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GMOY6178 Abstract: No abstract text available Text: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, 300 µm Kantenlänge GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, 12 mil) F 0594A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 15 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2	Original		PDF

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GMOY6178

Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, 300 µm Kantenlänge GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, 12 mil) F 0594A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 15 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2

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