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MCH6616 Abstract: TA-3262 Text: Ordering number : ENN7013 MCH6616 N-Channel Silicon MOSFET MCH6616 Ultrahigh-Speed Switching Applications • • • Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2173A 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.	Original	PDF	ENN7013 MCH6616 MCH6616] MCH6616 TA-3262
MCH6626 Abstract: No abstract text available Text: MCH6626 Ordering number : ENN7918 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs MCH6626 General-Purpose Switching Device Applications unit : mm 2173A [MCH6626] 0.3 4 0.25 2.1 • The MCH6626 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ONresistance and high-speed switching, thereby enabling	Original	PDF	MCH6626 ENN7918 MCH6626] MCH6626
Untitled Abstract: No abstract text available Text: MCH6626 MCH6626 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications unit : mm 2173A [MCH6626] 0.3 4 5 6 3 2 0.65 1 0.15 0.07 0.25 2.1 • The MCH6626 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ONresistance and high-speed switching, thereby enabling	Original	PDF	MCH6626 MCH6626] MCH6626 ENN7918 MCH6626/D
71801 Abstract: N7013 MCH6616 7013-1 TA-3262 Text: 注文コード No. N 7 0 1 3 MCH6616 No. N7013 71801 新 MCH6616 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ超高速スイッチング用・低オン抵抗。・超高速スイッチング。・2.5V 駆動。・MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能で	Original	PDF	MCH6616 N7013 900mm2 IT02920 900mm2 IT03308 IT03309 71801 N7013 MCH6616 7013-1 TA-3262
MCH6626 Abstract: IT025 Text: 注文コード No. N 7 9 1 8 MCH6626 三洋半導体データシート N MCH6626 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを	Original	PDF	MCH6626 900mm2 900mm2 IT03307 --10V IT03377 IT02521 MCH6626 IT025