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    HFO IS SCHALTKREISE Search Results

    HFO IS SCHALTKREISE Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    k3882

    Abstract: TAA 981 E25C5 TC8066PB sn 8400 sn 8408 selen-gleichrichter Halbleiterbauelemente DDR A109D SY 170
    Text: [ n r D D lk D ^ i^ B lB k f a n a n ilK Halbleiter-Bauelemente Kurzinformation D ie M ik ro e le k tro n ik e rw e is t sich in te rn a tio n a l m e h r u n d m eh r a ls e in e n ts c h e id e n d e r F a k to r be i d e r D u rc h s e tz u n g d e s w isse n s c h a ftlic h -te c h n is c h e n F o rts c h ritte s a lle r B ere ich e d e r W irts c h a ft un d


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
    Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.


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    PDF DOR102 Halbleiterbauelemente DDR GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170

    mikroelektronik ddr

    Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
    Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn­ daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik information applikation Mikroelektronik Information Applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft sy 710 applikation heft
    Text: m o t ^ o e l e l - c f a n c i r Information Applikation Bauelemente der Leistungs­ elektronik SW77 Bipolare SchaltTransistoren i i l - c m t n r D o lk in î^ e lB l-c ta n a r iik Information Applikation H e f t : BAUELEMENTE DER LEISTUNGSELEKTRONIK


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    TDA2800

    Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik heft Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 "Mikroelektronik" Heft Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 applikation heft mikroelektronik DDR
    Text: m o ^ a f^ o lsl-cta n m iil i Information Applikation Q O 0 t r ö n f l k l n it s O l B l C f a P O T lM Information Applikation - Heft 56 IS für Farbfefnseh-\ empfänger v , * Teil 2 v e b H a lb leite rw e rk fr a n k fu r t/ o d e r im v e b k o m b in a t m ik ro e le k tro n ik


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    VEB mikroelektronik

    Abstract: information applikation e435e information applikation mikroelektronik applikation heft fzl135 mikroelektronik Heft 12 D4803DC D718D "Mikroelektronik" Heft
    Text: Information Applikation Treiber IC aus dem HFO fr vrn" m m . . Information Applikation HEFT 53 NEUE TREIBERSCHALTKREISE v a b helbleifcerwerk F r a n k f u r t / o d e r botrwb im v«b kombinat mikroeloktranik | KAMMER DER TECHNIK i * » _ J Ebertusstraße 2, Frankfurt Oder


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    information applikation

    Abstract: B589N mikroelektronik heft a4100 "Mikroelektronik" Heft information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR applikation heft
    Text: In n flk fln H s d o l I t w r j Information Applikation ryv«*t IS für FARBFERNSEH EMPFÄNGER Teil 1 : A 35 10 D A 35 20 D gw im flj-Æ n lg lJ h .J I I I II "TW *• € Information Applikation HEFT 55 • •*. V • r * • - •. IS für FARBFERNSEHEMPFÄNGER


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    A109d

    Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR a211d B109D "halbleiterwerk frankfurt" VEB Kombinat zf filter VEB Kombinat halbleiterwerk
    Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors 1981 D ie vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der D D R gefertigten H albleiterbauelem ente. Dem Anw ender soll durch diese Übersicht die Auswahl d er jew eils in Frage kommenden


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    b342d

    Abstract: information applikation applikation heft mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik Transistoren DDR VEB mikroelektronik "information applikation" mikroelektronik Heft 10 ITT transistoren
    Text: m n t k if ^ s j e le lK t e n a r iH - c g|B Information Applikation in n f B = a n iis ö lH W b n a n lK Information Applikation Heft: 28 Transistorarrays Iweb Halbleiterwerk frankfurt/oder | betrieb im veto kombinet mikroelektronik KAMMER DER TECHNIK Bezirksvorstand Frankfurt/O.


