RL214
Abstract: 77153 SCH1412
Text: SCH1412 注文コード No. N 7 7 1 5 三洋半導体データシート N SCH1412 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。
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Original
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PDF
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SCH1412
900mm2
700mA
700mA,
400mA,
IT03301
IT03300
900mm2
IT06913
RL214
77153
SCH1412
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TA-3357
Abstract: CPH3418 ta335
Text: 注文コード No. N 7 7 4 5 CPH3418 三洋半導体データシート N CPH3418 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。
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Original
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PDF
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CPH3418
900mm2
700mA
700mA,
400mA,
IT03300
900mm2
IT03882
IT03879
TA-3357
CPH3418
ta335
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TA-3227
Abstract: MCH3408 TA3227 TA322
Text: 注文コード No. N 7 0 1 1 MCH3408 No. N7011 71801 新 MCH3408 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
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Original
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PDF
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MCH3408
N7011
900mm2
700mA
700mA,
400mA,
IT03300
900mm2
IT03303
TA-3227
MCH3408
TA3227
TA322
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VEC2609
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2609 注文コード No. N A 0 1 0 3 三洋半導体データシート N VEC2609 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・インバータ用途に最適。 ・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した
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Original
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PDF
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VEC2609
900mm2
700mA
700mA,
400mA,
900mm2
IT03302
VEC2609
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CPH6610
Abstract: MCH3335 CPH6610 marking
Text: CPH6610 Ordering number : ENN8167 CPH6610 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs Load Switching Applications Features • • The CPH6610 incorporates a P-channel MOSFET MCH3335 and an N-channel MOSFET that feature low ON-resistance and ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting.
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Original
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PDF
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CPH6610
ENN8167
CPH6610
MCH3335)
MCH3335
CPH6610 marking
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MCH6627
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6627 Ordering number : ENN8000 MCH6627 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • The MCH6627 incorporates a N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and high-speed switching, thereby enabling high-density mounting.
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Original
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PDF
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MCH6627
ENN8000
MCH6627
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SCH1412
Abstract: SCH2812 SS05015SH
Text: SCH2812 Ordering number : ENN8105 SCH2812 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET SCH1412 and a Schottky barrier diode (SS05015SH)
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Original
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PDF
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SCH2812
ENN8105
SCH1412)
SS05015SH)
SCH1412
SCH2812
SS05015SH
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SCH1412
Abstract: SCH2808
Text: SCH2808 Ordering number : ENN8360 SCH2808 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel sillicon MOSFET SCH1412 and a schottky barrier diode (SS0503)
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Original
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PDF
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SCH2808
ENN8360
SCH1412)
SS0503)
SCH1412
SCH2808
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MCH6620
Abstract: TA-3489
Text: 注文コード No. N 7 1 8 4 MCH6620 三洋半導体データシート N MCH6620 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。
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Original
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PDF
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MCH6620
900mm2
IT03300
900mm2
IT04072
IT04073
MCH6620
TA-3489
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SCH1412
Abstract: No abstract text available
Text: SCH1412 Ordering number : ENN7715 SCH1412 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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PDF
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SCH1412
ENN7715
900mm2
SCH1412
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TA-3357
Abstract: CPH3418
Text: Ordering number : ENN7745 CPH3418 N-Channel Silicon MOSFET CPH3418 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Package Dimensions Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. unit : mm 2152A [CPH3418] 2.9 0.15 0.4 0.6 3 0.2 • 2 1 0.6
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Original
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PDF
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ENN7745
CPH3418
CPH3418]
TA-3357
CPH3418
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VEC2609
Abstract: INVERTER BOARD SANYO
Text: VEC2609 Ordering number : ENA0103 VEC2609 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for inverter applications. The VEC2609 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,
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Original
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PDF
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VEC2609
ENA0103
VEC2609
A0103-6/6
INVERTER BOARD SANYO
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SCH1412
Abstract: SCH2808 IT03302
Text: SCH2808 注文コード No. N 8 3 6 0 三洋半導体データシート N SCH2808 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタ（SCH1412）
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Original
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PDF
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SCH2808
SCH1412
SS0503
900mm2
62005PE
TB-00001448
DS927
IT07928
SCH1412
SCH2808
IT03302
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MCH6627
Abstract: D-0300
Text: MCH6627 注文コード No. N 8 0 0 0 三洋半導体データシート N MCH6627 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに
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Original
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PDF
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MCH6627
900mm2
IT03317
900mm2
IT04070
IT04071
MCH6627
D-0300
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6627 Ordering number : ENN8000 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs MCH6627 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • The MCH6627 incorporates a N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and high-speed switching, thereby enabling high-density mounting.
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Original
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PDF
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MCH6627
ENN8000
MCH6627
900mm2â
MCH6627/D
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SCH1412
Abstract: SCH2812 SS05015SH
Text: SCH2812 注文コード No. N 8 1 0 5 三洋半導体データシート N SCH2812 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（SCH1412）
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Original
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PDF
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SCH2812
SCH1412
SS05015SH
900mm2
N3004PE
TB-00000512
IT06804
IT06805
SCH1412
SCH2812
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MCH6620
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7184 MCH6620 N-Channel Silicon MOSFET MCH6620 Ultrahigh-Speed Switching Applications • 0.25 2.1 • Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2173A 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.
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Original
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PDF
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ENN7184
MCH6620
MCH6620]
MCH6620
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TA-3227
Abstract: MCH3408 70111 TA322
Text: Ordering number : ENN7011 MCH3408 N-Channel Silicon MOSFET MCH3408 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. unit : mm 2167A [MCH3408] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2 1 0.65
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Original
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PDF
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ENN7011
MCH3408
MCH3408]
TA-3227
MCH3408
70111
TA322
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sw 13003 MOSFET
Abstract: sw 13003 A MOSFET 13003 MOSFET CPH5819 MCH3408 SBS006M
Text: 注文コード No. N 7 4 0 9 CPH5819 三洋半導体データシート N CPH5819 特長 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3408）とショットキバリアダイオード
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Original
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PDF
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CPH5819
MCH3408
SBS006M
600mm2
IT00633
IT00632
IT00634
IT00635
sw 13003 MOSFET
sw 13003 A MOSFET
13003 MOSFET
CPH5819
MCH3408
SBS006M
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13003 MOSFET
Abstract: sw 13003 13003 MOSFET transistor transistor sd 13003 MARKING QV 13003 sd sw 13003 A MOSFET CPH5819 MCH3408 SBS006M
Text: Ordering number : ENN7409 CPH5819 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5819 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3408 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2171
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Original
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PDF
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ENN7409
CPH5819
MCH3408)
SBS006M)
CPH5819]
13003 MOSFET
sw 13003
13003 MOSFET transistor
transistor sd 13003
MARKING QV
13003 sd
sw 13003 A MOSFET
CPH5819
MCH3408
SBS006M
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13003 MOSFET
Abstract: sw 13003 MOSFET sw 13003 A MOSFET sw 13003 CPH5819 Sw 13003 c SW 13003 A TR 13003 A MCH3408 N7409
Text: 注文コード No. N 7 4 0 9 CPH5819 No. N7409 13003 新 CPH5819 特長 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3408）とショットキバリアダイオード
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Original
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PDF
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CPH5819
N7409
MCH3408
SBS006M
600mm2
IT00633
IT00632
IT00634
IT00635
13003 MOSFET
sw 13003 MOSFET
sw 13003 A MOSFET
sw 13003
CPH5819
Sw 13003 c
SW 13003 A
TR 13003 A
MCH3408
N7409
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