Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Plastic Fiber Optic Phototransistor Detector Plastic Connector Housing SFH 350 SFH 350V Features • • • • • 2.2 mm aperture holds standard 1000 micron plastic fiber No fiber stripping required Good linearity Sensitive in visible and near IR range
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HFE/HFE25
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fiber optic phototransistor
Abstract: detector 1100 nm SFH 350V phototransistor visible light SFH 350 V Q62702-P1033 Q62702-P264 IC for IR receiver
Text: Plastic Fiber Optic Phototransistor Detector Plastic Connector Housing SFH 350 SFH 350V Features • • • • • 2.2 mm aperture holds standard 1000 micron plastic fiber No fiber stripping required Good linearity Sensitive in visible and near IR range
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Original
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IC/IC25
HFE/HFE25
fiber optic phototransistor
detector 1100 nm
SFH 350V
phototransistor visible light
SFH 350 V
Q62702-P1033
Q62702-P264
IC for IR receiver
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IR SII
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Plastic Fiber O ptic P h o to tran sisto r D etector Plastic C onnector H ousing SFH 350 SFH 350V Features • • • • • 2.2 mm aperture holds standard 1000 micron plastic fiber No fiber stripping required Good linearity Sensitive in visible and near IR range
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HFE25
IR SII
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GEOY6061
Abstract: SFH5130
Text: Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130 Wesentliche Merkmale Features • Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang • Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins • Hohe Empfindlichkeit von 350 nm bis 1100 nm • Runde Fotodiode
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Original
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sfh 3310
Abstract: IEC 61760-1
Text: 2007-05-29 Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit Vλ-Charakteristik Version 1.0 SFH 3310 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 350 . 970 nm • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
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Original
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D-93055
sfh 3310
IEC 61760-1
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sfh5130
Abstract: No abstract text available
Text: Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130 Wesentliche Merkmale Features • Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang • Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins • Hohe Empfindlichkeit von 350 nm bis 1100 nm • Runde Fotodiode
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Original
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GEOY6061
Abstract: SFH5130
Text: Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130 Wesentliche Merkmale Features • Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang • Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins • Hohe Empfindlichkeit von 350 nm bis 1100 nm • Runde Fotodiode
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Original
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Q62702-P5160
Abstract: SFH 3410
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit Vλ-Charakteristik Version 1.1 SFH 3310 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 350 . 970 nm • Package: 3mm Radial (T 1), Epoxy
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Original
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 5130 Wesentliche Merkmale Features • Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang • Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins • Hohe Empfindlichkeit von 350 nm bis 1100 nm
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Original
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SFH 3410
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Si-Fototransistor für den sichtbaren Spektralbereich Silicon NPN Phototransistor for the Visible Spectral Range SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ
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Original
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Q62702-P5160
GEOY6028
SFH 3410
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JEDEC J-STD-020d.01
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-11-14 Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit Vλ-Charakteristik Version 1.0 SFH 3710 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 350 . 950 nm • Very small SMT package • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
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Original
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D-93055
JEDEC J-STD-020d.01
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GEOY6028
Abstract: SFH 3410
Text: NPN-Si-Fototransistor für den sichtbaren Spektralbereich Silicon NPN Phototransistor for the Visible Spectral Range SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ
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Original
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GEOY6028
Abstract: Q62702-P5160 SFH3410 SFH 3410
Text: NPN-Si-Fototransistor für den sichtbaren Spektralbereich im Smart-DIL-Geh. Si-NPN Phototransistor for the Visible Spectral Range in Smart-DIL Package SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm
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Original
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GEOY6314
Abstract: Fotodiode tci 571 Q62702-P936
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode With Very Short Switching Time SFH 216 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 5 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
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Original
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Q62702-P936
GEOY6314
GEOY6314
Fotodiode
tci 571
Q62702-P936
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SFH 3410
Abstract: Radian SFH3410-2
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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Original
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Q65110A1211
Q65110A2653
Q65110A2654
Q65110A2655
720-SFH3410-2/3-Z
3410-2/3-Z
SFH 3410
Radian
SFH3410-2
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SFH 3410
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-04-02 Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit Vλ-Charakteristik Version 1.0 SFH 3410 Features: Besondere Merkmale: • Package: Smart DIL • Especially suitable for applications from 350 nm to 970 nm • Adapted to human eye sensitivity Vλ
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Original
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D-93055
SFH 3410
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3310 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepasst an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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Original
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Fotodiode
Abstract: GEOY6314 Q62702-P936
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode With Very Short Switching Time SFH 216 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 5 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
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Original
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Q62702-P936
Fotodiode
GEOY6314
Q62702-P936
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Q65110A2655
Abstract: SFH 3410 Q65110A1211
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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Original
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sfh 3310
Abstract: 560nm GEOY6446 OHLY0598 npn phototransistor 560nm
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3310 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepasst an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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Original
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GEOY6446
Abstract: OHLY0598 npn phototransistor 560nm
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3310 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepasst an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3310 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepasst an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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SFH 3410
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 940 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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Original
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Q65110A1211
Q65110A2653
Q65110A2654
Q65110A2655
SFH 3410
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