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    SMD SCHOTTKY DIODEN Search Results

    SMD SCHOTTKY DIODEN Result Highlights (5)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Download Buy
    CUHS20S60 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Schottky Barrier Diode (SBD), 60 V, 2.0 A, US2H Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    CUHS20F60 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Schottky Barrier Diode (SBD), 60 V, 2.0 A, US2H Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    CUHS15S60 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Schottky Barrier Diode (SBD), 60 V, 1.5 A, US2H Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    CUHS15F60 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Schottky Barrier Diode (SBD), 60 V, 1.5 A, US2H Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TRS8E65H Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation SiC Schottky Barrier Diode (SBD), 650 V, 8 A, TO-220-2L Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

    SMD SCHOTTKY DIODEN Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type Document Tags PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: SD101B . SD101C SD101B . SD101C Schottky Barrier Diodes Schottky-Barrier Dioden Version 2010-12-06 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Ø 1.9 40.50 V Glass case Glasgehäuse 3.9 62.5 15 mA DO-35


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    SD101B SD101C DO-35 OD-27 LL101B. LL101C SD101C SD101B PDF

    LL101B

    Abstract: LL101C SD101B SD101C SMD Schottky Dioden
    Text: SD101B . SD101C SD101B . SD101C Schottky Barrier Diodes Schottky-Barrier Dioden Version 2010-12-06 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 40.50 V Glass case Glasgehäuse 3.9 62.5 Ø 1.9 15 mA DO-35


    Original
    SD101B SD101C DO-35 OD-27 LL101B. LL101C LL101B LL101C SD101B SD101C SMD Schottky Dioden PDF

    SMD Dioden

    Abstract: LL101A LL101C SD101A SD101B SD101C SMD Schottky Dioden
    Text: SD101A . SD101C SD101A . SD101C Schottky Barrier Diodes Schottky-Barrier Dioden Version 2006-04-27 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 40.60 V Glass case Glasgehäuse 3.9 62.5 Ø 1.9 15 mA DO-35


    Original
    SD101A SD101C DO-35 OD-27 LL101A. LL101C SMD Dioden LL101A LL101C SD101A SD101B SD101C SMD Schottky Dioden PDF

    glass dioden smd

    Abstract: No abstract text available
    Text: SD101B . SD101C SD101B . SD101C Schottky Barrier Diodes Schottky-Barrier Dioden Version 2012-07-03 Nominal current Nennstrom 15 mA Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 3.9 62.5 Glass case Glasgehäuse ~ DO-35 ~ SOD-27 Weight approx.


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    SD101B SD101C DO-35 OD-27 LL101B. LL101C SD101C SD101B glass dioden smd PDF

    SMD transistor MARK DAR

    Abstract: in-process quality inspections Pharmaceuticals Product TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM MP 1008 es semiconductors cross index Microwave GaAs FET catalogue gate turn off thyristors TRANSISTOR SMD MARKING CODE 8D SMD Schottky Dioden transistor pnp a110
    Text: Einzelhalbleiter Small-Signal Semiconductors Qualitätsmanagement, Qualität und Zuverlässigkeit Quality Management, Quality and Reliability Themenschrift 07.96 Special-Subject Brochure 07.96 Vorwort Preface Der Geschäftszweig Einzelhalbleiter im Unternehmensbereich Halbleiter entwickelt, fertigt und vertreibt ein breites


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    valeo

    Abstract: WEHRLE valeo alternator valeo regulator renault 19 DIODE SMD GEM Bosch 5.7 abs relay hella 0 280 122 001 bosch bosch motronic 1.3
    Text: Autoelektronik Automotive Electronics 2013 / 2014 1 Alle in diesem Katalog angeführten Produkte passen genau zu den Fahrzeugen, bei denen sie angeführt sind. Die Verwendung von Marken und Modellbezeichnungen in diesem Katalog dient ausschließlich dem Zweck, das Fahrzeugmodell zu


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    SKiip 83 EC 125 T1

    Abstract: SKiiP 82 AC 12 T1 SKiiP 81 AN 15 T1 semikron SKHI 22 SPICE MODEL semikron skiip 32 nab 12 T7 SKiip 83 EC 12 1 T1 SKiiP 24 NAB 063 T12 skiip 83 ac 128 BUZ78 equivalent SKIIP 81 AC 12 I T1
    Text: 0 Betriebsweise von Leistungshalbleitern Betriebsweise von Leistungshalbleitern 0.1 Elementare Schaltvorgänge Leistungshalbleiter arbeiten bis auf wenige Sonderanwendungen im Schalterbetrieb. Daraus resultieren grundlegende Prinzipien und Funktionsweisen, die in allen leistungselektronischen


