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Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7647 VEC2301 P-Channel Silicon MOSFET VEC2301 General-Purpose Switching Device Applications Preliminary • • unit : mm 2227 [VEC2301] Bottom View Top View 0.3 8 0.25 2.8 • Best suited for load switches. Low ON-resistance. 2.5V drive.
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Original
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ENN7647
VEC2301
VEC2301]
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VEC2819
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2819 Ordering number : ENA0536A SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2819 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features DC / DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package
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Original
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VEC2819
ENA0536A
A0536-6/6
VEC2819
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A1045
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2905 注文コード No. N A 1 0 4 5 三洋半導体データシート N VEC2905 PNP エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス
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Original
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VEC2905
900mm2
20608PE
TC-00001176
A1045-1/6
IT06424
--12A
A1045
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transistor A1045
Abstract: FET MARKING QG tr fet 1A tr fet 2A RL66
Text: VEC2905 Ordering number : ENA1045 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2905 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • Composite type, facilitatiing high-density mounting. Mounting height 0.75mm.
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Original
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VEC2905
ENA1045
A1045-6/6
transistor A1045
FET MARKING QG
tr fet 1A
tr fet 2A
RL66
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VEC2819
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2819 Ordering number : ENA0536 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2819 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features DC / DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package
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Original
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VEC2819
ENA0536
A0536-6/6
VEC2819
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A01042
Abstract: VEC2610 a0104 A0104-5 3am10
Text: VEC2610 注文コード No. N A 0 1 0 4 三洋半導体データシート N VEC2610 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・インバータ用途に最適。 ・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した
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Original
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VEC2610
900mm2
IT08609
IT08607
900mm2
IT10216
IT10217
A01042
VEC2610
a0104
A0104-5
3am10
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VEC2610
Abstract: INVERTER BOARD SANYO TB A0104-5
Text: VEC2610 Ordering number : ENA0104 VEC2610 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for inverter applications. The VEC2610 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,
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Original
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VEC2610
ENA0104
VEC2610
A0104-6/6
INVERTER BOARD SANYO TB
A0104-5
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VEC2301
Abstract: No abstract text available
Text: 注文コード No. N 7 6 4 7 VEC2301 三洋半導体データシート N VEC2301 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス ・ロードスイッチング用途に最適 ・低オン抵抗。
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Original
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VEC2301
900mm2
--10V
IT06418
900mm2
IT06425
VEC2301
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VEC2819
Abstract: A0536
Text: VEC2819 注文コード No. N A 0 5 3 6 A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0536 をさしかえてください。 VEC2819 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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VEC2819
NA0536
1200mm2
/13107PE
TC-00000472
A0536-1/6
IT08589
IT08588
VEC2819
A0536
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