TA-2807
Abstract: D138 DBA250 DBA250C DBA250G 41000
Text: 注文コード No. N 2 1 4 5 C DBA250 No. N 2 1 4 5 C 41000 半導体ニューズ No.2145B とさしかえてください。 DBA250 特長 シリコン拡散接合形 25.0A 単相ブリッジ整流素子 ・樹脂モールド構造。 ・ガラスパッシベーションによる高信頼製品。
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Original
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DBA250
2145B
DBA250C
DBA250G
TA-2807
ID01187
D138
DBA250
DBA250C
DBA250G
41000
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TA-2807
Abstract: D138 DBA250 DBA250C DBA250G
Text: 注文コード No. N 2 1 4 5 C DBA250 No. N 2 1 4 5 C 41000 半導体ニューズ No.2145B とさしかえてください。 DBA250 特長 シリコン拡散接合形 25.0A 単相ブリッジ整流素子 ・樹脂モールド構造。 ・ガラスパッシベーションによる高信頼製品。
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DBA250
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TA-2807
ID01187
D138
DBA250
DBA250C
DBA250G
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HA 3089
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN2145C DBA250 Diffused Junction Silicon Diode DBA250 25.0A Single-Phase Bridge Rectifier Features • • • • Package Dimensions Plastic molded structure. Glass passivation for high reliability. Peak reverse voltage : VRM=200, 600V.
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Original
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ENN2145C
DBA250
DBA250]
DBA250C
DBA250G
HA 3089
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DBA250
Abstract: DBA250C DBA250G
Text: Ordering number : ENN2145C DBA250 Diffused Junction Silicon Diode DBA250 25.0A Single-Phase Bridge Rectifier Features • • • • Package Dimensions Plastic molded structure. Glass passivation for high reliability. Peak reverse voltage : VRM=200, 600V.
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ENN2145C
DBA250
DBA250]
DBA250
DBA250C
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN2145C DBA250 Diffused Junction Silicon Diode DBA250 25.0A Single-Phase Bridge Rectifier Features • • • • Package Dimensions Plastic molded structure. Glass passivation for high reliability. Peak reverse voltage : VRM=200, 600V.
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ENN2145C
DBA250
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