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    N-KANAL TRANSISTOR Search Results

    N-KANAL TRANSISTOR Result Highlights (5)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Download Buy
    TTC5886A Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation NPN Bipolar Transistor / hFE=400~1000 / VCE(sat)=0.22V / tf=120ns Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TTA2097 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation PNP Bipolar Transistor / hFE=200~500 / VCE(sat)=-0.27V / tf=60ns Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    XPQR8308QB Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation N-ch MOSFET, 80 V, 350 A, 0.00083 Ω@10V, L-TOGL Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    XPQ1R00AQB Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation N-ch MOSFET, 100 V, 300 A, 0.00103 Ω@10V, L-TOGL Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TK190U65Z Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-ch, 650 V, 15 A, 0.19 Ohm@10V, TOLL Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

    N-KANAL TRANSISTOR Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    MMFTN123

    Abstract: No abstract text available
    Text: MMFTN123 MMFTN123 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Kanal Logikpegel Feldeffekt-Transistor – Anreicherungstyp N N Version 2011-01-24 Power dissipation – Verlustleistung 1.1 2.9 ±0.1 0.4 Plastic case Kunststoffgehäuse 1


    Original     		PDF MMFTN123 OT-23 O-236) UL94V-0 MMFTN123

    MMFTN138

    Abstract: DSS50V
    Text: MMFTN138 MMFTN138 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Kanal Logikpegel Feldeffekt-Transistor - Anreicherungstyp N N Version 2011-01-24 Power dissipation – Verlustleistung 1.1 2.9 ±0.1 0.4 Plastic case Kunststoffgehäuse 1 1.3±0.1


    Original     		PDF MMFTN138 OT-23 O-236) UL94V-0 MMFTN138 DSS50V

    MMFTN20

    Abstract: No abstract text available
    Text: MMFTN20 MMFTN20 N-Channel Enhancement Vertical D-MOS Transistor N-Kanal Vertikal D-MOS Transistor - Anreicherungstyp N N Version 2010-09-24 Power dissipation – Verlustleistung 1.1 2.9 ±0.1 0.4 Plastic case Kunststoffgehäuse 1 1.3±0.1 2.5 max 3 Type Code


    Original     		PDF MMFTN20 OT-23 O-236) UL94V-0 MMFTN20

    MMFTN170

    Abstract: "igss 10 na"
    Text: MMFTN170 MMFTN170 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Kanal Feldeffekt Transistor – Anreicherungstyp N N Version 2011-01-28 Power dissipation – Verlustleistung 1.1 2.9 ±0.1 0.4 Plastic case Kunststoffgehäuse 1 1.3±0.1 2.5 max 3 Type


    Original     		PDF MMFTN170 OT-23 O-236) UL94V-0 MMFTN170 "igss 10 na"

    MMBT7002

    Abstract: mmbt7002 sot-23
    Text: MMBT7002 MMBT7002 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Kanal Feldeffekt Transistor - Anreicherungstyp N N Version 2011-02-01 Power dissipation – Verlustleistung 1.1 2.9 ±0.1 0.4 Plastic case Kunststoffgehäuse 1 1.3±0.1 2.5 max 3 Type Code


    Original     		PDF MMBT7002 MMBT7002 OT-23 O-236) UL94V-0 mmbt7002 sot-23

    2N7000

    Abstract: 10D3
    Text: 2N7000 2N7000 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Kanal Feldeffekt Transistor – Anreicherungstyp N N Version 2011-02-16 Power dissipation Verlustleistung 18 9 16 S GD 2 x 2.54 Dimensions - Maße [mm] 350 mW Plastic case Kunststoffgehäuse


    Original     		PDF 2N7000 UL94V-0 2N7000 10D3

    SKM200GB122D

    Abstract: skm 191 semikron SKHI 22 AR semikron SKm GAL 123D SEMIKRON SKM 100 GAL 123D semikron SKHI 21 AR SKM300GB123D 062d skm 200 123d transistor SKM200GB101D
    Text: 6. SEMITRANS IGBT Module Insulated Gate Bipolar Transistors Merkmale Typische Anwendungen • MOS-Eingang (spannungsgesteuert) • Motorsteuerung Drehstromantriebsumrichter • N-Kanal • Gleichstrom-Servo- und Roboter-Antriebe • Reihe mit niedriger Sättigungsspannung erhältlich


