GEX06971 Search Results

GEX06971

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P Vorläufige Daten / Preliminary Data 5.0 4.2 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.8 0.4 29 27 1.8 1.2 3.85 3.35 Area not flat 0.6 0.4 Chip position Approx. weight 0.5 g fex06306 GEX06971

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.0 4.2 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.8 0.4 29 27 SFH 495 P SFH 4552 3.85 3.35 0.6 0.4 Area not flat fex06971 1.8 1.2 Chip position GEX06971 Area not flat 29.5 27.5 Cathode Diode Collector (Transistor)

transistor 495

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 5.9 5.5 0.6 0.4 GEX06971 Area not flat 5-9. 5.5 'M p ' 0.6 0.4 Cathode Diode GEX06630 Collector (Transistor) Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

80 ESP 12

Abstract: GEX06630 GEX06971 Q62702-P5054 Q62703-Q7891 OHF00329 transistor sr 61
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.0 4.2 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.8 0.4 29 27 SFH 495 P SFH 4552 3.85 3.35 0.6 0.4 Area not flat fex06971 1.8 1.2 Chip position GEX06971 Area not flat 29.5 27.5 Cathode Diode Collector (Transistor)

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 SFH 495 P SFH 4552 Wesentliche Merkmale • Stimulierter Emitter mit sehr hohem Wirkungsgrad • Laserdiode in diffusem Gehäuse • Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen

SFH495P

Contextual Info: SFH 495P SIEMENS GaAIAs Infrared Emitter Dimensions in inches mm Surface not flat Chip Position .024 (0.6) .018 (0.4) ~l .03 9(1.0 ) .02 0(0.5 ) .100 l - 2 0 1 (5.1) 5 189 (4.8) (2.54) j .031 (0.8) •Q71(1.8) .047(1.2) .050 (Ö.4) .15 2(3.8 5) -.132(3.35)

transistor 495

Abstract: GEX06630 GEX06971 Q62702-P5054 OHF00328 SFH495P
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 SFH 495 P SFH 4552 Wesentliche Merkmale Features • Stimulierter Emitter mit sehr hohem Wirkungsgrad • Laserdiode in diffusem Gehäuse • Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen