diode N1004
Abstract: CPH5812 MCH3317 N1004 SBS010M TA-3787 74674
Text: CPH5812 Ordering number : ENN7467A CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained in one package facilitating high-density mounting.
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Original
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CPH5812
ENN7467A
MCH3317)
SBS010M)
diode N1004
CPH5812
MCH3317
N1004
SBS010M
TA-3787
74674
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N7472
Abstract: SBS010M
Text: SBS010M 注文コード No. N 7 4 7 2 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7472 とさしかえてください。 SBS010M ショットキバリアダイオード 15V, 2A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。
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Original
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SBS010M
N7472
100mA,
600mm2
TB-00001016
TA-100516
IT05881
IT05882
IT08545
N7472
SBS010M
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CPH5831
Abstract: MCH3406 SBS010M cph58
Text: CPH5831 注文コード No. N 8 2 2 0 三洋半導体データシート N CPH5831 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用
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Original
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CPH5831
MCH3406)
SBS010M
600mm2
12805PE
TA-100797
IT08545
IT00625
CPH5831
MCH3406
cph58
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diode N1004
Abstract: N1004 diode CPH5812 n1004 TA-3787 MCH3317 SBS010M N2603
Text: CPH5812 Ordering number : EN7467B SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M)
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Original
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CPH5812
EN7467B
MCH3317)
SBS010M)
diode N1004
N1004 diode
CPH5812
n1004
TA-3787
MCH3317
SBS010M
N2603
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diode N1004
Abstract: CPH5822 MCH3312 N1004 SBS010M
Text: CPH5822 Ordering number : ENN7702A CPH5822 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converter applications. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M)
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Original
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CPH5822
ENN7702A
MCH3312)
SBS010M)
diode N1004
CPH5822
MCH3312
N1004
SBS010M
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AN 7468
Abstract: diode N1004 ic 74682 TA-3804 CPH5813 MCH3318 N1004 SBS010M 74682
Text: CPH5813 Ordering number : ENN7468A CPH5813 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3318 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained in one package facilitating high-density mounting.
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Original
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CPH5813
ENN7468A
MCH3318)
SBS010M)
AN 7468
diode N1004
ic 74682
TA-3804
CPH5813
MCH3318
N1004
SBS010M
74682
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74674
Abstract: CPH5812 MCH3317 N1004 SBS010M N2603
Text: CPH5812 注文コード No. N 7 4 6 7 B 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7467A をさしかえてください。 CPH5812 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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PDF
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CPH5812
N7467A
MCH3317
SBS010M
600mm2
73106PE
TC-00000083
N1004
N2603
74674
CPH5812
MCH3317
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SBS010M
Abstract: No abstract text available
Text: SBS010M Ordering number : ENN7472A SBS010M Schottky Barrier Diode 15V, 2A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.32V) (IF=1.0A, VF max=0.35V).
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Original
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SBS010M
ENN7472A
SBS010M
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N1004
Abstract: N7468 74682 CPH5813 MCH3318 SBS010M 74685 TA-3804
Text: CPH5813 注文コード No. N 7 4 6 8 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7468 とさしかえてください。 CPH5813 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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PDF
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CPH5813
N7468
MCH3318
SBS010M
600mm2
N1004
TA-3804
IT05904
N7468
74682
CPH5813
MCH3318
74685
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N1004
Abstract: CPH5822 MCH3312 SBS010M cph58
Text: CPH5822 注文コード No. N 7 7 0 2 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7702 とさしかえてください。 CPH5822 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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PDF
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CPH5822
N7702
MCH3312
SBS010M
600mm2
N1004
TA-100872
IT05904
CPH5822
MCH3312
cph58
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N7472
Abstract: SBS010M
Text: SBS010M 注文コード No. N 7 4 7 2 A 三洋半導体ニューズ 半導体ニューズ No. N7472 とさしかえてください。 SBS010M ショットキバリアダイオード 15V, 2A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。
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Original
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SBS010M
N7472
100mA,
600mm2
TB-00001016
TA-100516
IT05881
IT05882
IT08545
N7472
SBS010M
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MCH3406
Abstract: SBS010M CPH5831
Text: CPH5831 Ordering number : ENN8220 CPH5831 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converters. Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET MCH3406 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained
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Original
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CPH5831
ENN8220
MCH3406)
SBS010M)
MCH3406
SBS010M
CPH5831
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