BPW34S
Abstract: E9087 GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 S8050
Text: feo06643 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S E9087 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode NEU: in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode NEW: in SMT and as Reverse Gullwing
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Original
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feo06643
E9087)
GEO06643
OHF00080
OHF00081
OHF00082
OHF01402
BPW34S
E9087
GEO06643
GEO06863
GEO06916
Q62702-P1602
Q62702-P1790
Q62702-P73
S8050
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E9087
Abstract: GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1604 Q62702-P1826 Q62702-P929
Text: feo06075 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 F BPW 34 FS BPW 34 FS E9087 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
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Original
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feo06075
E9087)
GEO06643
OHF00080
OHF00081
OHF00082
OHF01402
E9087
GEO06643
GEO06863
GEO06916
Q62702-P1604
Q62702-P1826
Q62702-P929
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GEO06643
Abstract: Q62702-P76 BPW33 IR 33 S7535
Text: Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Sperrstromarm typ. 20 pA • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Features • Especially suitable for applications from
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Original
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Q62702-P76
OHF01402
GEO06643
GEO06643
Q62702-P76
BPW33
IR 33
S7535
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GEO06643
Abstract: Q62702-P76
Text: Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BPW 33 0.8 0.6 Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode 0.6 0.4 0.8 0.6 0.35 0.2 0.5 0.3 0.6 0.4 0 . 5˚ Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm Approx. weight 0.1 g
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Original
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feo06643
GEO06643
OHF00073
OHF01065
OHF00075
OHF01402
GEO06643
Q62702-P76
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GEO06643
Abstract: GEO06863 Q62702-P1129 Q62702-P463 BPW 34 FAS
Text: 5.4 4.9 4.5 4.3 0.8 0.6 0.6 0.4 2.2 1.9 Chip position 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BPW 34 FA BPW 34 FAS feo06075 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Neu: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter New: in SMT 0.6 0.4
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Original
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feo06075
feo06861
GEO06643
GEO06863
OHF00080
OHF00081
OHF00082
OHF01402
GEO06643
GEO06863
Q62702-P1129
Q62702-P463
BPW 34 FAS
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bpw 104
Abstract: GEO06643 GEO06863 Q62702-P1604 Q62702-P929 bpw+104 BPW34F
Text: 0.8 0.6 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BPW 34 F BPW 34 FS feo06075 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT 0.6 0.4 0.8
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Original
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feo06075
feo06861
GEO06643
GEO06863
OHF00080
OHF00081
OHF00082
OHF01402
bpw 104
GEO06643
GEO06863
Q62702-P1604
Q62702-P929
bpw+104
BPW34F
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E9087
Abstract: Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 BPW 40 BPW 14 A BPW34S S8050 BPW34 BPW 20 k
Text: Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW 34, BPW 34 S, BPW 34 S E9087 BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S (E9087) Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm
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Original
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E9087)
GEO06863
GEO06916
E9087
Q62702-P1602
Q62702-P1790
Q62702-P73
BPW 40
BPW 14 A
BPW34S
S8050
BPW34
BPW 20 k
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p945
Abstract: transistor p945 ir p945 p945 transistor GEO06643 Q62702-P945
Text: Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 B 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity 0.6 0.4 0.8 0.6 0.35 0.2 0.5 0.3 0.6
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Original
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feo06643
GEO06643
OHF00080
OHF00081
OHF00082
OHF01402
p945
transistor p945
ir p945
p945 transistor
GEO06643
Q62702-P945
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E9087
Abstract: GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1129 Q62702-P1829 Q62702-P463 BPW 34 FAS
Text: feo06075 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 FA BPW 34 FAS BPW 34 FAS E9087 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Neu: in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
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Original
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feo06075
E9087)
GEO06643
OHF00080
OHF00081
OHF00082
OHF01402
E9087
GEO06643
GEO06863
GEO06916
Q62702-P1129
Q62702-P1829
Q62702-P463
BPW 34 FAS
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GEO06643
Abstract: Q62702-P945
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity BPW 34 B Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 25 ns • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
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Original
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OHF01402
GEO06643
GEO06643
Q62702-P945
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feo06643
Abstract: GEO06643 GEO06863 Q62702-P1602 Q62702-P73 S8050
Text: 5.4 4.9 4.5 4.3 0.8 0.6 0.6 0.4 2.2 1.9 Chip position 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BPW 34 BPW 34 S feo06643 Silizium-PIN-Fotodiode NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode NEW: in SMT 0.6 0.4 0.8 0.6 0.6 0.4 0.35 0.2 0.5 0.3 0 . 5˚ 5.08 mm
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Original
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feo06643
feo06862
GEO06643
GEO06863
OHF00080
OHF00081
OHF00082
OHF01402
feo06643
GEO06643
GEO06863
Q62702-P1602
Q62702-P73
S8050
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BPW 34 datasheet
Abstract: E9087 Q62702-P1129 Q62702-P1829 Q62702-P463 BPW34 BPW 40 BPW 34 FAS
Text: Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing BPW 34 FA, BPW 34 FAS, BPW 34 FAS E9087 BPW 34 FA BPW 34 FAS BPW 34 FAS (E9087) Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für den Wellenlängenbereich
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E9087)
GEO06863
GEO06916
BPW 34 datasheet
E9087
Q62702-P1129
Q62702-P1829
Q62702-P463
BPW34
BPW 40
BPW 34 FAS
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E9087
Abstract: Q62702-P1604 Q62702-P1826 Q62702-P929 bpw photodiode
Text: Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing BPW 34 F, BPW 34 FS, BPW 34 FS E9087 BPW 34 F BPW 34 FS BPW 34 FS (E9087) Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm
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E9087)
GEO06863
GEO06916
E9087
Q62702-P1604
Q62702-P1826
Q62702-P929
bpw photodiode
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