Q62702P0025 Search Results

Q62702P0025 Datasheets Context Search

Catalog Datasheet	MFG & Type	PDF	Document Tags
Untitled Abstract: No abstract text available Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 80 BPX 82 … 89 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy	Original	PDF
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62 Text: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111	Original	PDF	GEMY6050 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
STR G 8654 Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver Text: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date	Original	PDF
BPX61 Abstract: GMOY6011 OHLY0598 Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 61 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich	Original	PDF	Q62702P0025 BPX61 GMOY6011 OHLY0598
Untitled Abstract: No abstract text available Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor Arrays NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Version 1.1 BPX 80, BPX 82 . BPX 89 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1100 nm • Package: Miniature Array, Epoxy • Special: Multiple-digit array package	Original	PDF	D-93055
tda 6109 Abstract: V23100-V7228-F110 B32650 V23100-V7213-F104 V23100-W1224-A104 V23082-A1005-A401 V23108-A1003-B101 V23104-A1003-B101 V23100-V7228-F104 B32110-F Text: Katalognummern-Referenz: SCHURICHT-Nummern ⇔ SIEMENS-Nummern Da im Katalog aus drucktechnischen Gründen die Siemensnummern oft nicht zusammenhängend – sondern in Produktgruppen- und Einzelexemplar-Teil aufgetrennt – dargestellt sind, finden Sie hier in einer großen Tabelle für jedes Bauteil die SCHURICHT- und die SIEMENS-Nummern	Original	PDF	B57236S509M" Q67000A8118 Q67000A8183 Q67000A9094 Q670008237 Q67000A9108 Q67000A9062 Q67000A8187 Q67000A9003 Q67000A9059 tda 6109 V23100-V7228-F110 B32650 V23100-V7213-F104 V23100-W1224-A104 V23082-A1005-A401 V23108-A1003-B101 V23104-A1003-B101 V23100-V7228-F104 B32110-F
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code Text: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com	Original	PDF	GEXY6713 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
GMOY6011 Abstract: OHLY0598 Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 61 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich	Original	PDF	Q62702P0025 GMOY6011 OHLY0598
Q62702P0022 Abstract: No abstract text available Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 80 BPX 82 …89 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy	Original	PDF
Q62702P0022 Abstract: BPX osram Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 80 BPX 82 … 89 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy	Original	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: 2011-05-27 Silicon NPN Phototransistor Arrays NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Version 1.0 BPX 80, BPX 82 . BPX 89 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 . 1100 nm • • • • • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:	Original	PDF	D-93055