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    MDT10P55B Datasheets (5)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Curated Datasheet Type PDF
    MDT10P55B Micon Design Technology 8-bit micro-controller Original PDF
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    MDT10P55B1P Micon Design Technology 8-bit micro-controller Original PDF
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    MDT10P55B1S

    Abstract: MDT10P55B1P mdt10p55b3p MDT10P55B 000-3FF
    Text: MDT10P55B u Power-on Reset u Power edge-detector Reset This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully u Sleep Mode for power saving static CMOS technology process to achieve higher u 5 types of oscillator can be selected by 1. General Description speed


    Original
    PDF MDT10P55B 600uA 1000ns MDT10P55B1S MDT10P55B1P mdt10p55b3p MDT10P55B 000-3FF

    MDT10P55B1S

    Abstract: mdt10p55b3p MDT10P55B MDT10P55B4P/MDT10P55B4S
    Text: MDT10P55B 1 . 概述 u 内部 RAM 大小:72 字节 这个 8 位基于 EPROM 微控制器是由完全静 态 CMOS 技术设计,集高速体积小、低功 耗和抗高噪声一体的芯片。内存包括 1K 字


    Original
    PDF MDT10P55B MDT10P55B3P/MDT10P55B3S MDT10P55B4P/MDT10P55B4S MDT10P55B1S mdt10p55b3p MDT10P55B MDT10P55B4P/MDT10P55B4S

    MDT10P55B1S

    Abstract: MDT10P55B1P mdt10p55b3p 000-3FF 20MHZ MDT10P55B 1111XXXX ldr 10k mdt10p55b2s
    Text: MDT10P55B 1. 概述 u 内部 RAM 大小:72 字节 这个 8 位基于 EPROM 微控制器是由完全 静态 CMOS 技术设计,集高速体积小、 低功耗和抗高噪声一体的芯片。内存包括 1K 字节 EPROM 和 72 字节静态 RAM。 u 36 条指令


    Original
    PDF MDT10P55B 20MHZ 200ns MDT10P55B1P/MDT10P55B1S MDT10P55B3P/MDT10P55B3S 500uA MDT10P55B1S MDT10P55B1P mdt10p55b3p 000-3FF 20MHZ MDT10P55B 1111XXXX ldr 10k mdt10p55b2s

    WMD011

    Abstract: MDT10p55 MDT10P20 MDT10F841
    Text: 關於 WMD011 修改事宜 一 : 因為新增 Flash 系列產品 MDT10F84 / MDT10F841 , 故修改 WMD011 之軟體到 Ver.2.33 及軔體到 Ver.30D . 目前客戶可能之情況, 舊軔體 Ver.22F 可以搭配新舊軟體使用,但是在 新軟體的新 Device 就無法燒錄, 新軔體就只能搭配新軟體使用; 並且


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    PDF WMD011 MDT10F84 MDT10F841) MDT10P20 MDT10P55 MDT10P55B1 WMD011 MDT10p55 MDT10F841