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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAF 51E » • a53SbDS 00M2211 Sflfl » S I E G SIEMENS T-03-0I Schottky-Dioden Schottky Diodes SMD-Bauformen SMD Types Typ Type '/ rrm ^FAV Tj m ax A Vfm V 1RM V mA °c Bestellnummer Ordering code Gehäuse Package Bild Figure LSM 145 G


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    a53SbDS 00M2211 T-03-0I C67047-Z1037-A1 DO-213 C67047-Z1038-A1 DO-215 C67047-Z1039-A1 C67047-Z1040-A1 PDF

    Bat 16-046

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAF bGE ]> 7 ^0 3 - / 3 SIEMENS Dioden Diodes Schottky Dioden Schottky Diodes /R at PF fiA Dual 25 100 < 1 .1 0 < 1.00 20 <400 BAS 125-06 (Dual) 25 100 < 1 .1 0 < 1.00 20 <4 0 0 BAS 125-07 (Dual) 25 100 < 1 .1 0 < 1 .0 0 ' 20 4 90 <0.35


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    14-099R 15-099R OT-23 BAL99 Bat 16-046 PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS AKTIENGESELLSCHÂF bflE » • «235kD5 ODSlMSb SSt B S I E i SIEM EN S T '03' o! Dioden Diodes HF-Schottky-Diode in Beam Lead Technologie RF Schottky Diode in Beam Lead Technology Zero Bias Zero Bias Type BAT 32 Characteristics TA = 25° C Frequency


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    235kD5 OT-23 OT-143 11I181I8I88B PDF

    BFT65

    Abstract: D1279 Siemens 1414 D1275 germanium Germanium drift transistor diode a811 Siemens Halbleiter germanium transistor legiert
    Text: Table of Contents Selection Guide Ordering Codes Inhaltsverzeichnis Typeniibersicht Bestellnummern Scope of Applications Technical Information Quality Specifications Einsatzhinweise Technische Angaben Qualitatsangaben Package Outlines Mounting Instructions


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    TRANSISTOR 131-6 BJ 946

    Abstract: transistor bc 564 transistor Bc 949 datenblatt TRANSISTOR BC 545 MARKING CODE AGS bsp 2000 siemens datenbuch bft99 mmic SMD amplifier marking code 19s TRANSISTOR SMD MARKING CODE bc ru DIODE smd marking 22-16
    Text: Typeniibersicht Selection Guide Bestellnummern Ordering Codes Bestempelung Marking Catalog Technische Angaben « Technical Information Qualitatsangaben Quality Specification Gehause Package Outlines Verarbeitungshinweise Mounting Instructions Verpackungshinweise


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    B3-B3715 B3715-X-X-7600 TRANSISTOR 131-6 BJ 946 transistor bc 564 transistor Bc 949 datenblatt TRANSISTOR BC 545 MARKING CODE AGS bsp 2000 siemens datenbuch bft99 mmic SMD amplifier marking code 19s TRANSISTOR SMD MARKING CODE bc ru DIODE smd marking 22-16 PDF

    JRC 45600

    Abstract: YD 803 SGS 45600 JRC TDA 7277 TDA 5072 krp power source sps 6360 2904 JRC Sony SHA T90 SA philips HFE 4541
    Text: I SEMICON INDEXES Contents and Introduction Manufacturers' Information V O LU M E 3 INTERNATIONAL INTEGRATED CIRCUITS INDEX 15th EDITION 1997 Numerical Listing of Integrated Circuits Substitution Guide U D C 621.382.3 Diagram s THE S E M IC O N INTERNATIONAL INDEXES


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    ZOP033 ZOP035 ZOP036 ZOP037 ZOP038 ZOP039 ZOP045 ZOP042 ZOP041 ZOP043 JRC 45600 YD 803 SGS 45600 JRC TDA 7277 TDA 5072 krp power source sps 6360 2904 JRC Sony SHA T90 SA philips HFE 4541 PDF

    B083D

    Abstract: u82720 A110D TDA4100 ub8830d V40511D taa981 A109D sy 710 IC 7447
    Text: > i ! U O i j q > i a | a S [ ^ ] 0 [ y y H erstellerbetriebe Bei den einzelnen Erzeugnissen werden die Herstellerbetriebe durch die nachfolgend angegebenen Symbole gekennzeichnet: VEB M ik ro e le k tro n ik „K a rl M a r x “ Erfurt L e itb e tr ie b im VEB K o m b in a t M ik ro e le k tr o n ik


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