N MOS 80MA Search Results

A0933

Abstract: VEC2601 TC-00000864
Contextual Info: VEC2601 注文コード No. N A 0 9 3 3 三洋半導体データシート N VEC2601 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗の P チャネルおよび P チャネル MOS ドライブ用の小信号 N チャネル MOS 型電界効果トランジスタを

VEC2603

Contextual Info: VEC2603 注文コード No. N A 0 9 3 4 三洋半導体データシート N VEC2603 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗の P チャネルおよび P チャネル MOS ドライブ用の小信号 N チャネル MOS 型電界効果トランジスタを

CPH6619

Abstract: A047
Contextual Info: CPH6619 注文コード No. N A 0 4 7 3 三洋半導体データシート N CPH6619 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの P チャネルおよび P チャネル MOS ドライブ用の小信号 N チャネル MOS 型電界

VEC2901

Contextual Info: VEC2901 Ordering number : ENN8198 VEC2901 TR : NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor FET : N-Channel Silicon MOSFET Switching, Flash Applications Features • • Composite type with an NPN transistor and N-ch MOS-FET contained in one package facilitating high-density mounting.

CPH6605

Contextual Info: 注文コード No. N 7 1 8 3 CPH6605 三洋半導体データシート N CPH6605 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ ロードスイッチング用 ・低オン抵抗超高速スイッチングの P チャネルおよび P チャネル MOS ドライブ用の小信号 N チャネル

SCH2602

Abstract: TA-100972
Contextual Info: SCH2602 注文コード No. N 8 3 2 3 三洋半導体データシート N SCH2602 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗 , 高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを

MCH6628

Contextual Info: 注文コード No. N 7 9 1 9 MCH6628 三洋半導体データシート N MCH6628 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを

WF24

Abstract: TA-3770 MCH6631
Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 4 4 MCH6631 三洋半導体データシート N MCH6631 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを

Contextual Info: TOSHIBA GT80J101 GT 8 0 J 1 01 TO SHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N -C H A N N E L MOS TYPE HIGH POWER SW ITCHING APPLICATIONS. • • • • High Input Impedance High Speed Low Saturation Voltage Enhancement-Mode tf=0.40/¿s Max. V C E (sat) = 3-5V(Max.)

GT80J101

Abstract: 80J101 2-21F1C J101
Contextual Info: TOSHIBA GT80J101 G T 8 0 J 101 TO SHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N -C H A N N E L MOS TYPE HIGH POWER SW ITCHING APPLICATIONS. • High Input Impedance • High Speed • Low Saturation Voltage • Enhancement-Mode tf=0.40^s Max. v CE(sat) = 3-5V (Max.)

Contextual Info: TOSHIBA GT80J101 GT 8 0 J 1 01 TO SHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N -C H A N N E L MOS TYPE HIGH POWER SW ITCHING APPLICATIONS. • • • • High Input Impedance High Speed Low Saturation Voltage Enhancement-Mode tf=0.40/¿s Max. V C E (sat) = 3-5V(Max.)

EMH2603

Abstract: PC-H-600
Contextual Info: EMH2603 注文コード No. N A 0 6 5 7 三洋半導体データシート N EMH2603 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに

2044B

Abstract: GK001T
Contextual Info: GK001T Ordering number : ENN7781 GK001T N-Channel GTBT Switching Regulator Applications Features • • • • • • Adoption of process GTBT Grounded-Trench-MOS assisted Bipolar-mode Field Effect Transistor . High breakdown voltage and high reliablity.

GT80J101

Contextual Info: GT80J101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N − CHANNEL MOS TYPE GT80J101 Unit: mm HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS High Input Impedance High Speed : tf = 0.40µs Max. Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3.5V (Max.) Enhancement−Mode

GT80J101

Contextual Info: GT80J101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N − CHANNEL MOS TYPE GT80J101 Unit: mm HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS l High Input Impedance l High Speed : tf = 0.40µs Max. l Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3.5V (Max.) l Enhancement−Mode

Contextual Info: TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCTS 8,192 WORD X 8 BIT STATIC RAM N-CH AN NEL SILICON GATE M O S TMM2063P-10, TMM2063P-12 TMM2063P-15 D C S C H IP n O tt TheTMM2063Pisa 65,536 bits high speed and low power static random access memory organized as 8,192 words by 8 bits and operates from a single

MBM800E17D

Abstract: MBM800
Contextual Info: Spec.No.IGBT-SP-05002 R0 IGBT MODULE MBM800E17D PRELIMINARY SPECIFICATION Silicon N-channel IGBT OUTLINE DRAWING 1.FEATURES ∗ High speed, low loss IGBT module. ∗ Low driving power due to low input capacitance MOS gate. ∗ Low noise due to ultra soft fast recovery diode.

7149 p

Abstract: SN54M5 54145
Contextual Info: TTL MSI TYPES SN54M5, SN54LSH5. SN74145, SN74LS145 BCD-TO-DECIMAL DECODERS/DRIVERS B U L L E T I N N O . D L -S 7 6 J 1 8 1 S . M A R C H Î 9 7 4 - H E V IS E D O C T O B E R 1 9 7 6 FOR USE AS LAMP, RELAY, OR MOS DRIVERS S N 54145, S N 54LS145 . . . J O R W PAC KAG E

KTK5133S

Contextual Info: KTK5133S SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR TECHNICAL DATA ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS E B L L 3 G H A 2 1 SYMBOL RATING UNIT Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGSS ᴦ20 V DC Drain Current

Contextual Info: SSM6L36FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L36FE Unit: mm ○ High-Speed Switching Applications 1.6±0.05 Low ON-resistance Q1 Nch: Ron = 1.52Ω max (@VGS = 1.5 V) : Ron = 1.14Ω (max) (@VGS = 1.8 V) : Ron = 0.85Ω (max) (@VGS = 2.5 V)

Teledyne Semiconductor

Abstract: AN0110N AN0110NA AN0120N AN0120NA AN0130N AN0130NA AN0140N AN0140NA AN01-10
Contextual Info: 2ÖE D TELEDYNE COMPONENTS • öTlTbOE QQQtabT 7 WÊ î î S ' S ü * îg j“ H AN0130N, AN0140N SEMICONDUCTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE D-MOS FETs 8-CHANNEL ARRAYS ORDERING INFORMATION AN0110NA 100V,100Q 18 Pin Plastic DIP Description each channel AN0120NA

N5880

Contextual Info: TYPES SN74145, SN74LS145, SN54145, SN54LS145 BCD-TO-DECIMAL DECODERS/DRIVERS M A R C H 1 9 / 4 - R E V IS E D D E C E M B E R 1983 FOR USE AS LAMP, R'ELAY, OR MOS D R IV E R S S N 5 41 45 , S N 5 4 L S 1 4 5 . J P A C K A G E 8 N 7 4 1 4 5 . N P A C K A G E

GK001T

Abstract: 2044B
Contextual Info: GK001T 注文コード No. N 7 7 8 1 三洋半導体データシート N GK001T N チャネル GTBT スイッチング電源用 特長 ・GTBT プロセス採用（Grounded-Trench-MOS assisted Bipolar-mode Field Effect Transistor） 。 ・高耐圧・高信頼性である。

Contextual Info: SSM6L36TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L36TU Unit: mm High-Speed Switching Applications 2.1±0.1 Ron = 1.14Ω max (@VGS = 1.8 V) Ron = 0.85Ω (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 0.66Ω (max) (@VGS = 4.5 V) 1 6 2 5 3 4 0.7±0.05