Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 80 BPX 82 … 89 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
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TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Text: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111
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GEMY6050
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Q65110A6342
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702
fototransistor BPW 39
SFH415U
sidelooker smd DIODE
transistor smd 3401
SFH 4740
LPT80
BPY62
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STR G 8654
Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
Text: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date
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BPX61
Abstract: GMOY6011 OHLY0598
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 61 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich
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Q62702P0025
BPX61
GMOY6011
OHLY0598
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor Arrays NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Version 1.1 BPX 80, BPX 82 . BPX 89 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1100 nm • Package: Miniature Array, Epoxy • Special: Multiple-digit array package
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D-93055
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tda 6109
Abstract: V23100-V7228-F110 B32650 V23100-V7213-F104 V23100-W1224-A104 V23082-A1005-A401 V23108-A1003-B101 V23104-A1003-B101 V23100-V7228-F104 B32110-F
Text: Katalognummern-Referenz: SCHURICHT-Nummern ⇔ SIEMENS-Nummern Da im Katalog aus drucktechnischen Gründen die Siemensnummern oft nicht zusammenhängend – sondern in Produktgruppen- und Einzelexemplar-Teil aufgetrennt – dargestellt sind, finden Sie hier in einer großen Tabelle für jedes Bauteil die SCHURICHT- und die SIEMENS-Nummern
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B57236S509M"
Q67000A8118
Q67000A8183
Q67000A9094
Q670008237
Q67000A9108
Q67000A9062
Q67000A8187
Q67000A9003
Q67000A9059
tda 6109
V23100-V7228-F110
B32650
V23100-V7213-F104
V23100-W1224-A104
V23082-A1005-A401
V23108-A1003-B101
V23104-A1003-B101
V23100-V7228-F104
B32110-F
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TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
Text: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com
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GEXY6713
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
DIODE B-10
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702
TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28
TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM
SFH4450
GEOY6969
SFH 4232
SFH 4740
702 transistor smd code
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GMOY6011
Abstract: OHLY0598
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 61 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich
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Q62702P0025
GMOY6011
OHLY0598
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Q62702P0022
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 80 BPX 82 …89 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
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Q62702P0022
Abstract: BPX osram
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 80 BPX 82 … 89 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
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Abstract: No abstract text available
Text: 2011-05-27 Silicon NPN Phototransistor Arrays NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Version 1.0 BPX 80, BPX 82 . BPX 89 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 . 1100 nm • • • • • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
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D-93055
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