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    Kombinat VEB A 281

    Abstract: sn 76001 rft halbleiter A281D DDR Schaltkreise elektronik DDR service-mitteilungen A211D Transistoren DDR nf schaltungen
    Text: SERVICE-MITTEILUNGEN r a d i o -television W s V E B IN D U S T R IE V E R T R IE B R U N D F U N K U N D F E R N S E H E N AUSGABE: NOVEMBER Der VEB Kombinat STERN C O N T U R A 2510 Stern-Radio Berlin, Stammbetrieb wird die Produk­ tion des neuen Kofferrundfunkemp­


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    MH1SS1

    Abstract: TESLA mh 7400 MH 7404 mh 7400 tesla cdb 838 tda 7851 L 741PC TDB0124DP tda 4100 TDA 7851 A
    Text: m ö lk ^ o e le l-c te n a n il-c Information Applikation RGW Typenübersicht Vergleich Teil 2: RGW M iM U Z A U l KÉD lnrüÖC=SraO Information Applikation HEFT 50 RGW Typenübersicht + Vergleich Teil 2: RGW wob Halbleiterwerk Frankfurt /oder bt r iab im v«b kombinat mikrootektronik


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    b589n

    Abstract: B511N information applikation b589 mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik B589nm "Mikroelektronik" Heft aktive elektronische bauelemente ddr applikation heft
    Text: r r j f c n B e le l- f t e n o n f l- t Information Applikation raeo [ n n f l k l n i B ] B l B | < t i n a r * < Information Applikation HEÏI 4 4 : B 5 1 1 N Twnperatur-Sensor-IS B 5 8 9 I Bandgap-Referenzepannungaguelle m KAMMER OER TECHNIK Ebvftuu traft« 2, Frankfurt (Od*r


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
    Text: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.


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    PDF 6x10x12 Halbleiterbauelemente DDR Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C

    mikroelektronik Heft 12

    Abstract: SY 185 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 B260D information applikation keramische Werke Hermsdorf mikroelektronik Heft 10 VEB mikroelektronik information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR
    Text: li ii iff li i l •> ■! l l ■! *i n lil i KBD Information Applikation ANSTEUER­ SCHALTKREIS FÜR SCHALTNETZTEILE UND GLEICH­ SPANNUNGSWANDLER — R«ge verstarkm B 260 Informations- und Applikationshefte „M IK R O E LE K TR O N IK " Bisher erschienen:


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: information applikation applikation heft mikroelektronik Heft "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft VEB mikroelektronik "information applikation"
    Text: m ffik a r ^ e le l-c b n a r iîl-c Information Applikation [ n nf l^ On i □ Information Applikation Heft : 3 7 Qualitätssicherung - Zuverlässigkeit veto halbtaMfcorwerk frankfurt/oder bateriabkn veb kombinat mikroelektrontk KAMMER PER TECHNIK Vorslond des Beiirkiverbondei


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    74S487

    Abstract: information applikation cdb 4121 e CDB 447 FZH 195 mh 3212 applikation heft 74LS125N MH 74141 FZH195
    Text: m ô D ^ n iœ lo M s n a n ilK Information Applikation INTERFACE SCHALTUNGEN RGW mit internationaler Typen­ übersicht ¿ kH KKÄÄÄÄAZJ, r in iO lk r t^ B lo lK b n a in H K I Information Applikation H a f t I N T E E F A C E E 4 8 » - S C G H A L T U N G E N


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    information applikation

    Abstract: information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft A4100D "Mikroelektronik" Heft applikation heft mikroelektronik applikation VEB mikroelektronik
    Text: m o N n ^ e le l-c te n o r iil-c Kp Information Applikation m L r r t l k < I r J[ S J E 2 l E l - < f c i r ,a r - | i t < Information Applikation H e f t : 40 L S - T T L - R e l h e Teil 1 ueb Halbleiterwerk frankfurt /oder* b o t r - ie b im v e t k o m b m a t m ik r o o le k t r o n « k


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    MSD 7818

    Abstract: MN9106 information applikation 7490 N TDA 5700 information applikation mikroelektronik udssr hefte 143KT1 Mikroelektronik Information Applikation K 176 LE, K 561 LN
    Text: In n in ik ü r Q fâ lI Information Applikation RGW Typen­ übersicht + Vergleich TeiM UdSSR JitfÆÊL JUUUUUUL&JJJUL i m i n i ^ r ^ c z l c i c b p o n Information Applikation , 9 H E F T 4 9 * R G W T y p e n ü b e r s i c h t + V e r g l e i c h Teil 1


