Q62702P1690 Search Results

Q62702P1690 Datasheets (1)

Part	ECAD Model	Manufacturer	Description	Curated	Datasheet Type	PDF
Q62702-P1690		Siemens	GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package		Original	PDF

Q62702P1690 Datasheets Context Search

Catalog Datasheet	MFG & Type	PDF	Document Tags
GPL06724 Abstract: GPL06880 Q62702-P0330 Q62702-P1690 q62702p1690 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder	Original	PDF
Q62702-P0330 Abstract: GPLY6724 GPLY6880 Q62702-P1690 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder	Original	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder	Original	PDF
SMR 4000 Abstract: Q62702-P1825 20MS Q62702-P5000 Q62702-P331 Text: IR-LUMINESZENZDIODEN INFRARED EMITTERS 1. Emitter in SMT Package 1. Emitters in SMT λpeak ϕ deg. Ie VF tr nm mW/Sr V ns SFH 4000 950 ± 80 > 1.6 typ. 3.5 at IF = 100 mA 1.5 tP = 20 ms (≤ 1.8) 10 Q62702-P5524 SFH 4010 950 ± 80 > 1.0 (typ. 2.5) at IF = 100 mA	Original	PDF	Q62702-P5524 Q62702-P5525 Q62702-Package Q62702-P5319 Q62702-P5320 SMR 4000 Q62702-P1825 20MS Q62702-P5000 Q62702-P331
fototransistor BPW 39 Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.	Original	PDF	EN60825-1 GETY6091 GPLY6899 GPLY6880 fototransistor BPW 39 fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
GPL06724 Abstract: GPL06880 Q62702-P0330 Q62702-P1690 Text: 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.1 typ 0.9 0.7 1.1 0.5 3.7 3.3 2.4 3.4 3.0 SFH 420 SFH 425 fpl06724 GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package 0.8 0.6 Cathode/Collector marking 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector Approx. weight 0.03 g	Original	PDF	fpl06724 GPL06724 GPL06880 fpl06867 103ff. 169ff. OHR00860 GPL06724 GPL06880 Q62702-P0330 Q62702-P1690
Untitled Abstract: No abstract text available Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package S ho 2.1 1.7 0.1 typ SFH 420 SFH 425 CL 0.9 0.7 •y0.\8my J Cathode/Colledor marking 0.12 / m\|0.6 0.4 Cathode/Colledor Approx. weight 0.03 g Collector/Cathode marking	OCR Scan	PDF	I03ff. 169ff.
SFH415T Abstract: SFH415U Q62703-Q1546 SFH415-T sfh 487-2 Q62703-Q1762 Text: IR-Lumineszenzdioden Gehäuse/Package Infrared Emitters h Type deg. Bestellnummer Ordering code mW/sr 1.3 im SMT-Gehäuse /-peak = 950 nm VF = 1,3 V ( / F = 100 mA) ♦ 8 1.3 in SMT-package (>ipeak = 950 nm) VF = 1.3 V ( / F = 100 mA) SFH420 SFH420-N ±60	OCR Scan	PDF	Q62702-P1690 Q62702-P1132 SFH420 SFH420-N SFH425 Q62702-P330 SFH415 SFH415-S" SFH415-T SFH415-U SFH415T SFH415U Q62703-Q1546 sfh 487-2 Q62703-Q1762
sm 4205 Abstract: 20MS Text: I n f r a r e d E m it te r s IR -L u m in e s z e n z d io d e n 1. Emitters in SMT 1. Em itter in SM T Package Type nm <P deg. SFH 4000 950 ± 80 SFH 4010 950 ±80 SFH 4020 850 : 15 SFH 4080 880 ±80 SFH 420 950 SFH 4211 Ordering code I„ mW/Sr > 1.6 1.5	OCR Scan	PDF	Q62702-P5524 Q62702-P5525 Q62702-P5526 Q62702-P5527 Q62702-P1690 Q62702-P5319 Q62702-P5320 sm 4205 20MS
Untitled Abstract: No abstract text available Text: Opto Semiconductors SFH 420 SFH 425 GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package TjC\J 3.0 h- C O O 2.1 1.7 0.1 typ Q_ 0.9 0.7 0.181y ; _Jm C a th o d e /C o lle cto r m arking 0.12“ j~ SFH 4 20 TOPLED 0.4 C a th o d e /C o lle cto r	OCR Scan	PDF	103ff. 169ff.