MT4S30 Search Results

MT4S30 Price and Stock

Filter by Manufacturer


Toshiba America Electronic Components MT4S300U(TE85L,O,F X34 PB-F RADIO-FREQUENCY SIGE HE
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
DigiKey	MT4S300U(TE85L,O,F	Digi-Reel	8,870		1	1 $0.76 10 $0.581 100 $0.4476 1000 $0.35673 10000 $0.35673	Buy Now
	MT4S300U(TE85L,O,F	Cut Tape	8,870		1	1 $0.76 10 $0.581 100 $0.4476 1000 $0.35673 10000 $0.35673	Buy Now
	MT4S300U(TE85L,O,F	Reel	6,000		3,000	1 - 10 - 100 - 1000 - 10000 $0.32508	Buy Now
Verical	MT4S300U(TE85L,O,F		475		45	1 - 10 - 100 $0.5363 1000 $0.5075 10000 $0.5075	Buy Now
Chip1Stop	MT4S300U(TE85L,O,F	Cut Tape	475			1 - 10 $0.557 100 $0.428 1000 $0.406 10000 $0.406	Buy Now

MT4S30 Datasheets (9)

Part	ECAD Model	Manufacturer	Description	Curated	Datasheet Type	PDF
MT4S300T		Toshiba	Japanese - Transistors		Original	PDF
MT4S300T		Toshiba	Transistors		Original	PDF
MT4S300U		Toshiba	Transistors		Original	PDF
MT4S300U		Toshiba	Japanese - Transistors		Original	PDF
MT4S300U(TE85L,O,F		Toshiba America Electronic Components	X34 PB-F RADIO-FREQUENCY SIGE HE		Original	PDF
MT4S301T		Toshiba	Transistors		Original	PDF
MT4S301T		Toshiba	Japanese - Transistors		Original	PDF
MT4S301U		Toshiba	Japanese - Transistors		Original	PDF
MT4S301U		Toshiba	Transistors		Original	PDF