    Original     		PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: MMFTN3018W MMFTN3018W Silicon N-Channel MOS Field Effect Transistor Silizium N-Kanal MOS Feldeffekt-Transistor N N Version 2011-01-28 2 ±0.1 0.3 1 ±0.1 Type Code 1 1.25±0.1 2.1±0.1 3 2 1.3 Dimensions - Maße [mm] 1=G 2=S 3=D Power dissipation – Verlustleistung


    Original     		PDF MMFTN3018W OT-323 UL94V-0

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: MMBT7002W MMBT7002W N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Kanal Feldeffekt Transistor – Anreicherungstyp N N Version 2011-02-01 2 ±0.1 0.3 1 ±0.1 Type Code 1 1.25±0.1 2.1±0.1 3 2 1.3 Dimensions - Maße [mm] 1=G 2=S 3=D Power dissipation – Verlustleistung


    Original     		PDF MMBT7002W MMBT7002W OT-323 UL94V-0

    din 7985

    Abstract: SKM100GB063D SK 200 GAR 125 schaltung Mosfet wacker SKM181A3 if2t SKM151 SKM181
    Text: 5. SEMITRANS M Leistungs-MOSFET Module Besondere Merkmale Typische Anwendungen Leistungs-MOSFET Module • N-Kanal-Anreicherungstyp • Schaltnetzteile • Kurze innere Verbindungen verhindern • Selbstgeführte Wechselrichter • Gleichstrom-Servo- und Roboter-Antriebe


    Original     		PDF

    smd N fet

    Abstract: top-tech fet P CHANNEL
    Text: Table of Contents Inhaltsverzeichnis Page Seite SIPMOS -Kleinsignal-Transistoren Bedrahtete Bauformen . 2 - N-Kanal-Anreicherungstypen . 2 - P-Kanal-Anreicherungstypen. 2


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    siemens BSM b2

    Abstract: smd zener GD AX transistor fp 1016 79 p Siemens anwendungsbeispiele siemens igbt BSM 25 gb 100 d BTS412A DIODE ZENER BZW 04 TRANSISTOR EN SMD TZ N-Kanal FET BTS542R
    Text: Technische Angaben SIPMOS-Leistungstransistoren und Dioden SIPMOS-Leistungstransistoren Transistoren im Bereich 50 V . 1000 V, 1,5 A . 60 A und 18 mQ . 8 Q. P -K a n a l N-Kanal Produktpalette • • • • • N- und P-Kanal-Anreicherungstypen FREDFET


    OCR Scan     		PDF B152-B6299-X-X-7400 siemens BSM b2 smd zener GD AX transistor fp 1016 79 p Siemens anwendungsbeispiele siemens igbt BSM 25 gb 100 d BTS412A DIODE ZENER BZW 04 TRANSISTOR EN SMD TZ N-Kanal FET BTS542R

    MGF1502

    Abstract: CFY18 CFY13 CFY19 siemens gaas fet cfy11 CFY18-23 CFY16 CFY11 CFY14 CF930
    Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Mikrowelienbauelemente Analoge IS und N-Kanal-Feldeffekttransistoren auf Gallium-Arsenid-Basis Konvent, rechnoiog/e STATE-OF-THE-MT-T. Leuchtanzeigen, Faseropt. Komm., Bildverstärker u.a. Mikrowellentechn. Kfz-Elektronik


    OCR Scan     		PDF CFY19 CFY18-15 CFY18-20 CFY18-23 CFY18-25 CFY18-27 CFY19 CFY20 O-120 CFY16 MGF1502 CFY18 CFY13 siemens gaas fet cfy11 CFY11 CFY14 CF930

    A1306 TRANSISTOR

    Abstract: t a1306 A1306A A3206A A1316-A3 A1318 A1309 a1328 A1013 A1300 transistor
    Text: IEMENS AKTIENGESELLSCHAF 03E J> • -fZ 3 ? - û l ÔB3SbQS DOlSfciBR û BISIEG Leistungstransistoren Power Transistors N-Kanal Anreicherungstypen im Kunststoffgehäuse T0-220 AB N channel enhancement types in plastic package T0-220 AB Typ Type ^DS max fc(max)


