ss8050 SS8050 ss8050 TRANSISTOR transistor TO-92 SS8050 Transistor h8050 h8050 transistor Transistor 25V 1.5A, 1W H8050 equivalent NPN Transistor TO92 25v
transistor 2222a Abstract: transistor 2222a to-92 2222A transistor 2222A 10AIE H2222A VCB-60V mps2222a npn transistor MPS2222AH MPS2222A Text: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 MPS2222A H 2222A █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列作音频功率放大，激励级放大开关应用 TO-92 █ 极限值（Ta=25℃） T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃	Original	PDF	MPS2222A 625mW 600mA 10AIE 10mAIB 10AIC transistor 2222a transistor 2222a to-92 2222A transistor 2222A H2222A VCB-60V mps2222a npn transistor MPS2222AH MPS2222A
TRANSISTOR tip122 Abstract: transistorTIP122 HP122 TIP122 100V transistor npn 5a Text: NPN SILICON TRANSISTOR 汕头华汕电子器件有限公司对应国外型号 TIP122 HP122 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列该器件为达林顿三极管内含阻尼二极管，用于高增益电路。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-220 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃	Original	PDF	TIP122 HP122 O-220 TRANSISTOR tip122 transistorTIP122 HP122 TIP122 100V transistor npn 5a
HP127 Abstract: TIP127 Text: PNP SILICON TRANSISTOR 汕头华汕电子器件有限公司对应国外型号 TIP127 HP127 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列该器件为达林顿三极管内含阻尼二极管，用于高增益电路。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-220 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃	Original	PDF	TIP127 HP127 O-220 -120V -100V, HP127 TIP127
ELM32434LA Abstract: No abstract text available Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM32434LA-S •概要 ■特点 ELM32434LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=600V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=2A ·Rds on < 4.4Ω (Vgs=10V) ■绝对最大额定值项目如没有特别注明时, Ta=25℃	Original	PDF	ELM32434LA-S Mar-23-2009 P0260AD O-252 FieldELM32434LA-S ELM32434LA
ELM34404AA Abstract: No abstract text available Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM34404AA-N •概要 ■特点 ELM34404AA-N 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=60V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=5.5A ·Rds on < 55mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 75mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值项目	Original	PDF	ELM34404AA-N P5506BVG SEP-30-2004 ELM34404AA
ELM33405CA Abstract: No abstract text available Text: 单 P 沟道 MOSFET ELM33405CA-S •概要 ■特点 ELM33405CA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=-30V ·Id=-2A ·Rds on < 150mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 250mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值	Original	PDF	ELM33405CA-S PA503EMG OT-23 Mar-22-2006 ELM33405CA
ELM32404LA Abstract: No abstract text available Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM32404LA-S •概要 ■特点 ELM32404LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=12A ·Rds on < 25mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 37mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值项目	Original	PDF	ELM32404LA-S O-252 P2503BDG ELM32404LA
Untitled Abstract: No abstract text available Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM32402LA-S •概要 ■特点 ELM32402LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=20V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=20A ·Rds on < 50mΩ (Vgs=5V) ·Rds(on) < 85mΩ (Vgs=2.5V) ■绝对最大额定值项目	Original	PDF	ELM32402LA-S P5002CDG O-252

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