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a1235 Abstract: No abstract text available Text: SCH2310 Ordering number : ENA1235 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET SCH2310 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 1.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.	Original	PDF	SCH2310 ENA1235 PW10s, 900mm A1235-4/4 a1235
A1235 Abstract: A12354 Text: SCH2310 注文コード No. N A 1 2 3 5 三洋半導体データシート N SCH2310 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・1.5V 駆動。・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。	Original	PDF	SCH2310 900mm2 IT11260 --100mA PW10s --400mA 900mm2 IT13773 A1235 A12354

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a1235

Abstract: No abstract text available
Text: SCH2310 Ordering number : ENA1235 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET SCH2310 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 1.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.

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SCH2310 ENA1235 PW10s, 900mm A1235-4/4 a1235

A1235

Abstract: A12354
Text: SCH2310 注文コード No. N A 1 2 3 5 三洋半導体データシート N SCH2310 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・1.5V 駆動。・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。

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SCH2310 900mm2 IT11260 --100mA PW10s --400mA 900mm2 IT13773 A1235 A12354