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    PDF 6250b MSD 7818 MN9106 information applikation 7490 N TDA 5700 information applikation mikroelektronik udssr hefte 143KT1 Mikroelektronik Information Applikation K 176 LE, K 561 LN

    information applikation

    Abstract: Mikroelektronik Information Applikation B305D B304D eft 317 transistor information applikation mikroelektronik B303D Kombinat VEB A 301 A301D "information applikation"
    Text: LnnJÖD=^Jj i ^ j s l E k t j P D n i k Information Applikation B 303 D B 304 D B 305 D B 306 D m ölkr^elel-ctsnariik Information Applikation Heft: 23 INITIATOREN-IS B303D- B 304D B 305D *B 306D VEB. Halbleiterwerk FrankfurtïOder im VEB Kom binat Mikroelektronik,


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    A225D

    Abstract: A 225D applikation heft information applikation mikroelektronik meuselwitz VEB mikroelektronik Piezofilter DDR FM -piezofilter VEB Kombinat zf filter "halbleiterwerk frankfurt"
    Text: Inform ation Applikation K * D FTDDlknroeBlBl^lanariil^. Inform ation Applikation HEFT 24 ; A 225 D FM -ZF-VERSTÄRKER FT-1 VEBHalbleTterwerfeFfanWurt TOctert U E c im VEB Kombinat Mikroelektronik KSDj KAMM ER DER TECHNIK I Ißegirksvörstandfiankfurt/O. .Autor : Di.pl .-Ing*


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    PDF 19S4- A225D A 225D applikation heft information applikation mikroelektronik meuselwitz VEB mikroelektronik Piezofilter DDR FM -piezofilter VEB Kombinat zf filter "halbleiterwerk frankfurt"

    RCA-CA3052

    Abstract: TAA550 ul1202 Analogschaltkreise der Volksrepublik Polen ITT transistoren Scans-048 UL1321 Dii 1501 itk 120-2 UL1111
    Text: H orst Schm ied Analogschaltkreise der Volksrepublik Polen ln der V olksrepublik Polen ist dir- V ereinigung U nitru OEM ! A lleinhersteller von H albleiterbauelem enten. tofertigt werden neben einem großen T ypenspektrum an diskreten H albleitern 112 T ypen digitaler


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    VEB mikroelektronik

    Abstract: "Mikroelektronik" Heft GWS servo VEB Kombinat zf filter lm 7803 3V Positive Voltage Regulator E355D "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft U706D VQB71
    Text: H albleiter-B auelem ente Semiconductors D ie vorliegend e Übersicht en th ält in g ed rä n g te r Form d ie wichtigsten G renz- und Kenn­ d aten d e r in d er D D R g efertigten H a lb le ite rb au e le m e n te . Dem A n w en der soll durch diese Übersicht die Auswahl der jew eils in Frage kom menden


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    E355D

    Abstract: mikroelektronik RFT A283D B3370 D100D information applikation B083D SN28654N SN28654 A277D
    Text: ïTTfe Information Applikation Ü b e rsic h t VEB HALBLEITERWERK FRANKFURT ODER âl-< I n r D D G ^ Ö E i s W s n o r i i H IN F O R M A T IO N - A P P L IK A T IO N Bipolare integrierte Schaltkreise des VEB Halbleiterwerk Frankfurt /O d e r H e ft 20


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    information applikation

    Abstract: Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation mikroelektronik 40098 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 mikroelektronik applikation MIKROELEKTRONIK Frankfurt applikation heft 40511
    Text: in j^ D lk ^ im iB lB l- c t e n n r iil- c KaD Information Applikation CMOSLOGIKSCHALTKREISE i - : d o l - i t s n a n i l - c Information Applikation • Heft 12: CMOS-Logilc-IS ^ K»D T veb halbleiterwerkfrankfurt oder ' VEB ZENTRUM FÜR FO R SC H U N G


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