    OCR Scan     		PDF O-220 T0-220 C67078- A1300-A2 A1329-A2 A1301-A2 BUZ11 A1301-A3 A1330-A3 A1331-A2 A1306 TRANSISTOR t a1306 A1306A A3206A A1316-A3 A1318 A1309 a1328 A1013 A1300 transistor

    0AB7

    Abstract: BUZ p channel BUZ384
    Text: SIEMENS SIPMOS Leistungstransistoren SIPMOS® Power Transistors FREDFET-Anreicherungstypen mit schneller Inversdiode N-Kanal FREDFET enhancement types with high speed reverse diodes (N channel) Typ Type M ds ^D S(on)m ax Id P tot V n A W Bestellnummer Ordering code


    OCR Scan     		PDF C67078-S1401-A2 C67078-A3207-A2 O-220 O-218 67078-A1100-A2 C67078-A1400-A2 C67078-A3209-A2 C67078-A3210-A2 0AB7 BUZ p channel BUZ384

    FREDFET

    Abstract: 8A74
    Text: SIEMENS AKTIEN6ESELLSCHAF SIE D fl235b05 0 0 4 2 n s SG5 • S I E G -T -3 5 -/ / SIEMENS SIPMOS Leistungstransistoren SIPMOS* Power Transistors FREDFET-Anreicherungstypen mit schneller Inversdiode N-Kanal FREDFET enhancement types with high speed reverse


    OCR Scan     		PDF fl235b05 C67078-S1401-A2 C67078-A3207-A2 C67078-A1102-A2 C67078-A1100-A2 C67078-A1400-A2 C67078-A3209-A2 C67078-A3210-A2 C67078-A1105-A2 C67078-A3205-A2 FREDFET 8A74

    S498

    Abstract: BSS97 BSS95 BSS125 siemens 230 92 BSS 130 BSS 97 s484 S458 BSS components
    Text: <IENENS AKTIEN6ESELLSCHAF 03E D • 023SbOS 001Sb37 4 BISIE6 T^£7~2S' Kleinsignaltransistoren Small-Signal Transistors N-Kanal Anreicherungstypen N channel enhancem ent types K S max) V ti(max) rriA ft P,ot mW G ehäuse P ackage SBS SCS Bestellnummer Ordering co d e


    OCR Scan     		PDF 023SbOS lSb37 Q62702- BSS981' BSS1381Â OT-23 BSS3951Â O-202 BSS100 BSS123 S498 BSS97 BSS95 BSS125 siemens 230 92 BSS 130 BSS 97 s484 S458 BSS components

    transistor buz 36

    Abstract: A1301 transistor Z346 z309 A3206A A1306A z326 A1320A A1610-A2 Z22A
    Text: IEMENS AKTIENGESELLSCHAF 03E D • 7 ^ 3*7-0/ ô23StQS QOlSbBS ö « S I E G Leistungstransistoren Power Transistors N-Kanal Anreicherungstypen im Kunststoffgehäuse T0-220 AB N channel enhancem ent types in plastic package TO-220 AB Typ Type ^DS max V A


    OCR Scan     		PDF 23StQS T0-220 O-220 BUZ10S2 Z72AL Z73AL O-218 transistor buz 36 A1301 transistor Z346 z309 A3206A A1306A z326 A1320A A1610-A2 Z22A

    Q62702-S616

    Abstract: Q62702-S483 BS 240 siemens BSS229 Q62702-S601 Q62702-S489 q62702-s484 Q62702-S455 BSS 130 Q62702-S615
    Text: SIEMENS SIPMOS Kleinsignaltransistoren SIPMOS® Small-Signal Transistors Bedrahtete Bauformen Leaded types Typ Type ^D S m ax ^G S (th ) fa (max) ^ D S {o n )m a x V V mA n N-Kanal-Anreicherungstypen P lot mW Bestellnummer Ordering code Gehäuse Package


    OCR Scan     		PDF BSS295 Q62702-S464 Q62702-S603 Q67000-S061 Q67000-S062 Q62702-S483 Q62702-S615 O-900 Q62702-S505 Q62702-S489 Q62702-S616 BS 240 siemens BSS229 Q62702-S601 q62702-s484 Q62702-S455 BSS 130 Q62702-S615

    n 332 ab

    Abstract: BUZ 29
    Text: SIEMENS SIPMOS* Power Transistors N-Kanal-Anreicherungstypen N channel enhancement types Typ Type C0 SIPMOS*Leistungstransistoren ^D S on m ax n ¡d A P toi W Bestellnummer Ordering code Gehäuse Package Bild Figure C67078-S1312-A2 10-220 AB 8a 5.5 75 0.4


    OCR Scan     		PDF C67078-S1312-A2 C67078-S1341-A2 C67078-S1341-A3 C67078-S1017-A2 C67078-S1315-A2 C67078-S1315-A3 C67078-S3127-A2 C67078-S3118-A2 C67078-S3112-A2 O-220 n 332 ab BUZ 29

    BUZ54

    Abstract: s 271 5A BUZ357 BUZ84A BUZ,271 C67078-S1318-A2 BUZ54A C67078-S1010-A3 C67078-S1010-A2
    Text: SIEM EN S SIPMOS" Leistungstransistoren SIPMOS Power Transistors N-Kanal-Anreicherungstypen N channel enhancement types Typ Type Wds V n ¡o A ^D S on m ax Ptot W Bestellnummer Ordering code Gehäuse Package Bild Figure BUZ 78 800 8.0 1.5 40 C67078-S1318-A2


    OCR Scan     		PDF BUZ80A BUZ84A BUZ53A BUZ54A Orderin04 O-204 T0-218 O-218AA O-218 BUZ54 s 271 5A BUZ357 BUZ,271 C67078-S1318-A2 C67078-S1010-A3 C67078-S1010-A2

    Q62702-S510

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIPMOS Kleinsignaltransistoren SIPMOS®Small-Signal Transistors Bedrahtete Bauformen Leaded Types Typ Type ^DS max. V ^ 3S (thj V (max) mA Iff [» Ä D3 {on) max N-Kanal-Anreicherungstypen . Aot mW Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package 1! Bild Figure


    OCR Scan     		PDF BSS98 Q62702-S464 Q62702-S603 Q67000-S061 Q67000-S062 Q62702-S489 Q67000-S065 Q62702-S458 Q62702-S623 Q62702-S510 Q62702-S510

    sot-223 code marking

    Abstract: marking sSH sot-23 SAs SOT23 marking code SOT23 SSi smd marking code SSs code marking ssi sot-23 marking code SOT23 SSs MARKING code SSi SOT23 SAs SOT-23 marking marking BSs sot23
    Text: S IEM E N S SIPMOS Kleinsignaltransistoren SIPMOS® Small-Signal Transistors SMD-Bauformen SMD types Typ Type Vbs m ax Was(th) ^D(max) ^D S(on)m ax Ptot V V mA n mW N-Kanal-Anreicherungstypen Bestellnummer Ordering code Gehäuse Package Stempel Marking Bild


    OCR Scan     		PDF Q67000-S220 Q67000-S066 Q67000-S273 Q62702-S566 OT-223 OT-23 Q67000-S068 OT-223 sot-223 code marking marking sSH sot-23 SAs SOT23 marking code SOT23 SSi smd marking code SSs code marking ssi sot-23 marking code SOT23 SSs MARKING code SSi SOT23 SAs SOT-23 marking marking BSs sot23

    SPS SMD MARKING CODE

    Abstract: sot-223 code marking sot 23 x 316 sot-23 MARKING CODE SP marking BSs sot23 siemens Q62702-S653 SPS SOT23 Q67000-S075 sot 223 marking code BSP marking BSs sot23
    Text: SIEMENS SIPMOS'Kleinsignaltransistoren SIPMOS* Small-Signal Transistors SMD-Bauformen SMD types Typ Type ^D S m a x ^ G S (th ) V V (max) mA ^ D S (o n )m a x P tot Q mW P-Kanal-Anreicherungstypen Bestellnummer Ordering code Gehäuse Package Stempel Marking


    OCR Scan     		PDF BSS84 Q67000-S075 Q62702-S568 Q67000-S299 OT-223 OT-23 Q67000-S224 Q67000-S088 SPS SMD MARKING CODE sot-223 code marking sot 23 x 316 sot-23 MARKING CODE SP marking BSs sot23 siemens Q62702-S653 SPS SOT23 sot 223 marking code BSP marking BSs sot23