Q62702Q1745 Search Results

Contextual Info: SIEMENS GaAIAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAIAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Features Wesentliche Merkmale • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IRAnteil

opto 7800

Abstract: E7800 GET06625 Q62702-Q1745 current sensor 7800
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

FP 310

Abstract: Q62902-B155-F222 Siemens LS 3369-fh irl 3034 SCF 5784 KTY 11-5 KTY 20-5 KTY 14-6 Q68000-A7820 LG 57A
Contextual Info: Alphanumerisches Typenverzeichnis Alphanumeric Type Index Achtung: Neue Typenbezeichnung bei Si-Fotodedektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Typ Type Bestellnummer Ordering code 4N25 4N26

E7800

Abstract: GET06625 Q62702-Q1745 sfh4641
Contextual Info: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 SFH 464 1 0.9 .1 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 fet06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Contextual Info: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode GaAIAs Infrared Emitter SFH 464 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified. Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem

BPX osram

Abstract: E7800
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Sehr hoher Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit

fototransistor BPW 39

Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Contextual Info: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.

CP140

Contextual Info: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode GaAIAs Infrared Emitter SFH 464 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem

KTY 88

Abstract: KTY 20-6 Q62902-B152-F222 Q62902-B156-F222 Q62703-N0191 Q62902-B155 Q62702-P1088 Q62702P946 Q62703-N209 Q62902-B155-F222
Contextual Info: Alphanumerische Bestellnummern Q-Nummem Alphanumeric Ordering Codes (Q numbers) Achtung: Neue Typenbezeichnung bei Si-Fotodedektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Bestellnummer Ordering code

7800 opto

Abstract: opto 7800 BPX osram E7800 GETY6625 Q62702-Q1745
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an

Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden

Q62703Q1820

Abstract: Q62703Q5195 20MS Q62702-Q1745
Contextual Info: IR-LUMINESZENZDIODEN INFRARED EMITTERS 3. Emitter im Plastikgehäuse Package T 1¾ λpeak 3. Emitters in Plastic Package ϕ deg. Ie VF nm mW/sr V IRL 81 A 880 ± 25 ≥ 1.0 1.5 SFH 484 SFH 484-2 880 ±8 ≥ 50 ≥ 80 SFH 486 880 ± 11 SFH 485-2 880 SFH 487

SFH 462

Abstract: SFH463 Q62703-Q2186 Q62703-Q2407
Contextual Info: IR-Lumineszenzdioden Infrared Emitters 3. GaAIAs IRED Forts. Package 3. GaAIAs IRED (cont’d) Type <P deg. Ordering code I. mW/sr 3.2 in metal package (A.peak = 880 nm) 3.2 im Metall-Gehäuse (/.De:i, = 880 nm) Vr = 1,5 V (/F = 100 mA) & & Fig. Vf = 1.5 V (/F = 100 mA)

E7800

Abstract: GETY6625 OHLY0598
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden

Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden

E7800

Abstract: GET06625 Q62702-Q1745 marking code diode 04 to-18
Contextual Info: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 SFH 464 1 0.9 .1 GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 fet06625 Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g