IT04359 Search Results

MCH6632

Contextual Info: MCH6632 Ordering number : ENN7711 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs MCH6632 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • The MCH6632 in corporates a N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and high-speed switching, thereby enabling high-density mounting.

diode N1004

Abstract: CPH5812 MCH3317 N1004 SBS010M TA-3787 74674
Contextual Info: CPH5812 Ordering number : ENN7467A CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained in one package facilitating high-density mounting.

CPH5815

Abstract: MCH3317 SBS007M
Contextual Info: Ordering number : ENN7381 CPH5815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5815 DC / DC Converter Applications 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5815] 2.9 0.05 1 2 0.95 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.9 0.7 0.2 • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET

MCH6631

Contextual Info: Ordering number : ENN7444 MCH6631 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs MCH6631 Ultrahigh-Speed Switching Applications unit : mm 2173A [MCH6631] 0.3 4 0.25 2.1 • The MCH6631 incorporates a N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ONresistance and high-speed switching, thereby enabling

ic 74243

Abstract: MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841
Contextual Info: Ordering number : ENN7424 MCH5815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5815 DC / DC Converter Applications 0.25 • [MCH5815] 0.25 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195

74674

Abstract: CPH5812 MCH3317 SBS010M TA-3787
Contextual Info: Ordering number : ENN7467 CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5812 DC / DC Converter Applications 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5812] 2.9 0.05 1 2 0.95 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.9 0.7 0.2 • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET

CPH5815

Abstract: MCH3317 SBS007M N2603
Contextual Info: 注文コード No. N 7 3 8 1 CPH5815 三洋半導体データシート N CPH5815 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3317）とショットキバリアダイオード（SBS007M）を

74243

Abstract: 74241 MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841 74242
Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 2 4 MCH5815 三洋半導体データシート N MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード MCH5815 特長 DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3317）とショットキバリアダイオード（SBS007M）を

WF24

Abstract: TA-3770 MCH6631
Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 4 4 MCH6631 三洋半導体データシート N MCH6631 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを

SCH2602

Contextual Info: SCH2602 Ordering number : ENN8323 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs SCH2602 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • The SCH2602 incorporates a N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON- resistance and high-speed switching, thereby enabling high-density mounting.

EC4307KF

Contextual Info: EC4307KF 注文コード No. N 8 3 9 8 EC4307KF P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・1.8V 駆動。 ・実装高 0.4mm。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

a04466

Abstract: 82306 marking QJ SCH1305 SCH2809
Contextual Info: SCH2809 Ordering number : ENA0446 SANYO Semiconductors DATA SHEET SCH2809 Features • • • MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Composite type with a P-channel sillicon MOSFET SCH1305 and a Schottky barrier diode (SBS018) contained

diode N1004

Abstract: N1004 diode CPH5812 n1004 TA-3787 MCH3317 SBS010M N2603
Contextual Info: CPH5812 Ordering number : EN7467B SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M)

74674

Abstract: CPH5812 MCH3317 N1004 SBS010M N2603
Contextual Info: CPH5812 注文コード No. N 7 4 6 7 B 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7467A をさしかえてください。 CPH5812 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード

a0446

Abstract: SCH1305 SCH2809
Contextual Info: SCH2809 注文コード No. N A 0 4 4 6 三洋半導体データシート N SCH2809 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ SCH1305 とショットキバリアダイオード(SBS018)を 1 パッケージに

MCH3317

Contextual Info: Ordering number : ENN7222 MCH3317 P-Channel Silicon MOSFET MCH3317 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2167A [MCH3317] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2 1 0.65

EC4307KF

Contextual Info: EC4307KF Ordering number : ENN8398 P-Channel Silicon MOSFET EC4307KF General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. 1.8V drive. mounting height : 0.4mm. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol

SCH1305

Contextual Info: SCH1305 注文コード No. N 7 7 5 9 三洋半導体データシート N SCH1305 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。

a04466

Abstract: a0446
Contextual Info: SCH2809 Ordering number : ENA0446 SCH2809 Features • • • MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Composite type with a P-channel sillicon MOSFET SCH1305 and a Schottky barrier diode (SBS018) contained

Contextual Info: SCH2809 SCH2809 Features • • • Ordering number : ENA0446 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Composite type with a P-channel sillicon MOSFET SCH1305 and a Schottky barrier diode (SBS018) contained

MCH6632

Contextual Info: MCH6632 注文コード No. N 7 7 1 1 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N7711 をさしかえてください。 MCH6632 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス

SCH1305

Abstract: marking JE
Contextual Info: SCH1305 Ordering number : ENN7759 SCH1305 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Featurest • Low ON-resistance. • High-speed switching. • 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol

MCH6632

Contextual Info: MCH6632 Ordering number : EN7711A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs MCH6632 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • The MCH6632 in corporates a N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and