MT4S30 Datasheets Context Search

Catalog Datasheet	MFG & Type	PDF	Document Tags
Untitled Abstract: No abstract text available Text: MT4S300T 東芝トランジスタシリコンゲルマニウムＮＰＮエピタキシャルプレーナ型 MT4S300T 単位: mm ○ UHF～SHF 帯低雑音増幅用 1.2±0.05 0.9±0.05 • 高利得です。:\|S21e\|2=18dB 標準 (@f=2GHz) • 高静電破壊耐量:2kV 以上(HBM 法)	Original	PDF	MT4S300T
Untitled Abstract: No abstract text available Text: MT4S301T 東芝トランジスタシリコンゲルマニウムＮＰＮエピタキシャルプレーナ型 MT4S301T 単位: mm ○ UHF~SHF 帯低雑音増幅用 1.2±0.05 0.9±0.05 雑音特性が優れています。:NF=0.57dB 標準 (@f=2GHz) • 高利得です。:\|S21e\|2=19.5dB(標準) (@f=2GHz)	Original	PDF	MT4S301T
Untitled Abstract: No abstract text available Text: MT4S301U TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S301U Unit:mm ○ UHF-SHF Low Noise Amplifier Application FEATURES • Low Noise Figure :NF=0.57dB Typ. (@f=2GHz) • High Gain :\|S21e\|2=18.1dB(Typ.) (@f=2GHz) • 2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits	Original	PDF	MT4S301U
Untitled Abstract: No abstract text available Text: MT4S301T TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S301T UHF-SHF Low Noise Amplifier Application Unit:mm 1.2±0.05 FEATURES 0.52±0.05 4 3 P4 1 1. Collector 2. Emitter 3. Base 4. Emitter 2 TESQ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C	Original	PDF	MT4S301T
Untitled Abstract: No abstract text available Text: MT4S300U 東芝トランジスタシリコンゲルマニウムＮＰＮエピタキシャルプレーナ型 MT4S300U 単位: mm ○ UHF～SHF 帯低雑音増幅用特長 • 雑音特性が優れています。:NF=0.55dB 標準 (@f=2GHz) • 高利得です。:\|S21e\|2=16.9dB(標準) (@f=2GHz)	Original	PDF	MT4S300U
Untitled Abstract: No abstract text available Text: MT4S301Ｕ東芝トランジスタシリコンゲルマニウムＮＰＮエピタキシャルプレーナ型 MT4S301U 単位: mm ○ UHF~SHF 帯低雑音増幅用特長 • 雑音特性が優れています。:NF=0.57dB 標準 (@f=2GHz) • 高利得です。:\|S21e\|2=18.1dB(標準) (@f=2GHz)	Original	PDF	MT4S301ï MT4S301U
Untitled Abstract: No abstract text available Text: MT4S300U TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S300U Unit:mm ○ UHF-SHF Low Noise Amplifier Application FEATURES • Low Noise Figure :NF=0.55dB Typ. (@f=2GHz) • High Gain :\|S21e\|2=16.9dB(Typ.) (@f=2GHz) • 2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits	Original	PDF	MT4S300U
Untitled Abstract: No abstract text available Text: MT4S300T TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S300T UHF-SHF Low Noise Amplifier Application Unit:mm 1.2±0.05 FEATURES 0.52±0.05 4 3 P3 1 1. Collector 2. Emitter 3. Base 4. Emitter 2 TESQ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C	Original	PDF	MT4S300T
GT30F131 Abstract: GT30F124 TK18A60V smd m5 transistor 6-pin SMD TRANSISTOR H2A NPN GT50N322 MARKING SMD PNP TRANSISTOR h2a GT30J124 *30f124 TPCP8R01 Text: SEMICONDUCTOR GENERAL CATALOG Transistors Bipolar Small-Signal Transistors Junction FETs Combination Products of Different Type Devices MOSFETs Bipolar Power Transistors Radio-Frequency Bipolar Small-Signal Transistors Radio-Frequency Small-Signal FETs Radio-Frequency Power MOSFETs	Original	PDF	SCE0004L TTC4116* 2SC4118 TTA1586* 2SA1588 2SC4117 2SA1587 2SC5233 2SC4738 2SA1832 GT30F131 GT30F124 TK18A60V smd m5 transistor 6-pin SMD TRANSISTOR H2A NPN GT50N322 MARKING SMD PNP TRANSISTOR h2a GT30J124 *30f124 TPCP8R01
TA4029CTC Abstract: TA4032FT TB7602TU MT4S300T MT4S300U MT4S301T TA4029TU SOT-24 MT4S300 RFM12U7X Text: 製品カタログ 2011-1 東芝半導体製品カタログ高周波用半導体デバイス SEMICONDUCTOR h t t p : / / w w w . s e m i c o n . t o s h i b a . c o . j p / C O N T E N T S 1 アプリケーション別推奨製品 .3~8	Original	PDF	BCJ0003G BCJ0003F TA4029CTC TA4032FT TB7602TU MT4S300T MT4S300U MT4S301T TA4029TU SOT-24 MT4S300 RFM12U7X
IGBT GT30F124 Abstract: IGBT GT30J124 GT30F124 GT30J124 GT50N322 tk25e06k3 TPCP8R01 TK12A10K3 GT30G124 2SK3075 Text: 東芝半導体製品総覧表 2011 年 1 月版トランジスタバイポーラ小信号トランジスタ接合形 FET 異種混載複合デバイス MOSFET バイポーラパワートランジスタ高周波バイポーラ小信号トランジスタ	Original	PDF	SCJ0004R SC-43) 2SC1815 2SC732TM 2SC1959 2SA1015 2SC2240 2SA970 2SC1815 2SA1015 IGBT GT30F124 IGBT GT30J124 GT30F124 GT30J124 GT50N322 tk25e06k3 TPCP8R01 TK12A10K3 GT30G124 2SK3075
3sk catalog Abstract: TE85L Toshiba Text: Semiconductor Catalog 2012-1 Radio-Frequency Semiconductors SEMICONDUCTOR & STORAGE PRODUCTS http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng C O N T E N T S 1 Recommended Products by Application . 3 to 7 1.1 Cell Phones 1.2 TV Tuners 1.3 Low-Power Radios FRS/GMRS	Original	PDF	BCE0003H 3sk catalog TE85L Toshiba
MT4S300T Abstract: TA4032FT MT3S111TU JAPANESE 2SC TRANSISTOR 2010 MT4S301T TA4029CTC TB7602CTC MT3S111P JAPANESE TRANSISTOR 2SC 2010 2sk3476 Text: 2011-1 PRODUCT GUIDE Radio-Frequency Semiconductors SEMICONDUCTOR h t t p : / / w w w . s e m i c o n . t o s h i b a . c o . j p / e n g C O N T E N T S 1 Recommended Products by Application . 3 to 8 1.1 Cell Phones 1.2 TV Tuners 1.3 FRS/GMRS 1.4 Cordless Phones	Original	PDF	BCE0003F MT4S300T TA4032FT MT3S111TU JAPANESE 2SC TRANSISTOR 2010 MT4S301T TA4029CTC TB7602CTC MT3S111P JAPANESE TRANSISTOR 2SC 2010 2sk3476
MT4S300T Abstract: TGI0910-50 MT3S111P 2SC3136 S8850AF TA4032FT MT4S300U VHF-UHF Band oscillator 2sc5108 MT4S301T Text: SEMICONDUCTOR GENERAL CATALOG Radio-Frequency Devices Radio-Frequency Bipolar Small-Signal Transistors Radio-Frequency Small-Signal FETs Radio-Frequency Power MOSFETs Radio-Frequency Diodes Small-Signal MMICs Radio-Frequency Cell Packs Microwave Semiconductors	Original	PDF	2010/9SCE0004K 2SC1923 MT4S300T TGI0910-50 MT3S111P 2SC3136 S8850AF TA4032FT MT4S300U VHF-UHF Band oscillator 2sc5108 MT4S301T

