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SVD12N60F Abstract: svd12n60 SVD12N60T 12A60 12A600V 12A600 SVD12 12A600VRDS Text: SVD12N60T/SVD12N60F 12A600V N沟道增强型场效应管描述 2 SVD12N60T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术 1 制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有	Original	SVD12N60T/SVD12N60F 12A600V SVD12N60T/F O-220-3L O-220F-3L 12A600VRDS SVD12N60T SVD12N60F SVD12N60F svd12n60 SVD12N60T 12A60 12A600 SVD12	PDF

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Abstract: svd12n60 SVD12N60T 12A60 12A600V 12A600 SVD12 12A600VRDS
Text: SVD12N60T/SVD12N60F 12A600V N沟道增强型场效应管描述 2 SVD12N60T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术 1 制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有

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SVD12N60T/SVD12N60F 12A600V SVD12N60T/F O-220-3L O-220F-3L 12A600VRDS SVD12N60T SVD12N60F SVD12N60F svd12n60 SVD12N60T 12A60 12A600 SVD12

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