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    foto transistor

    Abstract: phototransistor 500-600 nm GEO06973 Q62702-P5014
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 4.8 4.4 Active area 0.55 0.7 0.3 0.1 0.0 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Base Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06973 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


    Original
    GEO06973 phas33 OHF00309 OHF00334 foto transistor phototransistor 500-600 nm GEO06973 Q62702-P5014 PDF

    GEO06973

    Abstract: Q62702-P5014
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 0.1 0.0 4.8 4.4 Active area 0.55 0.7 0.3 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Base Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06973 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


    Original
    GEO06973 suitabl33 OHF00309 OHF00334 GEO06973 Q62702-P5014 PDF

    Q62702-P5200

    Abstract: Q62702-P5014
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten


    Original
    OHF00309 OHF00334 GEO06973 Q62702-P5200 Q62702-P5014 PDF