MCH6628
Abstract: No abstract text available
Text: 注文コード No. N 7 9 1 9 MCH6628 三洋半導体データシート N MCH6628 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを
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Original
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PDF
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MCH6628
900mm
--10V
IT03374
IT03370
900mm2
IT03377
MCH6628
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D2002
Abstract: MCH6617
Text: Ordering number : ENN6969A MCH6617 P-Channel Silicon MOSFET MCH6617 Ultrahigh-Speed Switching Applications Preliminary • 0.25 2.1 • Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2173A 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single
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Original
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PDF
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ENN6969A
MCH6617
MCH6617]
D2002
MCH6617
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MCH6626
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6626 Ordering number : ENN7918 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs MCH6626 General-Purpose Switching Device Applications unit : mm 2173A [MCH6626] 0.3 4 0.25 2.1 • The MCH6626 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ONresistance and high-speed switching, thereby enabling
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Original
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PDF
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MCH6626
ENN7918
MCH6626]
MCH6626
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6626 MCH6626 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications unit : mm 2173A [MCH6626] 0.3 4 5 6 3 2 0.65 1 0.15 0.07 0.25 2.1 • The MCH6626 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ONresistance and high-speed switching, thereby enabling
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Original
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PDF
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MCH6626
MCH6626]
MCH6626
ENN7918
MCH6626/D
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN6969 MCH6617 P-Channel Silicon MOSFET MCH6617 Ultrahigh-Speed Switching Applications Preliminary • 0.25 2.1 • Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2173A 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single
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Original
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PDF
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ENN6969
MCH6617
MCH6617]
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MCH6626
Abstract: IT025
Text: 注文コード No. N 7 9 1 8 MCH6626 三洋半導体データシート N MCH6626 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを
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Original
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PDF
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MCH6626
900mm2
900mm2
IT03307
--10V
IT03377
IT02521
MCH6626
IT025
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D2002
Abstract: MCH6617
Text: 注文コード No. N 6 9 6 9 A MCH6617 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N6969 とさしかえてください。 MCH6617 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。
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Original
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PDF
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MCH6617
N6969
900mm2
500mA
500mA,
300mA,
--10V
IT03374
D2002
MCH6617
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MCH6628
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7919 MCH6628 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs MCH6628 General-Purpose Switching Device Applications unit : mm 2173A [MCH6628] 0.3 4 0.25 2.1 • The MCH6628 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ONresistance and high-speed switching, thereby enabling
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Original
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PDF
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ENN7919
MCH6628
MCH6628]
MCH6628
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D2002
Abstract: MCH6617
Text: 注文コード No. N 6 9 6 9 A MCH6617 No. N 6 9 6 9 A D2002 半導体ニューズ No.N6969 とさしかえてください。 MCH6617 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。
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Original
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PDF
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MCH6617
D2002
N6969
900mm2
500mA
500mA,
300mA,
--10V
IT03372
D2002
MCH6617
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