RFM70U12D Abstract: 2SC3136 RFM70 TGI8596-50 MT4S300T TA4029 TA4032FT TA4029TU TA4029CTC 2SK403 Text: 東芝半導体製品総覧表 2010 年 1 月版高周波デバイス高周波バイポーラ小信号トランジスタ高周波小信号 FET 高周波パワーMOSFET 高周波バイポーラパワートランジスタ高周波ダイオード小信号 MMIC 高周波セルパック	Original	PDF	SCJ0004O 2SC2714 2SC2715 2SC2716 2SC3123 2SC5064 2SC5084 2SC5089 2SC5106 2SC5109 RFM70U12D 2SC3136 RFM70 TGI8596-50 MT4S300T TA4029 TA4032FT TA4029TU TA4029CTC 2SK403
45F122 Abstract: GT30f124 30g122 30f124 IGBT GT30F124 GT30J124 GT45F122 GT30F123 TPCA8023 GT50N322 Text: 東芝半導体製品総覧表 2010 年 1 月版トランジスタバイポーラ小信号トランジスタ接合形 FET 異種混載複合デバイス MOSFET バイポーラパワートランジスタ高周波バイポーラ小信号トランジスタ	Original	PDF	SCJ0004O SC-43) 2SC1815 2SC732TM 2SC1959 2SA1015 2SC2240 2SA970 2SC1815 2SA1015 45F122 GT30f124 30g122 30f124 IGBT GT30F124 GT30J124 GT45F122 GT30F123 TPCA8023 GT50N322
TGI7785-120L Abstract: TA4029TU MT3S11CT TA4029CTC MT4S300T MT4S300U TA4032FT TGI8596-50 TMD7185-2 TGI0910-50 Text: 東芝半導体製品総覧表 2011 年 1 月版高周波デバイス高周波バイポーラ小信号トランジスタ高周波小信号 FET 高周波パワーMOSFET 高周波ダイオード小信号 MMIC 高周波セルパックマイクロ波半導体	Original	PDF	SCJ0004R 2SC2714 2SC5064 2SC5084 2SC5089 2SC5106 2SC5109 MT3S03A MT3S04A MT3S106 TGI7785-120L TA4029TU MT3S11CT TA4029CTC MT4S300T MT4S300U TA4032FT TGI8596-50 TMD7185-2 TGI0910-50